TFT基板的制作方法及液晶显示装置的制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种TFT基板的制作方法及液晶显示装置的制作方法。该TFT基板的制作方法，利用一半色调光罩图案化位于钝化层上的光阻层形成相互间隔的第一光阻区域、第二光阻区域，并对钝化层及栅极绝缘层进行干蚀刻，在栅极绝缘层上形成凹槽，之后对第一光阻区域、第二光阻区域进行灰化处理保留部分第一光阻区域、及部分第二光阻区域，该部分第二光阻区域包括相互间隔的第一、第二子区域，继续对钝化层及栅极绝缘层进行干蚀刻从而形成分别暴露第一金属层、及第二金属层的第一过孔、及第二过孔，能够有效地避免第二金属层在干蚀刻过程中过早的暴露而受等离子体轰击在其表面形成金属化合物，提升第二金属层与外部的电路的连接效果，提升产品的品质。

Manufacturing method of TFT substrate and manufacturing method of liquid crystal display device

The invention provides a manufacturing method of TFT substrate and the manufacturing method of the liquid crystal display device. The manufacturing method of TFT substrate, using a half tone mask in the patterned photoresist layer is formed on the passivation layer spaced first photoresist region, second photoresist area and the passivation layer and the gate insulating layer is dry etched, the gate insulating layer formed on the groove, after a photoresist area, second light drag area to retain part of the first photoresist ashing treatment area, and part of the second light blocking region, the part of the second light blocking region includes a first and second sub regions spaced from each other, continue on the passivation layer and the gate insulating layer is dry etched to form a first metal layer, and were exposed to the two metal layer, and the first through hole two through holes, can effectively avoid the second metal layer in dry etching process exposed prematurely by plasma bombardment to form a metal compound on the surface of metal layer increased second Connect with external circuit to improve product quality.

【技术实现步骤摘要】
TFT基板的制作方法及液晶显示装置的制作方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种TFT基板的制作方法及液晶显示装置的制作方法。
技术介绍
液晶显示装置(LiquidCrystalDisplay，LCD)是目前最广泛使用的平板显示器之一，液晶面板是液晶显示装置的核心组成部分。液晶面板通常是由一彩色滤光片基板(ColorFilterSubstrate，CFSubstrate)、一薄膜晶体管阵列基板(ThinFilmTransistorArraySubstrate，TFTArraySubstrate)以及一配置于两基板间的液晶层(LiquidCrystalLayer)所构成。一般阵列基板、彩色滤光片基板上分别设置像素电极、公共电极。当电压被施加到像素电极与公共电极便会在液晶层中产生电场，该电场决定了液晶分子的取向，从而调整入射到液晶层的光的偏振，使液晶面板显示图像。作为平板显示器中的佼佼者，液晶显示装置由于具有低的功耗、优异的画面品质以及较高的生产良率等性能，目前已经逐渐地占据了显示领域的主导地位。