【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】MEMS设备以及方法本专利技术涉及微机电系统(MEMS)设备和方法,具体地,涉及与换能器有关的MEMS设备和方法,所述换能器例如是电容式麦克风。多种MEMS设备正变得越来越受欢迎。MEMS换能器尤其是MEMS电容式麦克风越来越多地用在便携式电子设备(诸如,移动电话、可穿戴设备和便携式计算设备)中。使用MEMS制造方法形成的麦克风设备通常包括一个或多个膜,其中用于读出/驱动的电极被沉积在所述膜和/或基底上。在MEMS压力传感器和麦克风的情况下,通常通过测量所述电极之间的电容来实现读出。在输出换能器的情况下,通过静电力来移动所述膜,所述静电力是通过使跨所述电极施加的电位差变化生成的。图1a和图1b分别示出了已知的电容式MEMS麦克风设备100的示意图和立体视图。电容式麦克风设备100包括一个膜层101,该膜层101形成一个柔性膜,该柔性膜响应于由声波生成的压力差而自由移动。第一电极103机械地联接至所述柔性膜,并且它们一起形成电容式麦克风设备的第一电容板。第二电极102机械地联接至大体刚性的结构层或背板(back-plate)104,它们一起形成电容式麦克风设备的第二电容板。在图1a示出的实施例中,第二电极102被嵌入在背板结构104中,然而本领域的技术人员应理解,第二电极可以在背板的表面上。电容式麦克风被形成在基底105上,所述基底105例如是硅晶片,所述硅晶片可以具有在其上形成的上部氧化物层106和下部氧化物层107。基底中和任何覆盖层中的腔108(在下文中称作基底腔)被设置在膜下方,且可以使用“背部蚀刻(back-etch)”穿过基底105来形成。基底腔1 ...
【技术保护点】
一种MEMS换能器,包括:一个膜层;以及至少一个可变通气部结构,包括:一个通气孔,用于使流体通气,从而减小所述膜层两侧的压力差;以及一个可移动通气盖,所述可移动通气盖在平衡位置处至少部分地阻塞所述通气孔;其中,所述通气盖响应于所述通气盖两侧的压力差而从所述平衡位置能移动,从而使穿过所述通气孔的流动路径的尺寸变化;并且其中,所述通气盖包括至少第一折翼区段和第二折翼区段,所述第一折翼区段以铰链方式联接到所述通气孔的侧边,并且所述第二折翼区段以铰链方式联接到所述第一折翼区段,从而相对于所述第一折翼区段能移动。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.12.19 GB 1422774.81.一种MEMS换能器,包括:一个膜层;以及至少一个可变通气部结构,包括:一个通气孔,用于使流体通气,从而减小所述膜层两侧的压力差;以及一个可移动通气盖,所述可移动通气盖在平衡位置处至少部分地阻塞所述通气孔;其中,所述通气盖响应于所述通气盖两侧的压力差而从所述平衡位置能移动,从而使穿过所述通气孔的流动路径的尺寸变化;并且其中,所述通气盖包括至少第一折翼区段和第二折翼区段,所述第一折翼区段以铰链方式联接到所述通气孔的侧边,并且所述第二折翼区段以铰链方式联接到所述第一折翼区段,从而相对于所述第一折翼区段能移动。2.根据权利要求1所述的MEMS换能器,其中,所述第二折翼区段仅经由所述第一折翼区段而联接到所述通气孔的侧边。3.根据权利要求1或2所述的MEMS换能器,其中,所述第二折翼区段被铰接到所述第一折翼区段。4.根据任一项前述权利要求所述的MEMS换能器,其中,所述通气盖被配置为使得,所述第一折翼区段对于给定的压力差而偏转远离平衡位置的程度不同于所述第二折翼区段对于相同的压力差而偏转远离所述第一折翼区段的程度。5.根据权利要求4所述的MEMS换能器,其中,所述通气盖被配置为使得,所述第二折翼区段偏转远离所述第一折翼区段比所述第一折翼区段偏转远离平衡位置更容易。6.根据权利要求4所述的MEMS换能器,其中,所述通气盖被配置为使得,在使用时,对于至少一个压力差,所述第二折翼区段相对于所述第一折翼区段偏转的量将大于所述第一折翼区段从平衡偏转的量。7.