基板处理方法和基板处理装置制造方法及图纸

该基板处理方法，为对表面具有含有膜的细微图案的基板实施清洗处理的基板处理方法，包括：甲硅烷基化工序，向所述基板的表面供给甲硅烷基化剂，来对该基板的表面进行甲硅烷基化；药液清洗工序，在进行所述甲硅烷基化工序之后，或者与所述甲硅烷基化工序并行地，向所述基板的表面供给清洗药液，来清洗该基板的表面。

Substrate processing method and substrate processing apparatus

The substrate processing method, substrate processing method including the implementation, cleaning the substrate having a fine pattern on the surface of the film contains: the silylation process, to supply the substrate surface silylation agents of silylation on the surface of the substrate; the liquid cleaning process, after the silylation process, or in parallel with the silylation process, cleaning liquid supply to the surface of the substrate, the surface cleaning of the substrate.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理方法和基板处理装置
本专利技术涉及利用清洗药液清洗基板的表面的基板处理方法以及基板处理装置。成为处理对象的基板包括半导体晶片等。
技术介绍
在半导体器件的制造工序中，进行向半导体晶片的表面供给清洗药液，来从该基板的表面除去不需要物质的清洗处理。用于逐张地处理半导体晶片的单张式的基板处理装置包括：旋转夹具，将基板保持为水平来旋转；喷嘴，向保持于旋转夹具的基板的表面供给清洗药液。一边使保持有基板的旋转夹具旋转，一边向基板的表面供给清洗药液。由此，清洗药液遍及基板的表面的整个区域，从基板的表面的整个区域除去不需要物质。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2004－281463号公报。
技术实现思路
专利技术所要解决的问题在实施这样的清洗处理的基板的表面，有时形成包含氧化膜或氮化膜等膜的图案。在清洗处理中，由于向基板的表面供给清洗药液，基板的表面所包含的膜中可能产生膜损耗(膜的减少)。根据清洗药液的种类以及膜的种类不同，膜快速地被除去，其结果是可能膜损耗被增加。随着近几年的图案的细微化，膜损耗的允许范围变得更窄，膜损耗对半导体的晶体管特性带来影响的可能性正在成为现实。因此，尤其，在具本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理方法，是对表面具有含有膜的细微图案的基板实施清洗处理的基板处理方法，其中，包括：甲硅烷基化工序，该工序向所述基板的表面供给甲硅烷基化剂，来对该基板的表面进行甲硅烷基化；以及药液清洗工序，该工序在进行所述甲硅烷基化工序之后，或者与所述甲硅烷基化工序并行地，向所述基板的表面供给清洗药液，来清洗该基板的表面。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.02.05 JP 2015-0215251.一种基板处理方法，是对表面具有含有膜的细微图案的基板实施清洗处理的基板处理方法，其中，包括：甲硅烷基化工序，该工序向所述基板的表面供给甲硅烷基化剂，来对该基板的表面进行甲硅烷基化；以及药液清洗工序，该工序在进行所述甲硅烷基化工序之后，或者与所述甲硅烷基化工序并行地，向所述基板的表面供给清洗药液，来清洗该基板的表面。2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述甲硅烷基化工序包括：向所述基板的表面供给液体的甲硅烷基化剂的工序。3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，所述药液清洗工序包括：在进行所述甲硅烷基化工序之后，向所述基板的表面供给所述清洗药液的后供给工序。4.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，所述药液清洗工序包括：与所述甲硅烷基化工序并行地，向所述基板的表面供给所述清洗药液的并行供给工序。5.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理方法，其中，还包括：与所述甲硅烷基化工序并行地，或者在进行所述甲硅烷基化工序之前，对所述基板的表面进行物理清洗的物理清洗工序。6.根据权利要求1至5中任一项所述的基板处理方法，其中，还包括：与所述甲硅烷基化工序并行地，对所述基板进行加热的基板加热工序。7.根据权利要求1至6中任一项所述的基板处理方法，其中，还包括：在进行所述甲硅烷基化工序之前，在所述基板的表面形成氧化膜的氧化膜形成工序。8.根据权利要求1至7中任一项所述的基板处理方法，其中，所述清洗药液为氨过氧化氢水溶液的混合液。9.根据权利要求1至7中任一项所述的基板处理方法，其中，所述清洗药液为硫酸过氧化氢水溶液的混合液。10.根据权利要求1至9中任一项所述的基板处理方法，其中，所述细微图案包括通过等离子CVD法制作的SiN膜。11.一种基板处理装置，是用于对表面具有含有膜的细微图案的基板实施清洗处理的基板处理装置，其中，包括：甲...

【专利技术属性】
技术研发人员：太田乔，日野出大辉，
申请(专利权)人：株式会社斯库林集团，
类型：发明
国别省市：日本,JP