具有经减小聚焦误差灵敏度的光学度量制造技术
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有经减小聚焦误差灵敏度的光学度量相关申请案的交叉参考本专利申请案依据35U.S.C.§119主张来自2015年2月22日提出申请的标题为“高吞吐量大NA光学度量系统的设备及方法(ApparatusandMethodsofHighThroughputLargeNAOpticalMetrologySystem)”的序列号为62/119,243的美国临时专利申请案的优先权，所述临时专利申请案的标的物以全文引用的方式并入本文中。
所描述实施例涉及度量系统及方法，且更特定来说，涉及用于半导体结构的经改善测量的方法及系统。
技术介绍
通常通过适用于样品的一系列处理步骤制作例如逻辑及存储器装置等半导体装置。通过这些处理步骤形成半导体装置的各种特征及多个结构层级。举例来说，光刻尤其是一种涉及在半导体晶片上产生图案的半导体制作工艺。半导体制作工艺的额外实例包含但不限于化学机械抛光、蚀刻、沉积及离子植入。可在单一半导体晶片上制作多个半导体装置，且接着将其分离成若干个别半导体装置。在半导体制造工艺期间在各个步骤处使用度量工艺来检测晶片上的缺陷以促成较高成品率。光学度量技术提供高吞吐量...
【技术保护点】
一种度量系统，其包括：照射源，其经配置以产生一定量的照射光；照射光学器件子系统，其经配置以在入射平面内以一或多个入射角将所述量的照射光从所述照射源引导到受测量样品的表面上的测量光点；检测器，其具有对入射光灵敏的平面二维表面，其中所述检测器经配置以产生指示所述样品对所述量的照射光的响应的多个输出信号；及收集光学器件子系统，其经配置以从所述样品的所述表面上的所述测量光点收集一定量的经收集光且将所述量的经收集光引导到所述检测器的所述表面，其中所述收集光学器件子系统将所述测量光点成像到所述检测器的所述表面上，使得晶片表面上的与所述入射平面对准的方向定向成垂直于所述检测器表面上的波长色散方向。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.02.22 US 62/119,243;2015.08.24 US 14/833,3701.一种度量系统，其包括：照射源，其经配置以产生一定量的照射光；照射光学器件子系统，其经配置以在入射平面内以一或多个入射角将所述量的照射光从所述照射源引导到受测量样品的表面上的测量光点；检测器，其具有对入射光灵敏的平面二维表面，其中所述检测器经配置以产生指示所述样品对所述量的照射光的响应的多个输出信号；及收集光学器件子系统，其经配置以从所述样品的所述表面上的所述测量光点收集一定量的经收集光且将所述量的经收集光引导到所述检测器的所述表面，其中所述收集光学器件子系统将所述测量光点成像到所述检测器的所述表面上，使得晶片表面上的与所述入射平面对准的方向定向成垂直于所述检测器表面上的波长色散方向。2.根据权利要求1所述的度量系统，其中所述量的照射光是包含横跨至少500纳米的波长范围的宽带照射光。3.根据权利要求1所述的度量系统，其中所述量的照射光的至少一部分是以法向入射角提供到所述样品。4.根据权利要求1所述的度量系统，其中所述量的照射光的至少一部分是以倾斜入射角提供到所述样品。5.根据权利要求1所述的度量系统，其中所述度量系统被配置为光谱椭偏仪及光谱反射仪中的任一者或多者。6.根据权利要求1所述的度量系统，其中所述照射光学器件子系统的偏光器狭缝的投影未充满所述度量系统的光谱仪狭缝。7.根据权利要求1所述的度量系统，其中所述照射源是激光驱动式光源。8.根据权利要求1所述的度量系统，其中所述照射光学器件子系统包含经配置以限制在正交于所述入射平面的方向上投影到所述样品上的照射光场的可编程照射光场光阑。9.根据权利要求9所述的度量系统，其进一步包括：控制器，其经配置以：将命令信号发射到所述可编程照射光场光阑以更改所述照射光场光阑的状态，以沿着所述检测器表面上的所述波长色散方向实现所要点扩散函数。10.根据权利要求1所述的度量系统，其中投影到所述样品的表面上的所述量的照射光的光束大小小于在所述样品的所述表面上测量的测量目标的大小。11.根据权利要求1所述的度量系统，其中所述检测器是电荷耦合装置CCD检测器。12.一种设备，其包括：照射系统，其经配置以...
【专利技术属性】
技术研发人员：S·克里许南，G·V·庄，D·Y·王，刘学峰，
申请(专利权)人：科磊股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
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