根据任一项前述权利要求所述的MEMS换能器,其中,所述第一折翼区段经由第一连接部而联接到所述通气孔的侧边,并且所述第二折翼区段通过第二连接部而联接到所述第一折翼区段。8.根据权利要求7所述的MEMS换能器,其中,所述第一连接部和所述第二连接部的尺度和/或几何形状彼此不同。9.根据权利要求8所述的MEMS换能器,其中,所述第一连接部和所述第二连接部中的每个都包括一个颈部区域,并且所述颈部区域的尺度彼此不同。10.根据权利要求7至9中的任一项所述的MEMS换能器,其中,所述第一连接部和所述第二连接部中的至少一个包括一个梁结构。11.根据权利要求7至10中的任一项所述的MEMS换能器,其中,所述第一连接部和所述第二连接部中的至少一个包括多个连接区域,所述多个连接区域沿着一个铰链轴线被间隔开。12.根据任一项前述权利要求所述的MEMS换能器,其中,所述第一折翼区段联接到所述通气孔的侧边,用于大体上围绕第一铰链轴线移动,并且所述第二折翼区段联接到所述第一折翼区段,用于大体上围绕第二铰链轴线相对于所述第一折翼区段移动,其中,所述第一铰链轴线和所述第二铰链轴线彼此平行。13.根据权利要求12所述的MEMS换能器,其中,所述第一折翼区段被联接用于围绕所述第一铰链轴线在一个旋转方向上移动,并且所述第二折翼区段被联接用于围绕所述第二铰链轴线在相同的旋转方向上移动。14.根据权利要求12所述的MEMS换能器,其中,所述第一折翼区段被联接用于围绕所述第一铰链轴线在一个旋转方向上移动,并且所述第二折翼区段被联接用于围绕所述第二铰链轴线在相反的旋转方向上移动。15.根据权利要求1至13中的任一项所述的MEMS换能器,其中,所述第一折翼区段在所述第一折翼区段的一侧上联接到侧壁,并且在其相反侧上联接到所述第二折翼区段。16.根据权利要求1至13中的任一项所述的MEMS换能器,其中,所述第二折翼区段在所述第一折翼区段的周界内。17.根据任一项前述权利要求所述的MEMS换能器,其中,所述第一折翼区段的面积是所述通气盖的面积的至少20%。18.根据任一项前述权利要求所述的MEMS换能器,其中,所述第二折翼区段的面积是所述通气盖的面积的至少20%。19.根据任一项前述权利要求所述的MEMS换能器,其中,所述通气盖被配置为使得,在使用时,在低于第一压力阈值的压力差时,至少所述第一折翼区段不从平衡位置显著偏转。20.根据权利要求20所述的MEMS换能器,其中,所述第一压力阈值为所述MEMS换能器的预期正常操作压力范围,或高于所述MEMS换能器的预期正常操作压力范围。21.根据权利要求19或20所述的MEMS换能器,其中,所述通气盖被配置为使得,在使用时,在高于所述第一区段的第二压力阈值的压力差时,所述第一折翼区段从平衡位置显著偏转。22.根据权利要求19至21中的任一项所述的MEMS换能器,其中,所述通气盖被配置为使得,在使用时,在高于所述第二区段的第二压力阈值的压力差时,所述第二折翼区段从平衡位置显著偏转。23.根据权利要求22所述的MEMS换能器,其中,所述第二压力阈值在所述MEMS换能器的正常操作预期操作压力范围内。24.根据任一项前述权利要求所述的MEMS换能器,其中,所述通气盖包括至少一个附加折翼区段,其中所述附加折翼区段或每个附加折翼区段以铰链方式联接到所述第一折翼区段或所述第二折翼区段或一个中间附加折翼区段中的一个。25.根据权利要求24所述的MEMS换能器,其中,所述通气盖被配置为使得,在使用时,在所述MEMS换能器的预期正常操作范围内的压力差时,至少一个附加折翼区段从其平衡位置显著偏转。26.根据任一项前述权利要求所述的MEMS换能器,其中,所述通气盖被配置为提供一个流动路径尺寸,所述流动路径尺寸在使用时随着处于所述MEMS换能器的正常预期操作范围内的压力而变化,从而提供可...
【专利技术属性】
技术研发人员:S·卡吉尔,M·S·皮耶豪钦斯基,
申请(专利权)人:思睿逻辑国际半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:英国,GB
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