一种悬挂式硅碳棒杂质收集器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种悬挂式硅碳棒杂质收集器，包括由连接端与若干硅碳棒烧结成一体的非金属高温加热元件，其特点是连接端上设有悬挂结构的储灰仓，所述储灰仓为悬挂在连接端下方收集氧化脱落物的船形托盘；所述悬挂结构为固定设置在储灰仓上的两挂钩，储灰仓由两挂钩悬挂在连接端的下方。本实用新型专利技术与现有技术相比具有结构简单，使用方便，有效防止硅碳棒的氧化杂质掉落在下部加热的原材料中，避免硅碳棒在使用过程中产生被氧化或氮化的物质脱落而造成产品的杂质污染，彻底解决了长期以来硅碳棒氧化杂质影响产品质量的问题，使得硅碳棒在正常使用状态下能安全有效、清洁地运行，进一步提高产品质量，降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种悬挂式硅碳棒杂质收集器
本技术涉及硅钼或硅碳棒加热元件
，具体地说是一种悬挂式硅碳棒杂质收集器。
技术介绍
硅碳棒是用高纯度绿色六方碳化硅为主要原料，按一定料比加工制坯，经2200℃高温硅化再结晶烧结而制成棒状、管状的非金属高温电热元件。硅碳棒氧化性气氛中正常使用温度可达1450℃，连续使用可达2000小时。硅碳棒根据不同的配比形成一定的电阻，通电后发热，其表面温度较高，硅碳棒有良好的化学稳定性，抗酸能力强。目前，硅碳棒加热元件一般都由连接端将若干根硅碳棒并联为一组加热元件，硅碳棒在通电后发热，高温条件下碱性物质对其有侵蚀作用，硅碳棒元件在1000℃以上长期使用能与氧气和水蒸气发生如下作用：⑴SiC+2O2→SiO2+CO2⑵SiC+4H2O=SiO2+4H2+CO2致使加热元件中的SiO2含量逐渐增多，电阻随之缓慢增加，为之老化。如水蒸气过多，会促进SiC氧化，由⑵式反应产生的H2与空气中的O2结合H2O再反应产生恶性循环，降低元件寿命。氢气(H2)能使加热元件机械强度降低。氮气(N2)在1200℃以下能防止SiC氧化，氮气在1350℃以上与SiC发生反应，使SiC分解出本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种悬挂式硅碳棒杂质收集器，包括由连接端（2）与若干硅碳棒（1）烧结成一体的非金属高温加热元件，其特征在于连接端（2）下设有悬挂结构（4）的储灰仓（3），所述储灰仓（3）为悬挂在连接端（2）下方收集氧化脱落物的船形托盘；所述悬挂结构（4）为固定设置在储灰仓（3）上的两挂钩，储灰仓（3）由两挂钩悬挂在连接端（2）的下方。

【技术特征摘要】
1.一种悬挂式硅碳棒杂质收集器，包括由连接端（2）与若干硅碳棒（1）烧结成一体的非金属高温加热元件，其特征在于连接端（2）下设有悬挂结构（4）的储灰仓（3），所述储灰仓（3）为悬挂在连接端（2）下方收集氧化脱落物的船形托盘...

【专利技术属性】
技术研发人员：王敉，
申请(专利权)人：上海华超电器科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31