数模转换器以及使用其的源极驱动器制造技术

提供了一种数模转换器以及使用其的源极驱动器。所述数模转换器包括：电阻器串，其被配置为提供通过在一端接收顶电压并且在另一端接收底电压而形成的多个灰度电压；多个通道晶体管，其包括一端电连接至电阻器串并且输出所述多个灰度电压当中的任一个的通道晶体管；以及解码器，其被配置为控制所述多个通道晶体管，其中，所述多个通道晶体管根据灰度电压的值而被包括在多个组当中的任一个组中，包括在任一个组中的通道晶体管根据输出的灰度电压被分成第一组和第二组，包括在第一组中的通道晶体管和包括在第二组中的通道晶体管是不同类型的通道晶体管。

【技术实现步骤摘要】
数模转换器以及使用其的源极驱动器
本专利技术涉及数模转换器以及使用该数模转换器的源极驱动器。
技术介绍
如今，诸如移动电话、计算机和显示装置的大多数电子装置利用基于硅的互补金属氧化物半导体(CMOS)电路来实现。CMOS电路包括当阈值电压或更小的电压被施加到其栅电极时导通的P型MOS(PMOS)器件以及当阈值电压或更大的电压被施加到其时导通的N型MOS(NMOS)器件，并且配置PMOS器件和NMOS器件彼此互补地工作的电路。
技术实现思路
通常，用于驱动显示器的栅极驱动器、定时控制器和源极驱动器被实现为基于硅的互补金属氧化物半导体(CMOS)电路。CMOS电路被配置为彼此互补地工作的N型MOS(NMOS)器件和P型MOS(PMOS)器件，并且应该至少具有器件不会被为了执行期望的功能而提供的驱动电压与地电压之间的电压差破坏的耐受电压。与具有小耐受电压的器件相比，具有大耐受电压的器件通过具有大沟道长度和宽度而在基板中具有大面积。作为示例，数字逻辑电路在1.2V或更小的电压下工作，并且具有几十纳米(nm)的沟道长度。另一方面，在3V的电压范围内工作的器件的沟道长度为约0.35μm，在8V的电压本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种数模转换器，该数模转换器包括：电阻器串，该电阻器串被配置为提供通过在一端接收顶电压并且在另一端接收底电压而形成的多个灰度电压；多个通道晶体管，所述多个通道晶体管包括一端电连接至所述电阻器串并且输出所述多个灰度电压当中的任一个的通道晶体管；以及解码器，该解码器被配置为控制所述多个通道晶体管，其中，所述多个通道晶体管根据所述灰度电压的值而被包括在多个组当中的任一个组中，包括在所述任一个组中的所述通道晶体管根据输出的灰度电压而被分成第一组和第二组，包括在所述第一组中的通道晶体管和包括在所述第二组中的通道晶体管是不同类型的通道晶体管。

