闪存的模拟方法与模拟器技术

本发明专利技术提供一种闪存的模拟方法与模拟器。此模拟器用以电性连接至一存储器控制器。此模拟方法包括：设定一预置反应条件；提供多个指令表，其中每一个指令表是对应至一个存储器类型；接收来自存储器控制器的第一指令；根据第一指令识别上述指令表中的第二指令；判断第二指令是否符合预置反应条件；根据预置反应条件，取得对应第二指令的第一信号；以及传送第一信号至存储器控制器。藉此，模拟器的使用会具有弹性。

Flash memory analog method and simulator

The invention provides an analog method and simulator for flash memory. The simulator is electrically connected to a memory controller. Including the simulation method: set a preset condition; providing a plurality of instruction list, each instruction list is corresponding to a type of memory; receiving instruction from the first memory controller; according to the first second instruction instruction recognition the instruction in table; determine the second instruction according to the preset reaction conditions according to the preset conditions; first, second signals corresponding to the instructions; and transmits the first signal to the memory controller. Thus, the use of the simulator will be elastic.

【技术实现步骤摘要】
闪存的模拟方法与模拟器
本专利技术是有关于一种闪存的模拟方法与模拟器。
技术介绍
数字相机、行动电话与MP3播放器在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对存储媒体的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器模块(例如，闪存)具有数据非易失性、省电、体积小，以及无机械结构等特性，所以非常适合内装在上述所举例的各种可携式多媒体装置中。一般来说，一个闪存会电性连接至一个存储器控制器，并由此存储器控制器下达指令。然而，在一些应用中，存储器控制器会电性连接至不同存储器类型的闪存，而不同存储器类型的闪存可能有不同的物体特性或内部操作。当存储器控制器与闪存之间的操作发生错误时，不容易发现是由于存储器控制器的操作发生错误或是闪存的操作发生错误。因此，如何产生一个用以模拟闪存的模拟器，使得此模拟器可被控制且可以支持不同的存储器类型，为此领域技术人员所关心的议题。
技术实现思路
本专利技术的实施例中提供一种闪存的模拟方法与模拟器，可以使模拟器支持不同的存储器类型。本专利技术一实施例提供一种闪存的模拟方法。此方法用于模拟器，而此模拟器用以电性连接至一存储器控制器。此模拟方法包括：设定一预置反应条件；提供多个指令表，其中每一个指令表是对应至一个存储器类型；接收来自存储器控制器的第一指令；根据第一指令识别上述指令表中的第二指令；判断第二指令是否符合预置反应条件；根据预置反应条件，取得对应第二指令的第一信号；以及传送第一信号至存储器控制器。在一实施例中，上述的第二指令为写入指令，并且写入指令是指示写入第一数据至第一存储器地址。此模拟方法还包括：将第一数据存储至模拟器中的一个缓存；通过模拟器的一个非闪存接口传送中断信号、写入指令与第一存储器地址至一个数据处理单元，其中数据处理单元用以根据预置反应条件产生上述的第一信号；以及由数据处理单元通过非闪存接口从缓存中读取第一数据并且将第一数据存储至数据处理单元中。在一实施例中，上述的第二指令为一读取指令，并且读取指令是指示读取第二存储器地址。此模拟方法还包括：通过模拟器的非闪存接口传送中断信号、读取指令与第二存储器位置至数据处理单元，其中数据处理单元用以根据预置反应条件产生第一信号；以及由数据处理单元通过非闪存接口将对应于第二存储器地址的第二数据写入至模拟器的缓存中。在一实施例中，上述的模拟方法还包括：提供存储器控制器所述存储器类型的其中之一的识别信息。在一实施例中，上述的指令表包括第一指令表，第一指令表包括多个第三指令。其中根据第一指令识别指令表中的第二指令的步骤包括：根据一个指标从一个阵列中取得第一指令；判断第一指令是否符合第三指令的其中之一；若第一指令符合第三指令的其中之一，更新指标；以及若第一指令不符合第三指令的其中之一，维持指标不变。其中第一指令符合的第三指令为第二指令。在一实施例中，上述的模拟方法还包括：若第一指令符合第三指令的其中之一，产生一重置信号。其中重置信号指示开始识别阵列中的第四指令，而第四指令的阵列顺序是在第一指令的阵列顺序之后。在一实施例中，上述的模拟方法还包括：若第一指令符合第三指令的其中之一，传送一忙碌信号给存储器控制器。在一实施例中，上述的模拟方法还包括：若第一指令符合第三指令的其中之一，传送一中断信号给数据处理单元以通知第二指令。以另外一个角度来说，本专利技术一实施例提供一种模拟器，用以模拟闪存。此模拟器包括：闪存接口、检测器、处理机与非闪存接口。闪存接口是用以电性连接至存储器控制器，并且接收来自存储器控制器的第一指令。检测器是电性连接至闪存接口，用以提供多个指令表。其中每一个指令表是对应至一存储器类型，并且检测器用以根据第一指令识别这些指令表中的第二指令。处理机是电性连接至检测器。非闪存接口是电性连接至处理机，用以电性连接至一数据处理单元。数据处理单元用以设定一预置反应条件，并且判断第二指令是否符合预置反应条件。处理机用以根据预置反应条件，取得对应第二指令的第一信号，并且传送第一信号至存储器控制器。在一实施例中，上述的第二指令为写入指令，并且此写入指令是指示写入第一数据至第一存储器地址。此外，模拟器还包括一缓存。处理机还用以将第一数据存储至缓存，并且通过非闪存接口传送中断信号、写入指令与第一存储器地址至数据处理单元。数据处理单元用以根据预置反应条件产生第一信号。并且，数据处理单元会通过非闪存接口读取缓存中的第一数据，并且将第一数据存储至数据处理单元中。在一实施例中，上述的第二指令为读取指令，并且此读取指令是指示读取第二存储器地址。处理机会通过非闪存接口传送中断信号、读取指令与第二存储器位置至数据处理单元。数据处理单元用以根据预置反应条件产生第一信号，并且数据处理单元会通过非闪存接口将对应于第二存储器地址的第二数据写入至缓存中。在一实施例中，上述的处理机还用以提供存储器控制器所述存储器类型的其中之一的识别信息。在一实施例中，上述的指令表包括第一指令表，而第一指令表包括多个第三指令。上述的检测器包括子单元，并且此子单元包括指标生成器、多路复用器、指令分析器与比较器。指标生成器是用以产生一指标。多路复用器是电性连接至指标生成器，用以根据指标从一阵列中取得第一指令。指令分析器是电性连接至多路复用器，用以分析第一指令以产生分析结果。比较器，电性连接至指令分析器与指标生成器，用以根据此分析结果判断第一指令是否符合第三指令的其中之一。若第一指令符合第三指令的其中之一，指标生成器用以更新指标。其中第一指令符合的第三指令为第二指令。若第一指令不符合第三指令的其中之一，指标生成器用以维持指标不变。在一实施例中，上述的子单元还包括一重置信号生成器。若第一指令符合第三指令的其中之一，重置信号生成器用以产生重置信号。此重置信号指示开始识别阵列中的第四指令，并且第四指令的阵列顺序是在第一指令的阵列顺序之后。在一实施例中，上述的子单元还包括一忙碌信号生成器。若第一指令符合第三指令的其中之一，忙碌信号生成器用以传送一忙碌信号给存储器控制器。在一实施例中，上述的子单元还包括一中断信号生成器。若第一指令符合第三指令的其中之一，中断信号生成器用以传送中断信号给数据处理单元以通知第二指令。基于上述，本专利技术实施例所提供的模拟方法与模拟器，可以支持不同的存储器类型。并且，每一个存储器类型所对应的指令表可以被更新。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。附图说明图1是示出存储器存储装置的概要方块图；图2是一实施例示出模拟闪存的系统示意图；图3是一实施例示出一个子单元的操作示意图；图4是一实施例示出闪存的模拟方法的流程图。附图标记说明100：存储器存储装置；101：主机系统；102：连接器；104：存储器控制器106：可复写式非易失性存储器；108(0)～108(A)：实体删除单元；200：模拟器；202：闪存接口；210：检测器；211～214：子单元；220：处理机；230：非闪存接口；240：缓存；250：数据处理单元；310：阵列；311、312：指令；320：指标生成器；330：多路复用器；340：指令分析器；350：比较器；360：指令表；370：忙碌信号生成器；380：重置信号生成器；390：中断信号生成器；S402、S404、S406、S408、S41本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种闪存的模拟方法，用于一模拟器，其特征在于，该模拟器用以电性连接至一存储器控制器，该模拟方法包括：设定一预置反应条件；提供多个指令表，其中每一该些指令表是对应至一存储器类型；接收来自该存储器控制器的一第一指令；根据该第一指令识别指令表中的一第二指令；判断该第二指令是否符合该预置反应条件；根据该预置反应条件，取得对应该第二指令的一第一信号；以及传送该第一信号至该存储器控制器。

【技术特征摘要】
1.一种闪存的模拟方法，用于一模拟器，其特征在于，该模拟器用以电性连接至一存储器控制器，该模拟方法包括：设定一预置反应条件；提供多个指令表，其中每一该些指令表是对应至一存储器类型；接收来自该存储器控制器的一第一指令；根据该第一指令识别指令表中的一第二指令；判断该第二指令是否符合该预置反应条件；根据该预置反应条件，取得对应该第二指令的一第一信号；以及传送该第一信号至该存储器控制器。2.根据权利要求1所述的模拟方法，其特征在于，该第二指令为一写入指令，并且该写入指令是指示写入一第一数据至一第一存储器地址，该模拟方法还包括：将该第一数据存储至该模拟器中的一缓存；通过该模拟器的一非闪存接口传送一中断信号、该写入指令与该第一存储器地址至一数据处理单元，其中该数据处理单元用以根据该预置反应条件产生该第一信号；以及由该数据处理单元通过该非闪存接口从该缓存中读取该第一数据并且将该第一数据存储至该数据处理单元中。3.根据权利要求1所述的模拟方法，其特征在于，该第二指令为一读取指令，并且该读取指令是指示读取一第二存储器地址，该模拟方法还包括：通过该模拟器的一非闪存接口传送一中断信号、该读取指令与该第二存储器位置至一数据处理单元，其中该数据处理单元用以根据该预置反应条件产生该第一信号；以及由该数据处理单元通过该非闪存接口将对应于该第二存储器地址的一第二数据写入至该模拟器的一缓存中。4.根据权利要求1所述的模拟方法，其特征在于，还包括：提供该存储器控制器该些存储器类型的其中之一的一识别信息，且于该接收来自该存储器控制器的该第一指令的步骤中，该第一指令是属于该其中之一存储器类型的指令。5.根据权利要求1所述的模拟方法，其特征在于，该些指令表包括一第一指令表，并且该第一指令表包括多个第三指令，其中根据该第一指令识别该些指令表中的该第二指令的步骤包括：根据一指标从一阵列中取得该第一指令；判断该第一指令是否符合该些第三指令的其中之一；若该第一指令符合该些第三指令的其中之一，更新该指标，其中该第一指令符合的该第三指令为该第二指令；以及若该第一指令不符合该些第三指令的其中之一，维持该指标不变。6.根据权利要求5所述的模拟方法，其特征在于，还包括：若该第一指令符合该些第三指令的其中之一，产生一重置信号，其中该重置信号指示开始识别该阵列中的一第四指令，其中该第四指令的一阵列顺序是在该第一指令的一阵列顺序之后。7.根据权利要求5所述的模拟方法，其特征在于，还包括：若该第一指令符合该些第三指令的其中之一，传送一忙碌信号给该存储器控制器。8.根据权利要求5所述的模拟方法，其特征在于，还包括：若该第一指令符合该些第三指令的其中之一，传送一中断信号给一数据处理单元以通知该第二指令。9.一种模拟器，用以模拟一闪存，其特征在于，该模拟器包括：一闪存接口，用以电性连接至一存储器控制器，并且接收来自该存储器控制器的一第一指令；一检测器，电性连接至该闪存接口，用以提供多个指令表，其中每一指令表是对应至一存储器类型，并且该检测器用以根...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑国义，黄毅宏，陈皇亨，
申请(专利权)人：群联电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71