一种山药种植方法及肥料技术

本发明专利技术提供一种山药种植方法及肥料，包括择地刨沟，选择土壤肥沃的沙壤土地进行种植，并且间隔刨制浅层导向管、深层导向管，并在两沟槽之间设置V形肥料添加槽，沿两相互平行且间隔深度不同的沟槽方向平铺放置用于栽培种苗的导向管，且同一沟槽啮任意两相邻的导线管间隔距离为10‑15cm，将种苗根部放置在导向管内部，使种苗漏出导向管管口，用土填埋固定种苗和导向管，本发明专利技术采用横向平铺的导向管生长山药，挖掘方便省力，不易损伤根部，且采用深浅层交错布置充分利用空间且便于吸收V型肥料添加槽内部的氮、磷、钾等山药生长所需的必要元素，亩产量高，块茎生长盛期时灌溉纳米有机钾肥溶液，充分补充钾肥满足山药的生长需求。

Yam planting method and fertilizer

The present invention provides a method of yam planting and fertilizer, including the choice of digging ditch, select sandy loam soil fertile planting, and the interval planing of shallow draft tube, deep draft tube, and set the V type fertilizer in two groove between the adding groove, along the groove direction of two parallel and different depth intervals tile placement for planting seedling guide tube, and the wire with a groove. Any two adjacent tube spacing distance of 10 15cm, the seedling root inside the guide tube, the seedling guide tube leakage, filling with soil and fixed seedling guide tube, the invention adopts tile horizontal guide tube growth yam, mining convenient, not easy to damage the roots, essential elements and the use of shallow layers staggered to make full use of space and facilitate the absorption of V fertilizer added tank nitrogen, phosphorus and potassium of yam required for growth, The yield is high, and when the tuber is growing, the nanometer organic potassium fertilizer solution is irrigated to supplement the potassium fertilizer to satisfy the growth demand of the yam.

【技术实现步骤摘要】
一种山药种植方法及肥料
本专利技术属于山药种植
，尤其涉及一种山药种植方法及肥料。
技术介绍
山药，即薯蓣，别名怀山药、淮山药、土薯、山薯、山芋、玉延。多年生草本植物，茎蔓生，常带紫色，块根圆柱形，叶子对生，卵形或椭圆形，花乳白色，雌雄异株。块根含淀粉和蛋白质，可以吃。单子叶植物，10属650种，广布于全球的温带和热带地区，我国有薯蓣约80种。原产山西平遥、介休，现分布于我国华北、西北及长江流域的江西各省区。山药对养分的吸收动态与植株鲜重的增长动态相一致。发芽期，植株生长量小，对氮、磷、钾的吸收量亦少。甩蔓发棵期，随着植株生长速度的加快，生长量增加，对养分的吸收量也随着增加，特别是对氮的吸收量增加较多。山药在生长过程中施肥种类用量及方法会严重影响山药的生长状况，且施肥深度、用量、种类等这几个因素在山药种植过程中会影响根茎的产量和质量且难以控制以保证山药的产量。因此，本文提出一种山药种植方法及肥料是十分必要的。
技术实现思路
针对现有的山药种植存在的技术问题，本专利技术提供一种山药种植方法及肥料。一种山药种植方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)择地刨沟：选择土壤肥沃的沙壤土地进行种植，并且间隔刨制深度分别为5-10cm和12-15cm的两条平行的沟槽，且两深度不同的沟槽之间的间距L为15-20cm，且在两深度不同的沟槽之间开设一条深度D为25-35cm的上端宽度为8-15cm、下端宽度为5-8cm的V形肥料添加槽；(2)导向管栽培：沿两相互间隔深度不同的沟槽方向平铺放置用于栽培种苗的导向管，且同一沟槽啮任意两相邻的导线管间隔距离为10-15cm，将种苗根部放置在导向管内部，使种苗漏出导向管管口，种苗距离地面高度为5-7cm，用土填埋固定种苗和导向管；(3)施肥覆膜：向V形肥料添加槽内部添加肥料，在导向管填土覆盖后在土地表面覆盖一层保温膜，并在保温膜两侧覆盖土；(4)搭架：待到山药株体高度为18-25cm时，搭架引藤，并在此之后间隔7-12天施加营养型叶面肥，施加次数为2-4次；(5)追肥：当山药的株体生长到45-55cm时，按氮、磷、钾质量比为2:3:5追加肥料，将用耕犁在V形肥料添加槽内翻土，使土壤表面的氮、磷、钾肥料翻盖到V形肥料添加槽内，并在此之后间隔5-10天用水将纳米钾肥稀释进行灌溉；(6)收获：当叶片枯死后，挖掘并晃动山药种植管根部，将山药连同山药导向管一起从土壤中拔出，然后从导向管内部将山药取出。优选地，步骤(5)纳米钾肥稀释为至1L/100g，每颗株苗根部灌溉50-150ml，可间隔6-10天再灌溉一次，总计灌溉3-5次。一种用于所述的山药种植方法的肥料，其特征在于，所述V形肥料添加槽内部的肥料由上至下依次发酵腐熟好的农家肥层、速效氮肥层、硫酸钾复合肥层、有机肥层组成，农家肥层采用优质腐熟农家肥与草木灰质量比3:1混合均匀，所述农家肥层、速效氮肥层、硫酸钾复合肥层、有机肥层厚度比例为5:1：3:4。优选地，所述有机肥层由优质发酵豆粕和山药株体干燥后按质量比2:1配比加工成大小为0.5-1mm的颗粒构成。与现有技术相比，本专利技术具有如下有益效果：1、本专利技术设有V型肥料添加槽，槽内添加有腐熟农家肥和草木灰，肥效长可长期为山药的生长提供氮、磷、钾等元素，铺施有机肥不仅可持续提供营养，而且有降低土温，保持墒情，稳定土壤透气，防除杂草之功效，且V型肥料添加槽内依次叠设的农家肥层、速效氮肥层、硫酸钾复合肥层、有机肥层，可为山药的生长提供足够的养分，避免造成山药生长不良的情况；2、本专利技术采用横向平铺的导向管生长山药，挖掘方便省力，不易损伤根部，且采用深浅层交错布置充分利用空间且便于吸收V型肥料添加槽内部的氮、磷、钾等山药生长所需的必要元素，亩产量高；3、本专利技术山药在块茎生长盛期追加营养型叶面肥，使根系发达，新生根增加四分之一，根系活力增加30％，有利于植株对水分和营养元素的吸收，进而提高作物产量，改善作物品质；4、本专利技术采用在块茎生长盛期追加纳米钾肥溶液，使纳米有机钾的某些部分为黄腐酸等低分子腐植酸，对含钾硅酸盐、钾长石等矿物有溶蚀作用，可以缓慢分解增加钾的释放量，提高速效钾的含量，因此该产品比普通钾肥(硫酸钾/氯化钾)利用率提高3倍，它具有改良土壤、用地养地相结合，长效与速效相协调，增速钾元素生效以促进块茎的膨大和物质积累，提高山药的产量。附图说明图1是本专利技术结构图。图2是本专利技术中图1中V型肥料添加槽结构图。图中：1-浅层导向管、2-V形肥料添加槽、3-深层导向管、4-保温膜、5-农家肥层、6-速效氮肥层、7-硫酸钾复合肥层、8-有机肥层。具体实施方式以下结合附图对本专利技术做进一步描述：实施例：如附图1、2所示本专利技术提供一种山药种植方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)择地刨沟：选择土壤肥沃的沙壤土地进行种植，并且间隔刨制深度分别为5-10cm和12-15cm的两条平行的沟槽，且两深度不同的沟槽之间的间距L为15-20cm，且在两深度不同的沟槽之间开设一条深度D为25-35cm的上端宽度为8-15cm、下端宽度为5-8cm的V形肥料添加槽2；(2)导向管栽培：沿两相互间隔深度不同的沟槽方向平铺放置用于栽培种苗的导向管，且同一沟槽啮任意两相邻的导线管间隔距离为10-15cm，将种苗根部放置在导向管内部，使种苗漏出导向管管口，种苗距离地面高度为5-7cm，用土填埋固定种苗和导向管；(3)施肥覆膜：向V形肥料添加槽2内部添加肥料，在导向管填土覆盖后在土地表面覆盖一层保温膜4，并在保温膜4两侧覆盖土；(4)搭架：待到山药株体高度为18-25cm时，搭架引藤，并在此之后间隔7-12天施加营养型叶面肥，施加次数为2-4次；(5)追肥：当山药的株体生长到45-55cm时，按氮、磷、钾质量比为2:3:5追加肥料，将用耕犁在V形肥料添加槽2内翻土，使土壤表面的氮、磷、钾肥料翻盖到V形肥料添加槽2内，并在此之后间隔5-10天用水将纳米钾肥稀释进行灌溉；(6)收获：当叶片枯死后，挖掘并晃动山药种植管根部，将山药连同山药导向管一起从土壤中拔出，然后从导向管内部将山药取出。优选地，步骤(5)纳米钾肥稀释为至1L/100g，每颗株苗根部灌溉50-150ml，可间隔6-10天再灌溉一次，总计灌溉3-5次。一种用于所述的山药种植方法的肥料，其特征在于，所述V形肥料添加槽2内部的肥料由上至下依次发酵腐熟好的农家肥层5、速效氮肥层6、硫酸钾复合肥层7、有机肥层组8成，农家肥层5采用优质腐熟农家肥与草木灰质量比3:1混合均匀，所述农家肥层5、速效氮肥层6、硫酸钾复合肥层7、有机肥层8厚度比例为5:1：3:4。优选地，所述有机肥层8由优质发酵豆粕和山药株体干燥后按质量比2:1配比加工成大小为0.5-1mm的颗粒构成。本专利技术采用深度为5-10cm的浅层导向管1和深度为12-15cm深层导向管3交错平铺布置在地面沟槽内部，浅层导向管1和深层导向管3之间设有一V形肥料添加槽2，V形肥料添加槽2由下至上依次设有腐熟好的农家肥层5、速效氮肥层6、硫酸钾复合肥层7、有机肥层8，这样位于V形肥料添加槽2两侧的浅层导向管1、深层导向管3内部的山药根部可充分吸收V形肥料添加槽2内部的肥料中氮、磷、钾等元素，深浅层交错布置充分利用空间且便于吸收V型肥料本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种山药种植方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)择地刨沟：选择土壤肥沃的沙壤土地进行种植，并且间隔刨制深度分别为5‑10cm和12‑15cm的两条平行的沟槽，且两深度不同的沟槽之间的间距L为15‑20cm，且在两深度不同的沟槽之间开设一条深度D为25‑35cm的上端宽度为8‑15cm、下端宽度为5‑8cm的V形肥料添加槽；(2)导向管栽培：沿两相互间隔深度不同的沟槽方向平铺放置用于栽培种苗的导向管，且同一沟槽啮任意两相邻的导线管间隔距离为10‑15cm，将种苗根部放置在导向管内部，使种苗漏出导向管管口，种苗距离地面高度为5‑7cm，用土填埋固定种苗和导向管；(3)施肥覆膜：向V形肥料添加槽内部添加肥料，在导向管填土覆盖后在土地表面覆盖一层保温膜，并在保温膜两侧覆盖土；(4)搭架：待到山药株体高度为18‑25cm时，搭架引藤，并在此之后间隔7‑12天施加营养型叶面肥，施加次数为2‑4次；(5)追肥：当山药的株体生长到45‑55cm时，按氮、磷、钾质量比为2:3:5追加肥料，将用耕犁在V形肥料添加槽内翻土，使土壤表面的氮、磷、钾肥料翻盖到V形肥料添加槽内，并在此之后间隔5‑10天用水将纳米钾肥稀释进行灌溉；(6)收获：当叶片枯死后，挖掘并晃动山药种植管根部，将山药连同山药导向管一起从土壤中拔出，然后从导向管内部将山药取出。...

【技术特征摘要】
1.一种山药种植方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)择地刨沟：选择土壤肥沃的沙壤土地进行种植，并且间隔刨制深度分别为5-10cm和12-15cm的两条平行的沟槽，且两深度不同的沟槽之间的间距L为15-20cm，且在两深度不同的沟槽之间开设一条深度D为25-35cm的上端宽度为8-15cm、下端宽度为5-8cm的V形肥料添加槽；(2)导向管栽培：沿两相互间隔深度不同的沟槽方向平铺放置用于栽培种苗的导向管，且同一沟槽啮任意两相邻的导线管间隔距离为10-15cm，将种苗根部放置在导向管内部，使种苗漏出导向管管口，种苗距离地面高度为5-7cm，用土填埋固定种苗和导向管；(3)施肥覆膜：向V形肥料添加槽内部添加肥料，在导向管填土覆盖后在土地表面覆盖一层保温膜，并在保温膜两侧覆盖土；(4)搭架：待到山药株体高度为18-25cm时，搭架引藤，并在此之后间隔7-12天施加营养型叶面肥，施加次数为2-4次；(5)追肥：当山药的株体生长到45-55cm时，按氮、磷、钾质量比为2:...

【专利技术属性】
技术研发人员：游时刚，
申请(专利权)人：贵州省安顺市黔艺贝纺织有限公司，
类型：发明
国别省市：贵州,52