一类有机晶体管存储驻极体材料及其制备方法和应用技术

本发明专利技术涉及一类有机晶体管存储驻极体材料及其制备方法和应用，该方法以PVK(聚乙烯基咔唑)为起始物，通过傅克反应的方式引入各种基团，起到改变材料存储性能的目的。具体反应通式如下：

Organic transistor storage electret material, preparation method and application thereof

The invention relates to an organic transistor memory electret material and its preparation method and the application of this method to PVK (PVK) as the starting material, through the Friedel Crafts reaction way into various groups, to change the storage properties of materials to. The specific reaction is as follows:

【技术实现步骤摘要】
一类有机晶体管存储驻极体材料及其制备方法和应用
本专利技术属于有机半导体材料
，具体涉及一类电荷存储材料的制备合成方法，并涉及这些材料在有机晶体管电存储等领域的应用。
技术介绍
PVK(聚乙烯基咔唑)一直被用作高效的光电材料，最早被合成于1937年，它的使用可追溯的二战时期，自从在上世纪60年代被发现具有光电效应以后，对它的研究一直经久不衰。主要集中在发光及储存器方面研究，在专利技术主要关注PVK在存储器方面的应用。历来对PVK材料电荷产生的原因和传导机制都有大量研究，在二极管存储器的应用领域PVK也常被用作电荷存储材料[LingQ,SongY,DingSJ,ZhuC,ChanDSH,KwongDL,etal.Adv.Mater.2005,17(13):455-459.]。在晶体管存储器中也有单独使用PVK做驻极体层的报道[YiM,XieM,ShaoY,LiW,LingH,XieL,etal.J.Mater.Chem.C2015,3(20):5220-5225.]，被认为是既能捕获电荷又能起绝缘作用的材料。π堆积聚合物比共轭聚合物有更灵活的构象变化和对外界刺激的快速响应，从这个本文档来自技高网...

【技术保护点】
一类有机晶体管存储驻极体材料，其特征在于该材料的结构通式如下：

【技术特征摘要】
1.一类有机晶体管存储驻极体材料，其特征在于该材料的结构通式如下：式中：x，m为10～1000的自然数，y为1～500的自然数，Ar为叔醇类芳香基团。2.如权利要求1所述的一类有机晶体管存储驻极体材料，其特征在于所述的Ar为以下结构中的一种：以上各式中R1-R10为氢或具有1至22个碳原子的直链、支链或者环状烷基链或其烷氧基；W原子为S或Se。3.一种如权利要求1所述的一类有机晶体管存储驻极体材料的制备方法，其特征在于该制备方法是：各类叔醇通过三氟化硼乙醚催化的傅-克反应，实现聚乙烯基咔唑PVK与功能基团的共价键连接，其反应路线通式为：式中：n为10～1000的自然数，x，m为10～1000的自然数，y为1～500的自然数，BF3Et2O为三氟化硼...

【专利技术属性】
技术研发人员：解令海，冯全友，李亚彬，仪明东，凌海峰，常永正，黄维，
申请(专利权)人：南京邮电大学，
类型：发明
国别省市：江苏,32