【技术特征摘要】
2016.03.21 KR 10-2016-00335761.一种数模转换器，该数模转换器包括：电阻器串，该电阻器串被配置为提供通过在一端接收顶电压并且在另一端接收底电压而形成的多个灰度电压；多个通道晶体管，所述多个通道晶体管包括一端电连接至所述电阻器串并且输出所述多个灰度电压当中的任一个的通道晶体管；以及解码器，该解码器被配置为控制所述多个通道晶体管，其中，所述多个通道晶体管根据所述灰度电压的值而被包括在多个组当中的任一个组中，包括在所述任一个组中的所述通道晶体管根据输出的灰度电压而被分成第一组和第二组，包括在所述第一组中的通道晶体管和包括在所述第二组中的通道晶体管是不同类型的通道晶体管。2.根据权利要求1所述的数模转换器，其中，所述第一组包括NMOS通道晶体管，所述第二组包括PMOS通道晶体管，并且所述第一组和所述第二组被布置在同一深阱中。3.根据权利要求2所述的数模转换器，其中，所述解码器利用具有相同摆动的控制信号来控制布置在所述第一组和所述第二组中的所述通道晶体管。4.根据权利要求2所述的数模转换器，其中，所述深阱包括P阱和N阱，包括在所述第一组中的所述通道晶体管被布置在所述P阱中，包括在所述第二组中的所述通道晶体管被布置在所述N阱中。5.根据权利要求4所述的数模转换器，其中，布置在同一P阱中的所述NMOS通道晶体管的尺寸相同，布置在同一N阱中的所述PMOS通道晶体管的尺寸相同。6.根据权利要求4所述的数模转换器，其中，提供给所述N阱的阱偏置电压是从包括在所述深阱中的所述通道晶体管输出的所述灰度电压当中的最大电压，提供给所述P阱的阱偏置电压是从包括在所述深阱中的所述通道晶体管输出的所述灰度电压当中的最小电压。7.根据权利要求6所述的数模转换器，其中，所述解码器利用在提供给所述N阱的阱偏置电压与提供给所述P阱的阱偏置电压之间摆动的控制信号来控制布置在所述深阱中的所述通道晶体管。8.根据权利要求1所述的数模转换器，其中，所述多个灰度电压之间的电压差不同。9.根据权利要求1所述的数模转换器，其中，所述多个灰度电压之间的电压差相同。10.根据权利要求1所述的数模转换器，其中，包括在所述多个组中的每一个组中的通道晶体管的数量不同。11.根据权利要求1所述的数模转换器，其中，包括在所述多个组中的每一个组中的通道晶体管的数量相同。12.根据权利要求1所述的数模转换器，其中，从包括在所述第二组中的所述通道晶体管输出的灰度电压大于从包括在所述第一组中的所述通道晶体管输出的灰度电压。13.根据权利要求1所述的数模转换器，其中，所述顶电压和所述底电压分别对应于伽马电压的上限电压和下限电压。14.根据权利要求1所述的数模转换器，其中，上限电压是上裕度电压与伽马电压的上限值相加的电压，下限电压是从所述伽马电压的下限值减去下裕度电压的电压。15.根据权利要求1所述的数模转换器，其中，所述多个组包括具有相同类型的通道晶体管的组。16.根据权利要求15所述的数模转换器，其中，具有相同类型的通道晶体管的所述组包括作为PMOS通道晶体管并且提供最大灰度电压的通道晶体管。17.根据权利要求15所述的数模转换器，其中，具有相同类型的通道晶体管的所述组包括作为NMOS通道晶体管并且提供最小灰度电压的通道晶体管。18.一种数模转换器，该数模转换器包括：电阻器串，该电阻器串被配置为提供通过在一端接收顶电压并且在另一端接收底电压而形成的多个灰度电压；多个通道晶体管，所述多个通道晶体管包括一端电连接至所述电阻器串并且输出所述多个灰度电压当中的任一个的通道晶体管；以及解码器，该解码器被配置为控制所述多个通道晶体管，其中，所述多个通道晶体管根据所述灰度电压的值而被包括在多个组中的任一个组中，并且包括在同一组中的通道晶体管具有相同的类型。19.根据权利要求18所述的数模转换器，其中，包括在同一组中的所述通道晶体管被布置在同一深阱中。20.根据权利要求18所述的数模转换器，其中，包括在同一组中的所述通道晶体管是NMOS通道晶体管，并且所述解码器利用控制信号来控制所述通道晶体管，所述控制信号在从包括在同一组中的所述通道晶体管输出的灰度电压的最小电压与所述通道晶体管的阈值电压与从包括在同一组中的所述通道晶体管输出的所述灰度电压的最大电压相加的电压之间摆动。21.根据权利要求20所述的数模转换器，其中，所述解码器利用控制信号来控制所述通道晶体管，所述控制信号在从包括在同一组中的所述通道晶体管输出的所述灰度电压的所述最小电压与所述通道晶体管的所述阈值电压和所述通道晶体管的过驱动电压与从包括在同一组中的所述通道晶体管输出的所述灰度电压的所述最大电压相加的电压之间摆动。22.根据权利要求18所述的数模转换器，其中，包括在同一组中的所述通道晶体管是PMOS通道晶体管，并且所述解码器利用控制信号来控制所述通道晶体管，所述控制信号在所述通道晶体管的阈值电压与从包括在同一组中的所述通道晶体管输出的灰度电压的最小电压相加的电压与从包括在同一组中的所述通道晶体管输出的所述灰度电压的最大电压之间摆动。23.根据权利要求20和21中的任一项所述的数模转换器，其中，所述解码器利用控制信号来控制所述通道晶体管，所述控制信号在从包括在同一组中的所述通道晶体管输出的所述灰度电压的最大电压与所述通道晶体管的过驱动电压与所述通道晶体管的所述阈值电压相加的电压之间摆动。24.根据权利要求18所述的数模转换器，其中，包括在同一组中的所述通道晶体管的尺寸相同。25.一种提供与输入的数字信息对应的模拟信号的数模转换器，该数模转换器包括：电阻器串，该电阻器串被配置为提供通过在一端接收顶电压并且在另一端接收底电压而形成的多个灰度电压；多个通道晶体管，所述多个通道晶体管被配置为输出所...

【专利技术属性】
技术研发人员：金晖哲，
申请(专利权)人：二劳额市首有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR