用于沉积的监控系统与操作该系统的方法技术方案

一种监控与沉积控制系统以及该系统的操作方法包含：沉积腔室，用于在基板上沉积材料层；传感器阵列，用于在沉积期间监控在材料层层厚度改变的材料层沉积；及处理单元，用于根据在沉积期间层厚度的改变来调整沉积参数。

Monitoring system for deposition and method of operating the system

Contains a monitoring and control of sedimentary system and the system of operation method: deposition chamber for depositing material layer on a substrate; a sensor array for monitoring material layer is deposited on the material layer thickness change during deposition; and a processing unit, used to adjust the parameters according to the thickness of sedimentary layer in the deposition period of change.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于沉积的监控系统与操作该系统的方法
本专利技术一般涉及一种监控与控制系统，且更特别的涉及一种用于沉积系统中的监控与工艺控制系统，其包含用于制造极紫外线光刻掩膜空白板的系统。
技术介绍
极紫外线光刻(EUVL，也被称为软性X射线投影光刻，并也被缩写为EUV)为一种取代深紫外光光刻的竞争技术，用于制造14纳米(及更小)最小特征尺寸的半导体器件。然而，一般在5至40纳米波长范围中的极紫外线，几乎被所有材料强烈吸收。因为此理由，极紫外线系统是利用光的反射方式而不是光的透射方式来工作。通过使用一连串的镜面(或透镜元件)以及涂覆有非反射性吸收剂掩膜图案的反射元件(或掩膜空白板)，经图案化的光化光(actiniclight)被反射至涂覆抗蚀剂的半导体晶片上。极紫外线光刻系统的这些透镜元件与掩膜空白板涂覆有像是钼和硅的材料的反射多层涂层，。使用涂覆有多层涂层的基板，已经可以获得每个透镜元件或掩膜空白板具有大约65％的反射数值，这些涂层强烈反射在极窄的紫外光带通中的单一波长的光；例如对于13纳米紫外光而言的12至14纳米带通。在半导体处理技术中具有各种的缺陷类型，这些缺陷类型在掩膜中造成问题。举例而本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于监控与沉积控制系统的操作方法，包括：在基板上沉积材料层；在沉积期间，监控关于所述材料层的层厚度的改变的所述材料层的沉积；及根据在沉积期间所述材料层的所述层厚度的所述改变，来调整沉积参数。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.12.19 US 62/094,270;2015.08.28 US 14/839,6561.一种用于监控与沉积控制系统的操作方法，包括：在基板上沉积材料层；在沉积期间，监控关于所述材料层的层厚度的改变的所述材料层的沉积；及根据在沉积期间所述材料层的所述层厚度的所述改变，来调整沉积参数。2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：侦测所述材料层中的错误；根据所述材料层中的所述错误，来产生警告；及根据所述警告，来摒弃所述基板与所述材料层。3.根据权利要求1所述的方法，其中监控所述材料层的沉积包含：产生瞄准所述材料层的光输出；收集作为离开所述材料层的反射光的所述光输出；及测定所述反射光的光谱，以测定所述材料层的性质。4.根据权利要求1所述的方法，其中监控所述材料层的沉积包含：产生瞄准所述材料层的光输出；收集作为离开所述材料层的反射光的所述光输出；测定所述反射光的光谱；及将所述反射光的所述光谱正规化为所述反射光的所述光谱的波长平均值。5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在沉积所述材料层之前，对于具有已知光谱反应的参考样本进行校准。6.一种监控与沉积控制系统，包括：沉积腔室，用于在基板上沉积材料层；传感器阵列，用于在沉积期间监控关于所述材料层的层厚度的改变的所述材料层的沉积；及处理单元，用于根据在沉积期间所述层厚度的所述改变，来调整沉积参数。7.根据权利要求6所述的系统，其中：所述传感器阵列...

【专利技术属性】
技术研发人员：爱德华·W·布迪亚图，马耶德·A·福阿德，拉尔夫·霍夫曼，托马斯·诺瓦克，托德·伊根，梅迪·瓦泽艾拉瓦尼，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US