By the LTCC device composition for preparing dielectric containing precursor material mixtures, the composition produced by forming a dielectric material containing barium tungsten silicon substrate.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】低K值和中K值LTCC介电组合物及装置
本专利技术涉及介电组合物,且更特别地涉及介电常数K=6-12或者高达约50同时具有非常高Q因子的钡-硅-钨酸盐基介电组合物,其可用于具有贵金属金属化的低温共烧陶瓷(LTCC)应用。
技术介绍
现有技术中用于无线应用的LTCC系统的材料使用介电常数K=4-8并且在1MHz的测量频率下的Q因子为约500-1,000的电介质。这通常通过使用混合有高浓度的BaO-CaO-B2O3低软化温度玻璃的陶瓷粉末来实现,所述高浓度的BaO-CaO-B2O3低软化温度玻璃使得陶瓷能够低温致密(875℃或更低)。这种大量的玻璃具有降低所述陶瓷Q值的不利影响。
技术实现思路
本专利技术涉及介电组合物,且更特别地涉及钡-硅-钨酸盐基的介电组合物,其具有介电常数K=6-12或者高达约50,例如约1至约50,或约6至约45同时具有非常高的Q因子,并且可用于具有贵金属金属化的低温共烧陶瓷(LTCC)应用。Q因子=1/Df,其中Df为介电损耗角正切。用于高频应用的具有大于1,000的非常高的Q值的介电材料的需求不断增长。本专利技术还涉及一种介电材料组合物,其在烧制成致密陶瓷体时符合COG规范的行业标准,同时保持高Q值,例如Q值(在1MHz的测量频率下)大于1000、2000、5000、10000、15000、20000、30000、40000、50000或上述值之间的任何值,或甚至更高。广泛地说,本专利技术的陶瓷材料包含一个基体,所述基体通过将合适量的BaCO3、WO3和SiO2混合,并将这些材料在水性介质中一起研磨至粒度D50为约0.2至1.5微米来制 ...
【技术保护点】
一种包含前体材料混合物的组合物,其经烧制形成包含钡‑钨‑硅氧化物基体材料的不含铅且不含镉的介电材料。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.02.27 US 62/121,582;2015.03.13 US 62/132,632;1.一种包含前体材料混合物的组合物,其经烧制形成包含钡-钨-硅氧化物基体材料的不含铅且不含镉的介电材料。2.根据权利要求1所述的组合物,其中所述介电材料的介电常数为1至50。3.一种基体材料,其包含:(i)30-50重量%的BaO,(ii)545-65重量%的WO3,(iii)1-10重量%的SiO2,(iv)不含铅,以及(v)不含镉。4.一种不含铅且不含镉的介电材料,其在烧制前包含:(a)80-99.9重量%的权利要求3所述的基体材料以及(b)8-13重量%的BaSiO3,(c)0.5-3重量%的BaCO3,(d)0.5-3重量%的H3BO3,(e)0.1-1重量%的LiF和(f)0至0.5重量%的CuO,或上述任何物质的氧化物等同物。5.一种不含铅且不含镉的介电材料,其在烧制前包含:(a)90-99.9重量%的权利要求4所述的基体材料以及(b)0.2-3重量%的BaCO3,(c)10-3重量%的H3BO3,(d)0-1重量%的LiF,(e)0-0.5重量%CuO,(f)0-1.5重量%的Li2CO3,(g)0-1重量%的SiO2,或上述任何物质的氧化物等同物。6.一种不含铅且不含镉的介电材料,其在烧制前包含:(a)37-99.7重量%的权利要求4所述的基体材料以及(b)0.1-2重量%的BaCO3,(c)0.1-5重量%的H3BO3,(d)0.1至1重量%的CuO,(e)0.1-2重量%的Li2CO3,(f)0-5重量%的SiO2,(g)0-1重量%的ZrO2,(h)0-10重量%的ZnO,(i)0-15重量%的SrTiO3,和(j)0-50重量%的CaTiO3。或上述任何物质的氧化物等同物。7.一种不含铅且不含镉的组合物,其包含前体混合物,所述组合物经烧制形成不含铅且不含镉的包括以下物质的介电材料:(a)10-55重量%的BaO,(b)15-60重量%的WO3,(c)0.5-15重量%的SiO2,(d)0-27重量%的CaO,(e)0-35重量%的TiO2,(f)0-15重量%的SrO,(g)0.05-5重量%的B2O3,(h)0.05-5重量%的Li2O,(i)0-5重量%的LiF,(j)0-5重量%的CuO,和(k)0-10重量%的ZnO。8.根据权利要求1-7中任一项所述的不含铅且不含镉的介电材料,其中烧制后,经烧制的组合物在1MHz条件下测量时的Q值为至少20000。9.根据权利要求1-7中任一项所述的不含铅且不含镉的介电材料,其中烧制后,经烧制的组合物在1MHz条件下测量时的介电损耗角正切Df小于0.00005。10.根据权利要求1-7中任一项所述的不含铅且不含镉的介电材料,其中烧制后,经烧制的组合物的介电常数K为6-45。11.一种电气或电子部件,其在烧制前包含权利要求1-7中任一项所述的不含铅且不含镉的介电材料,以及一种导电糊料,所述导电糊料包括以下物质:a.60-90重量%的Ag+Pd+Pt+Au,b.1-10重量%的选自过渡金属的硅化物、碳化物、氮化物和硼化物的添加剂,c.0.5-10重量%的至少一种玻璃料,d.10-40重量%的有机物部分。12.根据权利要求11所述的电气或电子部件,其中所述电气或电子部件选自高Q谐振器、电磁干扰滤波器、带通滤波器、无线封装系统及其组合。13.一种形成电子部件的方法,其包括:(a1)将权利要求1-7中任一项所述的介电组合物施加到基底上,或(a2)将包含权利要求1-7中任一项所述介电组合物的带材施加到基底上,或(a3)将权利要求1-7中任一项所述介电组合物的多个颗粒压实以形成单片...
【专利技术属性】
技术研发人员:小沃尔特·J·赛姆斯,
申请(专利权)人:费罗公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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