现有技术在制作液晶显示装置的TFT基板的过程中，需要设置多层金属层，以构成TFT基板中的数据线、栅极线、以及TFT器件的栅极、源极及漏极，而为了将金属层与外部的电路连接，往往需要在金属层上方的绝缘层上形成过孔，以暴露出金属层的部分供外部的电路与其连接。具体地，请参阅图1及图2，现有的TFT基板在进行制作时，首先，在衬底基板100’上依次制作第一金属层200’、覆盖第一金属层200’的栅极绝缘层300’、于栅极绝缘层300’上的第二金属层400’、及覆盖第二金属层400’的钝化层500’，并在钝化层500’上涂布光阻层600’，利用一光罩(mask)对光阻层600’进行图案化，形成相互间隔间隔的第一光阻区域610’、第二光阻区域620’和第三光阻区域630’；接着，通过蚀刻制程对钝化层500’及栅极绝缘层300’进行干蚀刻，移除未被所述第一光阻区域610’、第二光阻区域620’和第三光阻区域630’覆盖的钝化层500’及栅极绝缘层300’，形成第一过孔510’和第二过孔520’，所述第一过孔510’贯穿钝化层500’及栅极绝缘层300’而暴露第一金属层200’，所述第二过孔520’贯穿钝化层500’而暴露第二金属层400’。由于第一过孔510’及第二过孔520’为同一次蚀刻制程形成，在形成暴露出第二金属层400’的第二过孔520’后，蚀刻制程并不会停止，而是继续对钝化层500’及栅极绝缘层300’进行蚀刻，直至形成暴露出第一金属层200’的第一过孔510’为止，此过程中，第二金属层400’暴露的部分会受蚀刻制程中的等离子体(plasma)的轰击而在其表面形成金属化合物(例如，采用铜制作第二金属层400’，在其受等离子体轰击后会形成铜化合物)，导致第二金属层400’损伤(damage)，影响第二金属层400’与外部的电路的连接效果。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种TFT基板的制作方法，能够避免在第一金属层及第二金属层上形成过孔的过程中第二金属层过早暴露而形成金属化合物，提升第二金属层与外部的电路的连接效果。本专利技术的另一目的在于提供一种液晶显示装置的制作方法，能够避免在第一金属层及第二金属层上形成过孔的过程中第二金属层过早暴露而形成金属化合物，提升第二金属层与外部的电路的连接效果。为实现上述目的，本专利技术首先提供一种TFT基板的制作方法，包括如下步骤：步骤S1、提供衬底基板，在衬底基板上依次形成第一金属层、覆盖第一金属层的栅极绝缘层、于栅极绝缘层上的第二金属层、及覆盖第二金属层的钝化层；步骤S2、在所述钝化层上形成光阻层，利用一半色调光罩对所述光阻层进行图案化，形成相互间隔的第一光阻区域和第二光阻区域；步骤S3、通过蚀刻制程对钝化层及栅极绝缘层进行干蚀刻，移除未被第一光阻区域、第二光阻区域覆盖的钝化层及部分栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上形成凹槽，所述凹槽的底面位于栅极绝缘层中；步骤S4、对第一光阻区域、第二光阻区域进行灰化处理，保留部分第一光阻区域、部分第二光阻区域，所述部分第二光阻区域包括相互间隔的第一子区域和第二子区域；步骤S5、通过蚀刻制程对钝化层及栅极绝缘层进行干蚀刻，移除未被所述部分第一光阻区域、部分第二光阻区域覆盖的钝化层及栅极绝缘层，形成第一过孔和第二过孔，所述第一过孔贯穿钝化层及栅极绝缘层以暴露第一金属层，所述第二过孔贯穿钝化层以暴露第二金属层。所述第二光阻区域包括中间部和位于所述中间部两侧的侧部，所述中间部的厚度小于所述侧部的厚度，所述第一光阻区域的厚度等于所述侧部的厚度；所述步骤S4中的灰化处理包括：去除第二光阻区域的中间部并减少两侧部的厚度，形成第一子区域和第二子区域；减少第一光阻区域的厚度，形成部分第一光阻区域。所述TFT基板的制作方法还包括步骤S6、去除所述部分第一光阻区域、部分第二光阻区域。所述凹槽的底面与第一金属层上表面间的距离满足：D＝H×S；其中，D为凹槽的底面与第一金属层上表面间的距离，H为第二金属层上方的钝化层的厚度，S为栅极绝缘层的刻蚀速率与钝化层的刻蚀速率的比值。所述第一金属层材料为钼、钛、铝、银、及铜中的一种或多种的组合。所述第二金属层材料为钼、钛、铝、银、及铜中的一种或多种的组合。所述第二金属层的材料为铜。所述衬底基板材料为玻璃或柔性材料。所述栅极绝缘层、及钝化层的材料包括氧化硅、及氮化硅中的至少一种。本专利技术还提供一种液晶显示装置的制作方法，采用如上所述的TFT基板的制作方法制作TFT基板。本专利技术的有益效果：本专利技术提供的一种TFT基板的制作方法，利用一半色调光罩图案化位于钝化层上的光阻层形成相互间隔的第一光阻区域、第二光阻区域，并对钝化层及栅极绝缘层进行干蚀刻，在栅极绝缘层上形成凹槽，之后对第一光阻区域、第二光阻区域进行灰化处理保留部分第一光阻区域、及部分第二光阻区域，该部分第二光阻区域包括相互间隔的第一、第二子区域，继续对钝化层及栅极绝缘层进行干蚀刻从而形成分别暴露第一金属层、及第二金属层的第一过孔、及第二过孔，相比于现有技术，能够有效地避免第二金属层在干蚀刻过程中过早的暴露而受等离子体轰击在其表面形成金属化合物，提升第二金属层与外部的电路的连接效果，提升产品的品质。