氟纯化的方法技术

本发明专利技术涉及氟纯化的方法。元素氟通常是由KF在氟化氢中的一种溶液以电化学方式制造的并且包含变化量值的处于固体形式的夹带的电解质盐作为杂质。本发明专利技术涉及一种用于纯化此类不纯的元素氟的方法，是通过与液体氟化氢相接触或者通过将原料氟鼓入穿过液体氟化氢。在这个纯化步骤之后，通过吸附来、使其冷凝或二者来去除任何夹带的氟化氢。在穿过一个具有非常小孔的过滤器之后，纯化过的氟尤其适合于半导体工业，在半导体、TFT和太阳能电池的制造中作为蚀刻气体或作为室清洁气体，或者用于制造微机电系统。

Purification of fluorine

The present invention relates to the method of fluorine purification. Elemental fluorine is usually made by an electrochemical solution of KF in a solution of hydrogen fluoride and contains varying amounts of solid entrained electrolyte salts as impurities. The present invention relates to a method for purifying such impure elemental fluorine by contacting with liquid hydrogen fluoride or by blowing raw fluorine into liquid hydrogen fluoride. After this purification step, the hydrogen fluoride is removed by adsorption, condensation, or the two. In a very small hole through the filter, the purified fluoride is especially suitable for the semiconductor industry, in the manufacture of semiconductor, TFT and solar cell as an etching gas or gas as a clean room, or for the manufacture of micro electro mechanical system.

【技术实现步骤摘要】
氟纯化的方法本申请是申请日为2011年8月3日，申请号为201180042028.6，专利技术名称为“氟纯化的方法”的专利技术专利申请的分案申请。本专利技术要求2010年8月5日提交的EP专利申请号10172034.0的权益，为所有目的将该申请的全部内容通过引用结合在此，本专利技术涉及一种用于制造纯化的元素氟的方法。元素氟(F2)除其他之外还在半导体、微机电器件、太阳能电池、TFT(薄膜晶体管)的制造中用作蚀刻剂或掺杂剂，作为用于清洁其中使用的这些室的试剂；用于制造氟化的有机化合物，例如用于制造氟化的碳酸亚乙酯和氟化的碳酸亚丙酯(它们是用于Li离子电池的溶剂)；以及用于制造IF5和SF6。它还用于处理塑料材料的表面，例如用于燃料储箱的内表面、外表面或二者的氟化。氟的另一个应用领域是对聚合物制成的部件进行表面氟化以提供一个最终处理的表面。US3,989,808披露了使用氟镍酸钾络合物对原料氟进行纯化。E.Jacob和K.O.Christe在J.FluorineChem[氟化学期刊]10(1977)第169页至172页披露了70至63K的逐阱蒸馏，结合一种通过加入SbF5来除氧的处理。氟通本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造半导体、微机电系统、TFT(平板显示器)或太阳能电池的方法，该方法包括用于制造纯化的氟的过程和用纯化的氟蚀刻物件的步骤；或一种用于制造半导体、微机电系统、TFT(平板显示器)或太阳能电池的方法，该方法包括用于制造纯化的氟的过程和在沉积室中于物件上沉积层的步骤，其中沉积物至少形成在该沉积室内部的一部分上，以及使该沉积室与纯化的氟相接触，以去除该沉积室内部的至少一部分该沉积物；其中，在所述用于制造纯化的氟的过程中，使包含固体杂质的氟经受去除固体的处理，其中该去除固体的处理包括至少一个使该氟与液体氟化氢相接触的步骤，并且其中使该氟随后经受纯化处理，该纯化处理包括至少一个在与液体氟化氢相接...

【技术特征摘要】
2010.08.05 EP 10172034.01.一种用于制造半导体、微机电系统、TFT(平板显示器)或太阳能电池的方法，该方法包括用于制造纯化的氟的过程和用纯化的氟蚀刻物件的步骤；或一种用于制造半导体、微机电系统、TFT(平板显示器)或太阳能电池的方法，该方法包括用于制造纯化的氟的过程和在沉积室中于物件上沉积层的步骤，其中沉积物至少形成在该沉积室内部的一部分上，以及使该沉积室与纯化的氟相接触，以去除该沉积室内部的至少一部分该沉积物；其中，在所述用于制造纯化的氟的过程中，使包含固体杂质的氟经受去除固体的处理，其中该去除固体的处理包括至少一个使该氟与液体氟化氢相接触的步骤，并且其中使该氟随后经受纯化处理，该纯化处理包括至少一个在与液体氟化氢相接触之后从该氟中去除氟化氢的步骤，其中在用液体HF进行处理之后使该氟经受将它与用于HF的吸附剂相接触的步骤，以及随后的至少一个使该氟穿过颗粒过滤器以去除夹带固体的步骤；其中该用于HF的吸附剂是氟化钠，其中连续地或间歇地将该液体HF的至少一部分从该去除固体的处理中抽出，并且其中将抽出的HF引入一个或更多个电解槽中用于F2的生产，并且抽出的HF是不含水的并含有夹带的KF与HF的加合物。2.如权利要求1所述的方法，其中使该氟在喷射气体洗涤器中与液体氟化氢相接触。3.如权利要求1所述的方法，其中通过将该氟鼓入穿过容器中的液体HF而使该氟与液体...

【专利技术属性】
技术研发人员：奥利维耶罗黛安娜，彼得M普雷迪坎特，菲利普莫雷勒，毛里齐奥帕加宁，克里斯托弗萨默，
申请(专利权)人：索尔维公司，
类型：发明
国别省市：比利时,BE