压电陶瓷溅射靶材、无铅压电薄膜及压电薄膜元件制造技术

本发明专利技术提供一种在无铅压电薄膜的制造中可以充分地抑制漏电的发生的压电陶瓷溅射靶材。所述压电陶瓷溅射靶材以化学式(I)：ABO3所表示的钙钛矿型氧化物为主成分，其特征在于，所述化学式(I)的A成分至少含有K(钾)和/或Na(钠)，所述化学式(I)的B成分至少含有Nb(铌)、Ta(钽)和Zr(锆)中的至少一种(但是，必须有Nb(铌))，所述压电陶瓷溅射靶材由多个晶粒和存在于所述晶粒之间的晶界构成，所述晶界中所述B成分中Nb(铌)、Ta(钽)和Zr(锆)中的至少一种的摩尔比与所述晶粒的晶粒内的摩尔比相比多30％以上。

Piezoelectric ceramic sputtering target material, leadless piezoelectric film and piezoelectric film element

The present invention provides a piezoelectric ceramic sputtering target that can sufficiently suppress the occurrence of leakage in the manufacture of a lead-free piezoelectric film. The piezoelectric ceramic targets with chemical formula (I) perovskite type oxide:ABO3 represented by the main component, which is characterized in that the chemical formula (I) A composition containing at least K (k) and / or Na (sodium), the chemical formula (I) B composition containing at least Nb (NB) and Ta (TA) and Zr (Zr) at least one of the (but must have Nb (NB)), the piezoelectric ceramic sputtering target comprises a plurality of grain and grain boundary exists between the grains, the grain boundary in the B component in Nb (NB) Ta (TA), and Zr (Zr) molar ratio of grain in at least one molar ratio and the grain in more than 30%.

【技术实现步骤摘要】
压电陶瓷溅射靶材、无铅压电薄膜及压电薄膜元件
本专利技术涉及压电陶瓷溅射靶材、无铅压电薄膜以及使用其的压电薄膜元件。
技术介绍
已知有如果施加电场则产生机械应变和应力的显示所谓的压电现象的压电陶瓷。这样的压电陶瓷用于驱动器等的振动元件、发声体或传感器等。作为用于上述的压电陶瓷，最多的是利用具有优异的压电性的锆钛酸铅(Pb(Zr，Ti)O3)。然而，由于锆钛酸铅含有较多铅，因此，在最近，由于酸雨而造成的铅的溶出等对地球环境的影响被视作问题。因此，要求有代替锆钛酸铅的不含有铅的压电陶瓷，根据这种要求，提出有不含有铅的各种压电陶瓷。另一方面，电子部件要求进一步小型化、高性能化以及高可靠性，在压电部件中也有同样的倾向。大多压电部件使用通过烧结法制作的块体，但随着其厚度变薄，产生用于控制厚度的加工变得极其困难或晶体粒径的尺寸导致特性劣化这样的状况。作为解决其的方法之一，近年来热烈地进行有关利用了各种薄膜制作法的压电薄膜和使用其的元件应用的研究。例如，溅射法是代表性的薄膜制作法。其原理是，在氩等的惰性气体气氛中，通过在沉积薄膜的基板(阳极侧)和与其相对的由薄膜形成物质构成的靶(阴极侧)之间施加压本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种压电陶瓷溅射靶材，其特征在于，所述压电陶瓷溅射靶材以化学式(I)：ABO3所表示的钙钛矿型氧化物为主成分，所述化学式(I)的A成分至少含有K(钾)和/或Na(钠)，所述化学式(I)的B成分至少含有Nb(铌)、Ta(钽)和Zr(锆)中的至少一种，其中，必须含有Nb(铌)，所述压电陶瓷溅射靶材由多个晶粒和存在于所述晶粒之间的晶界构成，在所述晶界中的所述B成分中Nb(铌)、Ta(钽)和Zr(锆)中的至少一种的摩尔比与所述晶粒的晶粒内的所述摩尔比相比多30％以上。

【技术特征摘要】
2016.03.29 JP 2016-0648971.一种压电陶瓷溅射靶材，其特征在于，所述压电陶瓷溅射靶材以化学式(I)：ABO3所表示的钙钛矿型氧化物为主成分，所述化学式(I)的A成分至少含有K(钾)和/或Na(钠)，所述化学式(I)的B成分至少含有Nb(铌)、Ta(钽)和Zr(锆)中的至少一种，其中，必须含有Nb(铌)，所述压电陶瓷溅射靶材由多个晶粒和存在于所述晶粒之间的晶界构成，在所述晶界中的所述B成分中Nb(铌)、Ta(钽)和Zr(锆)中的至少一种的摩尔比与所述晶粒的晶粒内的所述摩尔比相...

【专利技术属性】
技术研发人员：东智久，七尾胜，佐野达二，古川正仁，石井健太，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP