反铁电陶瓷/PVDF 0-3结构复合材料及其热处理制备方法技术

本发明专利技术涉及一种反铁电陶瓷/PVDF0‑3结构复合材料及其热处理制备方法。本发明专利技术由反铁电陶瓷粉末和PVDF基聚合物组成，反铁电陶瓷粉末作为添加粒子均匀分布在聚合物基体内，通过流延法制备得到复合材料膜，并将其进行淬火热处理，所得膜厚为1～100微米，复合材料中反铁电陶瓷粒子体积分数在0～70%之间。本发明专利技术采用反铁电陶瓷粒子作为填充粒子制备的0‑3复合材料，即可以有效提高复合材料的电位移值与击穿电场值，还能降低剩余极化减少损耗，从而有利于提高复合材料的储能与放能值，提高储放能效率。

【技术实现步骤摘要】
反铁电陶瓷/PVDF0-3结构复合材料及其热处理制备方法
本专利技术属于电子材料制备领域，涉及一种反铁电陶瓷/PVDF0-3结构复合材料及其制备方法。
技术介绍
电容器是一种能够储藏电荷的元件，也是最常用的电子元件之一。薄膜电容器是以金属当电极，将其和塑料薄膜，从两端重叠后，卷绕成圆筒状的构造之电容器。薄膜电容器由于具有很多优良的特性，因此是一种性能优秀的电容器。它的主要特性如下：无极性，绝缘阻抗很高，频率特性优异(频率响应宽广)，而且介质损失很小。基于以上的优点，所以薄膜电容器被大量使用在电路中。主要应用于电子、家电、通讯、电力、电气化铁路、混合动力汽车、航空航天、风力发电、太阳能发电监控、生物成像、无损检测等多个行业。随着技术水平的发展，电子、家电、通讯等多个行业更新换代周期越来越短，而薄膜电容器凭借其良好的电工性能和高可靠性，成为推动上述行业更新换代不可或缺的电子元件。未来几年随着数字化、信息化、网络化建设进一步发展和国家在电网建设、电气化铁路建设、节能照明、混合动力汽车等方面的加大投入以及消费类电子产品的升级，薄膜电容器的市场需求将进一步呈现快速增长的趋势。随着电子技术的集成本文档来自技高网...

【技术保护点】
反铁电陶瓷/PVDF0‑3结构复合材料，其特征在于：由反铁电陶瓷粉末和PVDF基聚合物组成，反铁电陶瓷粉末作为添加粒子均匀分布在聚合物基体内，通过流延法制备得到复合材料膜，并将其进行淬火热处理，所得膜厚为1～100微米，复合材料中反铁电陶瓷粒子体积分数在0～70%之间。

【技术特征摘要】
1.反铁电陶瓷/PVDF0-3结构复合材料，其特征在于：由反铁电陶瓷粉末和PVDF基聚合物组成，反铁电陶瓷粉末作为添加粒子均匀分布在聚合物基体内，通过流延法制备得到复合材料膜，并将其进行淬火热处理，所得膜厚为1～100微米，复合材料中反铁电陶瓷粒子体积分数在0～70%之间。2.根据权利要求1所述的反铁电陶瓷/PVDF0-3结构复合材料，其特征在于：所述的反铁电陶瓷选用PbZrO3、PbZrTiO3、La掺杂的PLZT、PZST或La掺杂的PLZST体系反铁电材料中的一种。3.根据权利要求1所述的反铁电陶瓷/PVDF0-3结构复合材料，其特征在于：所述的PVDF为其基体，包含PVDF和基于PVDF的P(VDF-CTFE)，P(VDF-TrFE)和P(VDF-CTFE-TrFE)聚合物。4.根据权利要求1所述的反铁电陶瓷/PVDF0-3结构复合材料，其特征在于：所述的淬火热处理将得到的复合材料加热至熔融温度以上并保持15分钟-6小时，淬火温度0℃～-200℃。5.一种权利要求1所述的复合材料热处理制备方...

【专利技术属性】
技术研发人员：李丽丽，汶飞，徐卓，刘晓阳，王高峰，叶剑飞，吴薇，
申请(专利权)人：杭州电子科技大学，
类型：发明
国别省市：浙江,33