改进型二级Colpitts混沌电路制造技术

本发明专利技术涉及一种基于电路产生超宽带混沌信号的电路，具体为改进型二级Colpitts混沌电路。解决现有标准型二级Colpitts混沌振荡器寄生电容使得集电极等效为与地短接，以及产生的混沌信号的基本频率较低，频谱存在尖峰，不平坦的问题。电路包括：第一电压源V1，第二电压源V2，第一三极管Q1，第二三级管Q2，第一电阻R1，第二电阻R2，第三电阻R3，第一电容C1，第二电容C2，第三电容C3，电感L1和电流源I1。本发明专利技术可以消除寄生电容对地短接的影响。使得谐振网络的总电容大大减小，不仅提高了电路所产生的混沌信号的基本频率，而且消除了原电路产生频谱的尖峰，频谱更加平坦，从原理上拓宽了Colpitts混沌电路的应用领域与范围以及应用效果。

Improved two stage Colpitts chaotic circuit

The invention relates to a circuit for generating ultra wideband chaotic signals based on a circuit, in particular to an improved two stage Colpitts chaotic circuit. The parasitic capacitance of the existing standard two stage Colpitts chaotic oscillator is solved, so that the collector is equivalent to the ground short connection, and the basic frequency of the chaotic signal generated is low, and the spectrum is peaked and uneven. The circuit includes a first voltage source V1, second V2 voltage source, a first triode Q1, level two or three Q2, the first resistor R1, second resistor R2, third resistor R3, the first C1 capacitor, a second capacitor C2, third capacitors C3, L1 inductance and current source I1. The invention can eliminate the influence of parasitic capacitance on ground short connection. The total capacitance of the resonant network is greatly reduced, not only improves the basic frequency of the chaotic signal generated by the circuit, but also eliminate the original circuit to generate spectral peak spectrum is more flat, from the principle of widening the application field of Colpitts circuit and scope and application effect.

【技术实现步骤摘要】
改进型二级Colpitts混沌电路
本专利技术涉及电子电路
，特别涉及一种基于电路产生超宽带混沌信号的电路，具体为改进型二级Colpitts混沌电路。
技术介绍
混沌是在确定系统中产生的不规则运动，混沌作为一种复杂的非线性运动行为，在物理学，气象学，电子学，信息学和经济学等领域得到了广泛的研究及应用。在过去的几十年中，基于Colpitts（考毕兹）的混沌振荡器已经受到了重大关注，但标准型二级Colpitts振荡器电路（混沌电路）由于使用晶体管会产生寄生效应，当电路频率很高时，寄生效应产生的寄生电容使得集电极等效为与地短接，从而破坏系统的振荡状态使得电路性能受到限制，同时，标准型二级Colpitts混沌振荡器产生的混沌信号其基本频率均不高于晶体管特征频率的3/10，且频谱存在尖峰，不平坦等问题，极大地限制了Colpitts混沌电路的应用领域与范围，以及应用效果。
技术实现思路
本专利技术解决现有二级Colpitts振荡器电路存在的上述缺陷和问题，提供一种改进型二级Colpitts混沌电路。本专利技术是采用如下技术方案实现的：改进型二级Colpitts混沌电路，包括第一电压源V1，第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改进型二级Colpitts混沌电路，其特征在于包括第一电压源V1，第二电压源V2，第一三极管Q1，第二三级管Q2，第一电阻R1，第二电阻R2，第三电阻R3，第一电容C1，第二电容C2，第三电容C3，电感L1和电流源I1；其中，第一电压源V1连接第一电阻R1的第一端，第一电阻R1的第二端连接第一电容C1的第一端，同时第一电阻R1的第二端连接第一三极管Q1的集电极，第一电容C1的第二端连接第一三极管Q1的发射极和第二电容的第一端，第二电容C2的第二端与第三电容C3的第一端连接，同时第二电容C2的第二端和第二三极管Q2的发射极连接，第一三极管Q1的发射极与第二三极管Q2的集电极连接，第二三极管Q...

【技术特征摘要】
1.一种改进型二级Colpitts混沌电路，其特征在于包括第一电压源V1，第二电压源V2，第一三极管Q1，第二三级管Q2，第一电阻R1，第二电阻R2，第三电阻R3，第一电容C1，第二电容C2，第三电容C3，电感L1和电流源I1；其中，第一电压源V1连接第一电阻R1的第一端，第一电阻R1的第二端连接第一电容C1的第一端，同时第一电阻R1的第二端连接第一三极管Q1的集电极，第一电容C1的第二端连接第一三极管Q1的发射极和第二电容的第一端，第二电容C2的第二端与第三电容C3的第一端连接，同时第二电容C2的第二端和第二三极管Q2的发射极连接，第一三极管Q1的发射极与第二三极管Q2的集电极连接，第二三极管Q2的发射极与电流源I1的第一端连接，第二电压源...

【专利技术属性】
技术研发人员：张朝霞，麻晓明，崔公哲，王娟芬，杨玲珍，薛萍萍，
申请(专利权)人：太原理工大学，
类型：发明
国别省市：山西,14