作为除草剂的取代的嘧啶氧基吡啶衍生物制造技术

披露了式1的化合物，包括其所有的立体异构体、N‑氧化物和盐，

Substituted pyrimidine pyridine derivatives as herbicides

The disclosure of 1 compounds, including all of its stereoisomers, N oxides and salts,

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】作为除草剂的取代的嘧啶氧基吡啶衍生物专利
本专利技术涉及某些取代的嘧啶氧基吡啶衍生物，其N-氧化物、盐和组合物，以及其用于控制不希望植被的方法。
技术介绍
控制不希望植被在实现高作物效率中是极其重要的。实现对杂草生长的选择性控制，尤其是在此类有用的作物尤其如稻、大豆、甜菜、玉蜀黍、马铃薯、小麦、大麦、番茄和种植园作物中是非常期望的。在此类有用的作物中的未加抑制的杂草生长可造成产量的显著下降，并且从而导致消费者成本增加。在非作物区域中对不希望植被的控制也是重要的。为了这些目的，许多产品是可商购的，但持续需要更有效、较低成本、较低毒性、对环境更安全或具有不同的作用位点的新型化合物。
技术实现思路
本专利技术针对式1的化合物(包括所有立体异构体)、其N-氧化物和盐，包含它们的农业组合物，以及它们作为除草剂的用途：Q是任选地被1至4个R1取代的5元或6元芳族杂环；Z是O或S；每个R1独立地是卤素、氰基、硝基、SF5、CHO、C(＝O)NH2、C(＝S)NH2、SO2NH2、C1-C4烷基、C2-C4烯基、C2-C4炔基、C1-C4卤代烷基、C2-C4卤代烯基、C2-C4卤代炔基、C3-C6环烷基、C3-C6卤代环烷基、C4-C8烷基环烷基、C4-C8环烷基烷基、C2-C6烷基羰基、C2-C6卤代烷基羰基、C2-C6烷氧基羰基、C3-C7环烷基羰基、C2-C8烷基氨基羰基、C3-C10二烷基氨基羰基、C1-C4烷氧基、C3-C4烯氧基、C3-C4炔氧基、C1-C4卤代烷氧基、C3-C4卤代烯氧基、C3-C4卤代炔氧基、C3-C6环烷氧基、C3-C6卤代环烷氧基、C4-C8环烷基烷氧基、C2-C6烷氧基烷基、C2-C6卤代烷氧基烷基、C2-C6烷氧基卤代烷基、C2-C6烷氧基烷氧基、C2-C4烷基羰基氧基、C2-C6氰基烷基、C2-C6氰基烷氧基、C1-C4羟烷基、C2-C4烷基硫代烷基、SOnR1A、Si(CH3)3或B(-OC(R1B)2C(R1B)2O-)；或是任选地被独立地选自R1C的最高达5个取代基取代的苯环；或是包含选自碳原子和最高达4个杂原子的环成员的5-或6-元杂环，所述杂原子独立地选自最高达2个O、最高达2个S和最高达4个N原子，每个环任选地被最高达3个取代基取代，在碳原子环成员上所述取代基独立地选自R1C并且在氮原子环成员上所述取代基独立地选自R1D；R2是卤素、氰基、硝基、C1-C4烷氧基、C1-C4烷基、C2-C6烯基、C2-C6炔基、SOnR2A、C1-C4卤代烷基或C3-C6环烷基；每个R3独立地是卤素、氰基、羟基、硝基、氨基、CHO、C(＝O)NH2、C(＝S)NH2、SO2NH2、C1-C4烷基、C2-C4烯基、C2-C4炔基、C1-C4卤代烷基、C2-C4卤代烯基、C2-C4卤代炔基、C3-C6环烷基、C3-C6卤代环烷基、C4-C8烷基环烷基、C4-C8环烷基烷基、C2-C6烷基羰基、C2-C6卤代烷基羰基、C2-C6烷氧基羰基、C3-C7环烷基羰基、C1-C4烷氧基、C3-C4烯氧基、C3-C4炔氧基、C1-C4卤代烷氧基、C3-C4卤代烯氧基、C3-C4卤代炔氧基、C3-C6环烷氧基、C3-C6卤代环烷氧基、C4-C8环烷基烷氧基、C2-C6烷氧基烷基、C2-C6卤代烷氧基烷基、C2-C6烷氧基卤代烷基、C2-C6烷氧基烷氧基、C2-C4烷基羰基氧基、C2-C6氰基烷基、C2-C6氰基烷氧基、C2-C4烷基硫代烷基、Si(CH3)3、C≡CSi(CH3)3、C(＝O)N(R3A)(R3B)、C(＝NOR3C)H、C(＝NR3D)H或SOnR3E；或是任选地被独立地选自R3F的最高达5个取代基取代的苯环；或是包含选自碳原子和最高达4个杂原子的环成员的5-或6-元杂环，所述杂原子独立地选自最高达2个O、最高达2个S和最高达4个N原子，每个环任选地被最高达3个取代基取代，在碳原子环成员上所述取代基独立地选自R3F并且在氮原子环成员上所述取代基独立地选自R3G；或嘧啶氧基；m是0、1、2或3；每个n独立地是0、1或2；每个R1A、R2A和R3E独立地是C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷基氨基或C2-C6二烷基氨基；每个R1B独立地是H或C1-C4烷基；每个R1C独立地是羟基、卤素、氰基、硝基、C1-C6烷基、C1-C6卤代烷基、C1-C6烷氧基或C1-C6卤代烷氧基；每个R1D独立地是氰基、C1-C6烷基、C1-C6卤代烷基、C1-C6烷氧基或C2-C6烷基羰基；每个R3A独立地是C1-C4烷基或C1-C4卤代烷基；每个R3B独立地是H、C1-C4烷基或C1-C4卤代烷基；每个R3C独立地是H或C1-C4烷基；每个R3D独立地是H、氨基、C1-C4烷基或C1-C4烷基氨基；每个R3F独立地是羟基、卤素、氰基、硝基、C1-C6烷基、C1-C6卤代烷基、C1-C6烷氧基或C1-C6卤代烷氧基；并且每个R3G独立地是氰基、C1-C6烷基、C1-C6卤代烷基、C1-C6烷氧基或C2-C6烷基羰基。更具体地，本专利技术涉及一种式1的化合物，包括所有几何和立体异构体、其N-氧化物或盐。本专利技术还涉及一种除草组合物，该除草组合物包含除草有效量的本专利技术的化合物和至少一种选自由表面活性剂、固体稀释剂和液体稀释剂组成的组的附加组分。本专利技术还涉及一种除草组合物，该除草组合物包含(a)本专利技术的化合物和(b)至少一种其他除草剂(例如，至少一种具有相同或不同作用位点的其他除草剂)。本专利技术还涉及一种用于控制不希望植被的生长的方法，该方法包括使植被或其环境与除草有效量的本专利技术的化合物(例如，作为在此所述的组合物)接触。本专利技术还包括一种除草混合物，该除草混合物包含(a)选自式1、其N-氧化物和盐的化合物，以及(b)至少一种选自如下所述的(b1)至(b16)、和(b1)至(b16)的化合物的盐的附加活性成分。专利技术详述如在此所用，术语“包含”、“包含着”、“包括”、“包括着”、“具有”、“具有着”、“含有”、“含有着”、“特征在于”或其任何其他变型旨在覆盖非排他性的包括，以任何明确指明的限定为条件。例如，包含一系列元素的组合物、混合物、工艺、方法、制品、或设备不必仅限于那些元素，而是可以包括其他未明确列出的元素，或此类组合物、混合物、工艺、方法、制品或设备固有的元素。连接短语“由...组成”排除任何未指出的元素、步骤或成分。如果在权利要求中，则此类短语将使权利要求为封闭式，使其不包含除那些描述的材料以外的材料，但与其相关的常规杂质除外。当短语“由...组成”出现在权利要求的主体的子句中，而非紧接前序部分时，其仅限制在该子句中提到的元素；其他元素不作为整体从权利要求中被排除。连接短语“基本上由...组成”用于限定除了字面披露的那些以外还包括材料、步骤、特征、组分、或元素的组合物、方法、或设备，前提是这些附加的材料、步骤、特征、组分、或元素不会实质影响请求保护的专利技术的基本和新颖特征。术语“基本上由...组成”居于“包含”和“由...组成”中间。当申请人已经用开放式术语如“包含着”定义了本专利技术或其一部分时，则应易于理解(除非另外指明)，说明书应被解释为还使用术语“基本上由...组成”或“由...组成”描述本专利技术。此外，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化合物，该化合物选自式1、其N‑氧化物和盐，

