一种铜锌镓硒四元半导体合金及其制备方法技术

本发明专利技术的目的在于提供一种铜锌镓硒四元半导体合金及其制备方法，所述铜锌镓硒四元半导体合金其元素组成的原子比为：铜：0.8‑1，镓：0.7‑1，锌：0‑0.3，硒：2‑2.5，其中锌的摩尔份数不能等于0。通过对该铜锌镓硒四元半导体合金的物相、半导体物理参数分析，测试结果显示铜锌镓硒四元半导体合金是物相均一的黄铜矿半导体合金，为P型半导体。

Copper, zinc, gallium and selenium four element semiconductor alloy and preparation method thereof

The purpose of the invention is to provide a $four copper zinc gallium selenide semiconductor alloy and preparation method thereof, wherein the copper zinc gallium selenide semiconductor alloy elements of its four yuan atomic ratio is 1: 0.8: copper, gallium: 0.7 1: 0, zinc 0.3, 2 2.5, including: selenium the zinc mole number not equal to 0. The copper zinc gallium selenide four semiconductor alloy phase and semiconductor physics parameter analysis, test results show that the copper zinc gallium selenide semiconductor alloy is four yuan chalcopyrite semiconductor alloy phase uniform, P type semiconductor.

【技术实现步骤摘要】
一种铜锌镓硒四元半导体合金及其制备方法
本专利技术属于合金领域，特别提供一种铜锌镓硒四元半导体合金及其制备方法。
技术介绍
太阳能等可再生能源技术代表了清洁能源的发展方向，作为最具可持续发展理想特征的太阳能电池将进入人类能源结构并成为基础能源的重要组成部分，大力开发和使用太阳能是人类解决未来替代能源问题、可再生循环利用资源问题和生态环境问题的必然选择。目前，太阳能电池还主要是硅基太阳能电池占绝对优势。晶体硅电池价格和生产过程中的高耗能、高污染是其致命缺陷。此外，由于晶体硅是间接带隙半导体，吸光系数低，因此晶体硅，包括单晶硅和多晶硅太阳能电池吸光层的厚度通常在200～300微米之间，这与无机薄膜太阳能电池厚度(1～2微米)相比，半导体材料的使用量相差了100倍以上。无机薄膜太阳能电池因为半导体材料用料少和光电转换效率高成为当前太阳能电池领域的一个研究热点。薄膜太阳能电池中，碲化镉(CdTe)，铜铟镓硒(CIGS)和非晶硅是三个最有应用前景的半导体材料。虽然铜铟镓硒薄膜电池具有高的转换效率，但是该电池的吸光层薄膜中含有金属铟，而铟在世界属于稀缺资源，全球预估铟储量仅5万吨，其中可开采的占本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铜锌镓硒四元半导体合金，其特征在于，所述铜锌镓硒四元半导体合金其元素组成的原子比为：铜：0.8‑1镓：0.7‑1锌：0‑0.3硒：2‑2.5其中锌的摩尔份数不能等于0。

【技术特征摘要】
1.一种铜锌镓硒四元半导体合金，其特征在于，所述铜锌镓硒四元半导体合金其元素组成的原子比为：铜：0.8-1镓：0.7-1锌：0-0.3硒：2-2.5其中锌的摩尔份数不能等于0。2.按照权利要求1所述铜锌镓硒四元半导体合金，其特征在于，所述铜锌镓硒四元半导体合金其元素组成的原子比为：铜：0.8-0.9镓：0.7-0.8锌：0.1-0.3硒：2-2.5。3.一种权利要求1所述铜锌镓硒四元半导体合金的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：将硒化铜、硒化锌、三硒化二镓三种原料装入石英玻璃试管中，对石英玻璃试管抽真空处理，封管，放入真空感应炉中；对真空感应炉...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔勇，熊良银，葛鹏，李明群，刘实，
申请(专利权)人：中国科学院金属研究所，
类型：发明
国别省市：辽宁,21