R-T-B系烧结磁体的制造方法技术

技术编号:16388959 阅读:41 留言:0更新日期:2017-10-16 09:57
本发明专利技术的R-T-B系烧结磁体的制造方法包括:准备以[T1]/[X]的摩尔比为13.0以上作为主要特征的R1-T1-X(R1主要为Nd,T1主要为Fe,X主要为B)系合金烧结体的工序;准备R2-Ga-Cu(R2主要为Pr和/或Nd,且为65mol%以上95mol%以下,[Cu]/([Ga]+[Cu])以摩尔比计为0.1以上0.9以下)系合金的工序;和使R2-Ga-Cu系合金的至少一部分与R1-T1-X系合金烧结体表面的至少一部分接触,并在450℃以上600℃以下的温度进行热处理的工序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】R-T-B系烧结磁体的制造方法
本专利技术涉及R-T-B系烧结磁体的制造方法。
技术介绍
已知R-T-B系烧结磁体(R为稀土元素中的至少一种且必须包含Nd,T为过渡金属元素中的至少一种且必须包含Fe,B为硼)是永久磁体中性能最高的磁体,被用于硬盘驱动器的音圈电动机(VCM)、电动汽车用(EV、HV、PHV等)电动机、工业设备用电动机等各种电动机和家电产品等。R-T-B系烧结磁体由主要包含R2T14B化合物的主相和位于该主相的晶界部分的晶界相(以下,有时简称为“晶界”)构成。R2T14B化合物是具有高磁化的强磁性相,成为R-T-B系烧结磁体的特性的关键。在高温下,由于R-T-B系烧结磁体的矫顽力HcJ(以下,有时简称为“矫顽力”或“HcJ”)下降而产生不可逆热退磁。因此,特别是在用于电动汽车用电动机的R-T-B系烧结磁体中,要求在高温下也具有高的HcJ、即在室温下具有更高的HcJ。已知在R-T-B系烧结磁体中,若用重稀土元素(主要为Dy和/或Tb)置换R2T14B化合物中的R所包含的轻稀土元素(主要为Nd和/或Pr)的一部分,HcJ就会升高。随着重稀土元素的置换量的增加,HcJ升高。然本文档来自技高网...
R-T-B系烧结磁体的制造方法

【技术保护点】
一种R-T-B系烧结磁体的制造方法,其中,R为稀土元素中的至少一种且必须包含Nd,T为过渡金属元素中的至少一种且必须包含Fe,B的一部分能够用C置换,所述制造方法的特征在于,包括:准备R1-T1-X系合金烧结体的工序,其中,R1为稀土元素中的至少一种且必须包含Nd,R1-T1-X系合金烧结体所含的R1的比率为27mass%以上35mass%以下,T1为Fe或Fe和M,M为选自Ga、Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Co、Ni、Cu、Zn、Ge、Zr、Nb、Mo和Ag中的一种以上,X为B且B的一部分能够用C置换,[T1]/[X]的摩尔比为13.0以上;准备R2-Ga-Cu系合金的工序,其中,R2...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.02.18 JP 2015-029204;2015.06.04 JP 2015-113561.一种R-T-B系烧结磁体的制造方法,其中,R为稀土元素中的至少一种且必须包含Nd,T为过渡金属元素中的至少一种且必须包含Fe,B的一部分能够用C置换,所述制造方法的特征在于,包括:准备R1-T1-X系合金烧结体的工序,其中,R1为稀土元素中的至少一种且必须包含Nd,R1-T1-X系合金烧结体所含的R1的比率为27mass%以上35mass%以下,T1为Fe或Fe和M,M为选自Ga、Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Co、Ni、Cu、Zn、Ge、Zr、Nb、Mo和Ag中的一种以上,X为B且B的一部分能够用C置换,[T1]/[X]的摩尔比为13.0以上;准备R2-Ga-Cu系合金的工序,其中,R2为稀土元素中的至少一种且必须包含Pr和/或Nd,R2-Ga-Cu系合金所含的R2的比率为65mol%以上95mol%以下,[Cu]/([Ga]+[Cu])以摩尔比计为0.1以上0.9以下;和使所述R2-Ga-Cu系合金的至少一部分与所述R1-T1-X系合金烧结体的表面的至少一部分接触,在真空或不活泼气体气氛中、在450℃以上600℃以下的温度进行热处理的工序。2.如权利要求1所述的R-T-B系烧结磁体的制造方法,其特征在于:所述R1-T1-X的T1为Fe和M,M为选自Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Co、Ni、Cu、Zn、Ge、Zr、Nb、Mo和Ag中的一种以上。3.如权利要求1或2所述的R-T-B系烧结磁体的制造方法,其特征在于:R1-T1-X系合金烧结体中的[T1]/[X]的摩尔比为13.6以上。4.如权利要求1~3中任一项所述的R-T-B系烧结磁体的制造方法,其特征在于:R1-T1-X系合金烧结体中的[T1]/[X]的摩尔比为14以上。5.如权利要求1~4中任一项所述的R-T-B系烧结磁体的制造方法,其特征在于:R1-T1-X系合金烧结体中的重稀土元素为1mass%以下。6.如权利要求1~5中任一项所述的R-T-B系烧结磁体的制造方法,其特征在于:所述准备R1-T1-X系合金烧结体的工序包括:将原料合金粉碎成1μm以上10μm以下之后,在磁场中进行成型、烧结的步骤。7.如权利要求6所述的R-T-B系烧结磁体的制造方法,其特征在于:所述准备R1-T1-X系合金烧结体的工序包括:在所述烧结之后,在超过600℃且低于烧结...

【专利技术属性】
技术研发人员:重本恭孝西内武司国吉太野泽宣介
申请(专利权)人:日立金属株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

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