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.18 US 62/134,6651.一种化合物，该化合物选自式1、其N-氧化物和盐，其中Q是任选地被1至4个R1取代的5元或6元芳族杂环；Z是O或S；每个R1独立地是卤素、氰基、硝基、SF5、CHO、C(＝O)NH2、C(＝S)NH2、SO2NH2、C1-C4烷基、C2-C4烯基、C2-C4炔基、C1-C4卤代烷基、C2-C4卤代烯基、C2-C4卤代炔基、C3-C6环烷基、C3-C6卤代环烷基、C4-C8烷基环烷基、C4-C8环烷基烷基、C2-C6烷基羰基、C2-C6卤代烷基羰基、C2-C6烷氧基羰基、C3-C7环烷基羰基、C2-C8烷基氨基羰基、C3-C10二烷基氨基羰基、C1-C4烷氧基、C3-C4烯氧基、C3-C4炔氧基、C1-C4卤代烷氧基、C3-C4卤代烯氧基、C3-C4卤代炔氧基、C3-C6环烷氧基、C3-C6卤代环烷氧基、C4-C8环烷基烷氧基、C2-C6烷氧基烷基、C2-C6卤代烷氧基烷基、C2-C6烷氧基卤代烷基、C2-C6烷氧基烷氧基、C2-C4烷基羰基氧基、C2-C6氰基烷基、C2-C6氰基烷氧基、C1-C4羟烷基、C2-C4烷基硫代烷基、SOnR1A、Si(CH3)3或B(-OC(R1B)2C(R1B)2O-)；或是任选地被独立地选自R1C的最高达5个取代基取代的苯环；或是包含选自碳原子和最高达4个杂原子的环成员的5-或6-元杂环，所述杂原子独立地选自最高达2个O、最高达2个S和最高达4个N原子，每个环任选地被最高达3个取代基取代，在碳原子环成员上所述取代基独立地选自R1C并且在氮原子环成员上所述取代基独立地选自R1D；R2是卤素、氰基、硝基、C1-C4烷氧基、C1-C4烷基、C2-C6烯基、C2-C6炔基、SOnR2A、C1-C4卤代烷基或C3-C6环烷基；每个R3独立地是卤素、氰基、羟基、硝基、氨基、CHO、C(＝O)NH2、C(＝S)NH2、SO2NH2、C1-C4烷基、C2-C4烯基、C2-C4炔基、C1-C4卤代烷基、C2-C4卤代烯基、C2-C4卤代炔基、C3-C6环烷基、C3-C6卤代环烷基、C4-C8烷基环烷基、C4-C8环烷基烷基、C2-C6烷基羰基、C2-C6卤代烷基羰基、C2-C6烷氧基羰基、C3-C7环烷基羰基、C1-C4烷氧基、C3-C4烯氧基、C3-C4炔氧基、C1-C4卤代烷氧基、C3-C4卤代烯氧基、C3-C4卤代炔氧基、C3-C6环烷氧基、C3-C6卤代环烷氧基、C4-C8环烷基烷氧基、C2-C6烷氧基烷基、C2-C6卤代烷氧基烷基、C2-C6烷氧基卤代烷基、C2-C6烷氧基烷氧基、C2-C4烷基羰基氧基、C2-C6氰基烷基、C2-C6氰基烷氧基、C2-C4烷基硫代烷基、Si(CH3)3、C≡CSi(CH3)3、C(＝O)N(R3A)(R3B)、C(＝NOR3C)H、C(＝NR3D)H或SOnR3E；或是任选地被独立地选自R3F的最高达5个取代基取代的苯环；或是包含选自碳原子和最高达4个杂原子的环成员的5-或6-元杂环，所述杂原子独立地选自最高达2个O、最高达2个S和最高达4个N原子，每个环任选地被最高达3个取代基取代，在碳原子环成员上所述取代基独立地选自R3F并且在氮原子环成员上所述取代基独立地选自R3G；或嘧啶氧基；m是0、1、2或3；每个n独立地是0、1或2；每个R1A、R2A和R3E独立地是C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷基氨基或C2-C6二烷基氨基；每个R1B独立地是H或C1-C4烷基；每个R1C独立地是羟基、卤素、氰基、硝基、C1-C6烷基、C1-C6卤代烷基、C1-C6烷氧基或C1-C6卤代烷氧基；每个R1D独立地是氰基、C1-C6烷基、C1-C6卤代烷基、C1-C6烷氧基或C2-C6烷基羰基；每个R3A独立地是C1-C4烷基或C1-C4卤代烷基；每个R3B独立地是H、C1-C4烷基或C1-C4卤代烷基；每个R3C独立地是H或C1-C4烷基；每个R3D独立地是H、氨基、C1-C4烷基或C1-C4烷基氨基；每个R3F独立地是羟基、卤素、氰基、硝基、C1-C6烷基、C1-C6卤代烷基、C1-C6烷氧基或C1-C6卤代烷氧基；并且每个R3G独立地是氰基、C1-C6烷基、C1-C6卤代烷基、C1-C6烷氧基或C2-C6烷基羰基。2.如权利要求1所述的化合物，其中Q选自Q-1至Q-64r是0、1、2或3；s是0或1；每个R1独立地是卤素、氰基、SF5、CHO、C1-C4烷基、C2-C4烯基、C2-C4炔基、C1-C4卤代烷基、C2-C4卤代烯基、C2-C4卤代炔基、C2-C6烷基羰基、C2-C6卤代烷基羰基、C2-C6烷氧基羰基、C1-C4烷氧基、C3-C4烯氧基、C3-C4炔氧基、C1-C4卤代烷氧基、C3-C4卤代烯氧基、C3-C4卤代炔氧基、C2-C6烷氧基烷基、C2-C6卤代烷氧基烷基、C2-C6氰基烷基、C1-C4羟烷基、C2-C4烷基硫代烷基或SOnR1A；R3独立地是卤素、氰基、CHO、C1-C4烷基、C2-C4烯基、C2-C4炔基、C1-C4卤代烷基、C2-C4卤代烯基、C2-C4卤代炔基、C3-C6环烷基、C3-C6卤代环烷基、C4-C8烷基环烷基、C2-C6烷基羰基、C2-C6卤代烷基羰基、C2-C6烷氧基羰基、C1-C4烷氧基、C3-C4烯氧基、C3-C4炔氧基、C1-C4卤代烷氧基、C3-C4卤代烯氧基、C3-C4卤代炔氧基、C3-C6环烷氧基、C3-...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·P·雷迪，N·R·德普雷，Y·陈，
申请(专利权)人：杜邦公司，
类型：发明
国别省市：美国,US