一种通过光罩直接拼接形成的COA基板及显示面板制造技术

本发明专利技术实施例公开了一种通过光罩直接拼接形成的COA基板，包括：阵列基板；金属线，其形成在所述阵列基板上；第一色阻层，其形成在所述阵列基板上并部分位于所述金属线上；第二色阻层，其形成在所述阵列基板上并部分位于所述金属线上，所述第一色阻层和所述第二色阻层至少部分重叠设置；其中，所述金属线包括第一金属线，所述第一金属线与光罩直接拼接处对应，所述第一金属线的宽度比对应的所述第一色阻层和所述第二色阻层的第一重叠区域宽度大2μm‑6μm以使所述第一重叠区域位于所述第一金属线的范围内。本发明专利技术实施例还公开了一种显示面板。采用本发明专利技术，具有可改善由于光罩直接拼接技术过程中光罩偏移造成的显示不良的优点。

COA substrate and display panel directly formed by mask splicing

The embodiment of the invention discloses a COA substrate formed by direct mask stitching: array substrate; metal wire, which is formed on the array substrate; a first color layer, which is formed on the array substrate and partially in the metal line; second color resistance layer, which is formed the array substrate is located in part of the metal line, the color resistance layer and the second layer is at least partially overlapped color resistance; among them, the metal line includes a first metal line, the first metal line and direct mask stitching corresponding to the first metal line width than the first overlap area the width of 2 m corresponding to the first color blocking layer and the second color layer of 6 m in the first overlap area is located on the first metal line range. The embodiment of the invention also discloses a display panel. The invention has the advantages of improving the poor display caused by the offset of the light shield due to the direct splicing of the mask.

【技术实现步骤摘要】
一种通过光罩直接拼接形成的COA基板及显示面板
本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种通过光罩直接拼接形成的COA基板及显示面板。
技术介绍
目前大尺寸显示面板制作时，因产品尺寸超出光罩(mask)排版尺寸，需要拼接曝光才能将光罩图案转换到大尺寸显示面板上，目前应用的拼接技术包括光罩直接拼接技术，光罩直接拼接技术具体为：首先将光罩放置在基板一侧上方进行第一次曝光，然后将光罩移到与第一次曝光区域相邻的未曝光区域上进行第二次曝光，如果显示面板尺寸很大，可以进行多次曝光，此种光罩直接拼接技术解决了大尺寸显示面板的曝光问题。现有的显示面板包括COA(ColorFilterOnArray，阵列上彩色滤光片)基板，请参见图1a，所述COA基板包括阵列基板110、金属线、第一色阻层130和第二色阻层140，所述金属线形成在所述阵列基板110上，所述金属线包括第一金属线120，所述第一金属线120与光罩直接拼接处对应，所述第一色阻层130例如为红色色阻，所述第二色阻层140例如为绿色色阻，所述第一色阻层130和第二色阻层140形成在所述阵列基板110上并分别部分位于所述金属线上，所述第一色阻层1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种通过光罩直接拼接形成的COA基板，其特征在于，包括：阵列基板；金属线，其形成在所述阵列基板上；第一色阻层，其形成在所述阵列基板上并部分位于所述金属线上；第二色阻层，其形成在所述阵列基板上并部分位于所述金属线上，所述第一色阻层和所述第二色阻层至少部分重叠设置；其中，所述金属线包括第一金属线，所述第一金属线与光罩直接拼接处对应，所述第一金属线的宽度比对应的所述第一色阻层和所述第二色阻层的第一重叠区域宽度大2μm‑6μm以使所述第一重叠区域位于所述第一金属线的范围内。

【技术特征摘要】
1.一种通过光罩直接拼接形成的COA基板，其特征在于，包括：阵列基板；金属线，其形成在所述阵列基板上；第一色阻层，其形成在所述阵列基板上并部分位于所述金属线上；第二色阻层，其形成在所述阵列基板上并部分位于所述金属线上，所述第一色阻层和所述第二色阻层至少部分重叠设置；其中，所述金属线包括第一金属线，所述第一金属线与光罩直接拼接处对应，所述第一金属线的宽度比对应的所述第一色阻层和所述第二色阻层的第一重叠区域宽度大2μm-6μm以使所述第一重叠区域位于所述第一金属线的范围内。2.如权利要求1所述的通过光罩直接拼接形成的COA基板，其特征在于，所述第一金属线的中心线和所述第一重叠区域的中心线在水平面的投影重合。3.如权利要求1所述的通过光罩直接拼接形成的COA基板，其特征在于，所述第一金属线的宽度比对应的所述第一色阻层和所述第二色阻层的所述第一重叠区域宽度大3μm-5μm。4.如权利要求1所述的通过光罩直接拼接形成的COA基板，其特征在于，与所述第一金属线相邻的所述金属线的宽...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁继旺，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44