本专利技术提供的一种液晶显示装置的制作方法，能够避免在第一金属层及第二金属层上形成过孔的过程中第二金属层过早暴露而形成金属化合物，提升第二金属层与外部的电路的连接效果。附图说明为了能更进一步了解本专利技术的特征以及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本专利技术加以限制。附图中，图1及图2为现有的TFT基板的制作方法的示意图；图3为本专利技术的TFT基板的制作方法的流程图；图4为本专利技术的TFT基板的制作方法的步骤S1及步骤S2的示意图；图5为本专利技术的TFT基板的制作方法的步骤S3的示意图；图6为本专利技术的TFT基板的制作方法的步骤S4的示意图；图7为本专利技术的TFT基板的制作方法的步骤S5的示意图。具体实施方式为更进一步阐述本专利技术所采取的技术手段及其效果，以下结合本专利技术的优选实施例及其附图进行详细描述。请参阅图3，本专利技术提供一种TFT基板的制作方法，包括如下步骤：本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供衬底基板(100)，在衬底基板(100)上依次形成第一金属层(200)、覆盖第一金属层(200)的栅极绝缘层(300)、于栅极绝缘层(300)上的第二金属层(400)、及覆盖第二金属层(400)的钝化层(500)；步骤S2、在所述钝化层(500)上形成光阻层(600)，利用一半色调光罩对所述光阻层(600)进行图案化，形成相互间隔的第一光阻区域(610)和第二光阻区域(620)；步骤S3、通过蚀刻制程对钝化层(500)及栅极绝缘层(300)进行干蚀刻，移除未被第一光阻区域(610)、第二光阻区域(620)覆盖的钝化层(500)及部分栅极绝缘层(300)，在所述栅极绝缘层(300)上形成凹槽(310)，所述凹槽(310)的底面位于栅极绝缘层(300)中；步骤S4、对第一光阻区域(610)、第二光阻区域(620)进行灰化处理，保留部分第一光阻区域(630)、部分第二光阻区域(640)，所述部分第二光阻区域(640)包括相互间隔的第一子区域(641)和第二子区域(642)；步骤S5、通过蚀刻制程对钝化层(500)及栅极绝缘层(300)进行干蚀刻，移除未被所述部分第一光阻区域(630)、部分第二光阻区域(640)覆盖的钝化层(500)及栅极绝缘层(300)，形成第一过孔(510)和第二过孔(520)，所述第一过孔(510)贯穿钝化层(500)及栅极绝缘层(300)以暴露第一金属层(200)，所述第二过孔(520)贯穿钝化层(500)以暴露第二金属层(400)。...

【技术特征摘要】
1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供衬底基板(100)，在衬底基板(100)上依次形成第一金属层(200)、覆盖第一金属层(200)的栅极绝缘层(300)、于栅极绝缘层(300)上的第二金属层(400)、及覆盖第二金属层(400)的钝化层(500)；步骤S2、在所述钝化层(500)上形成光阻层(600)，利用一半色调光罩对所述光阻层(600)进行图案化，形成相互间隔的第一光阻区域(610)和第二光阻区域(620)；步骤S3、通过蚀刻制程对钝化层(500)及栅极绝缘层(300)进行干蚀刻，移除未被第一光阻区域(610)、第二光阻区域(620)覆盖的钝化层(500)及部分栅极绝缘层(300)，在所述栅极绝缘层(300)上形成凹槽(310)，所述凹槽(310)的底面位于栅极绝缘层(300)中；步骤S4、对第一光阻区域(610)、第二光阻区域(620)进行灰化处理，保留部分第一光阻区域(630)、部分第二光阻区域(640)，所述部分第二光阻区域(640)包括相互间隔的第一子区域(641)和第二子区域(642)；步骤S5、通过蚀刻制程对钝化层(500)及栅极绝缘层(300)进行干蚀刻，移除未被所述部分第一光阻区域(630)、部分第二光阻区域(640)覆盖的钝化层(500)及栅极绝缘层(300)，形成第一过孔(510)和第二过孔(520)，所述第一过孔(510)贯穿钝化层(500)及栅极绝缘层(300)以暴露第一金属层(200)，所述第二过孔(520)贯穿钝化层(500)以暴露第二金属层(400)。2.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第二光阻区域(620)包括中间部(621)和位于所述中间部(621)两侧的侧部(622)，所述中间...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐洪远，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44