用于供电线路的控制设备制造技术

本发明专利技术涉及一种旨在被定位在电力供应线路的两个部分(2a、2b)之间的控制设备。根据一般特征，该设备包括双极型晶体管(3)，该双极型晶体管包括宽带隙半导体材料，其中发射极(4b)连接到供电线路的一个部分(2b)，并且集电极(4a)连接到供电线路的另一部分(2a)，并且该设备还包括被连接到所述晶体管的基极(4c)的控制装置(6)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于供电线路的控制设备专利技术背景本专利技术涉及电力供应的一般领域，更具体而言涉及连接在电力供应线路中的控制设备。为了控制在这样的线路中流动的电流，通常的做法是使用连接在电力供应线路中的设备。这样的设备还用来提供对诸如短路或闪电发生之类的某些事件的防护。这样的设备可以是电子控制的，并且它们通常被本领域技术人员称作固态功率控制器(SSPC)。它们以类似于电子断路器的方式工作。在这样的设备中可以观察到，电流被测得，并且根据该电流的测得的值作出关于如何控制绝缘栅双极型晶体管(IGBT)型或硅场效应晶体管(MOSFET)型上的金属氧化物的半导体组件(即，它要占用导通状态还是非导通状态)的决定。某些应用涉及在电力供应线路上使用高压直流(HVDC)。在这样的情况下，目前的设备就其损耗度、其集成度以及其提供的保护水平而言并不令人满意。本专利技术具体而言试图缓解这些弊端。专利技术目的及概述本专利技术通过提出一种布置在电力供应线路的两个部分之间的控制设备来满足这一需求。根据一般特征，该设备包括双极型晶体管，该双极型晶体管包括宽带隙半导体材料并且使其发射极连接到供电线路的一个部分，使其集电极连接到供电线路本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种被布置在电力供应线路的两个部分(2a、2b)之间的控制设备，所述设备的特征在于，所述设备包括双极型晶体管(3)，所述双极型晶体管(3)包括宽带隙半导体材料并且使其发射极(4b)连接到所述供电线路的一个部分(2b)，使其集电极(4a)连接到所述供电线路的另一部分(2a)，并且所述设备还包括被连接到所述晶体管的基极(4c)并被配置成在开环中操作的控制装置(6)。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.12.23 FR 14632061.一种被布置在电力供应线路的两个部分(2a、2b)之间的控制设备，所述设备的特征在于，所述设备包括双极型晶体管(3)，所述双极型晶体管(3)包括宽带隙半导体材料并且使其发射极(4b)连接到所述供电线路的一个部分(2b)，使其集电极(4a)连接到所述供电线路的另一部分(2a)，并且所述设备还包括被连接到所述晶体管的基极(4c)并被配置成在开环中操作的控制装置(6)。2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，其中所述控制装置(6)被配置成将电流递送到所述晶体管的基极，所述电流的值被选择以将在所述供电线路部分中流动的电流限制到最大值。3.根据权利要求1或权利要求2所述的设备，其特征在于，其中所述控制装置(6)包括开关，所述开关被配置成将所述晶体管的基极连接到所述设备的一个输入，以用于接收第一晶体管控制电流...

【专利技术属性】
技术研发人员：C·巴尔普，T·洛莫，
申请(专利权)人：赛峰电气与电源公司，
类型：发明
国别省市：法国,FR