基于跨导管本振开关融合结构的上变频器制造技术

本发明专利技术公开了一种基于跨导管本振开关融合结构的上变频器，将本振开关与跨导管融合，本振开关管产生中频电流并对其进行周期切换；射频本振信号通过电容耦合方式作用于本振晶体管，而中频信号则通过运放负反馈环路为本振管提供偏置电压；偏置电压与栅极之间通过电阻连接，实现本振信号和中频信号的隔离；电路通过在差分对两端跨接电阻的方式实现了输入电压电流转换，从而保证了较高的线性度。本发明专利技术将传统上混频电路的晶体管层叠数目从三个减少为两个，显著缓和了电压裕度；本振开关管的实际栅极电压为误差放大器的输出电压与本振信号的摆幅之和，因此本振开关管的源极电压可以进一步升高，从而提高尾电流源的输出阻抗并可以容纳更高电压摆幅。

【技术实现步骤摘要】
基于跨导管本振开关融合结构的上变频器
本专利技术涉及一种上变频器，尤其涉及一种基于跨导管本振开关融合结构的上变频器。
技术介绍
上变频器是射频发射链路中的一个核心模块，负责将模拟基带信号搬移至载波频率，通常应具备较高的线性度以防止输出频谱扩散。传统上变频结构通常用OTA和反馈实现高线性度电压-电流转换，将输入电压直接传递到电阻两端转化成线性电流，再通过本振开关级对电流进行频域变换。传统结构从上往下分别层叠了电流源、跨导级、本振开关级和负载级。在近阈值电压条件下，OTA的输出电压必须不低于两个过驱动电压、阈值电压、输入信号摆幅之和。考虑到OTA的输出电压与电源电压之间尚存在部分压降，该结构将很难获得可正常工作的电压裕度。若将尾电流源偏置在线性区以及降低信号摆幅以维持电路功能，则转换增益和线性度将面临严重的恶化。
技术实现思路
专利技术目的：针对以上问题，本专利技术提出一种基于跨导管本振开关融合结构的上变频器，可以工作在0.6V以下的电源电压下并保持较高的转换增益和线性度。技术方案：为实现本专利技术的目的，本专利技术所采用的技术方案是：一种基于跨导管本振开关融合结构的上变频器，包括本振开关和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于跨导管本振开关融合结构的上变频器，其特征在于：包括本振开关和跨导管，本振开关为RC耦合，本振开关产生中频电流并对其进行周期切换；本振信号通过电容耦合方式作用于晶体管，中频信号通过运放负反馈环路为晶体管提供偏置电压；偏置电压与晶体管栅极之间通过电阻连接，实现本振信号和中频信号的隔离；电路通过在差分对两端跨接电阻的方式实现输入电压‑电流转换。

【技术特征摘要】
1.一种基于跨导管本振开关融合结构的上变频器，其特征在于：包括本振开关和跨导管，本振开关为RC耦合，本振开关产生中频电流并对其进行周期切换；本振信号通过电容耦合方式作用于晶体管，中频信号通过运放负反馈环路为晶体管提供偏置电压；偏置电压与晶体管栅极之间通过电阻连接，实现本振信号和中频信号的隔离；电路通过在差分对两端跨接电阻的方式实现输入电压-电流转换。2.根据权利要求1所述的基于跨导管本振开关融合结构的上变频器，其特征在于：所述上变频器包括第一N型金属氧化物晶体管(N1)、第二N型金属氧化物晶体管(N2)、第三N型金属氧化物晶体管(N3)、第四N型金属氧化物晶体管(N4)、第五N型金属氧化物晶体管(N5)、第六N型金属氧化物晶体管(N6)、第一误差放大器(A1)、第二误差放大器(A2)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、第三电容(C3)、第四电容(C4)、第五电容(C5)、第六电容(C6)、第七电容(C7)、第一电感(L1)和第二电感(L2)；其中，第一N型金属氧化物晶体管(N1)的源极接地，第一N型金属氧化物晶体管(N1)的栅极接第一偏置电压，第一N型金属氧化物晶体管(N1)的漏极接第一误差放大器(A1)的负输入端；第一误差放大器(A1)的正输入端接输入中频信号正极，第一误差放大器(A1)的输出端接第二电阻(R2)的负极；第二电阻(R2)的正极接第三N型金属氧化物晶体管(N3)的栅极，第三N型金属氧化物晶体管(N3)的源极接第一N型金属氧化物晶体管(N1)的漏极，第三N型金属氧化物晶体管(N3)的漏极接上混频器输出正极；第二电容(C2)的正端接本振信号负极，第二电容(C2)的负端接第三N型金属氧化物晶体管(N3)的栅极；第四N型金属氧化物晶体管(N4)的源极接第一N型金属氧化物晶体管(N1)的漏极，第四N型金属氧化物晶体管(N4)的漏极接上变频器输出负极，第四N型金属氧化物...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈超，吴建辉，李红，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：江苏,32