半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种在第1基板(10)与第2基板(20)的凹部(20c)之间构成有真空的气密室(30)的半导体装置的制造方法，其中，具有下述工序：准备含有硅的所述第1及第2基板，对所述第1及第2基板进行接合，进行用于排出所述气密室内的氢气(31)的加热处理，在所述接合前在所述第1及第2基板的凹部的壁面上生成OH基。在所述接合中，使所述第1及第2基板的OH基共价键合。在所述加热处理中，以1℃/sec以下的升温速度进行加热，使所述第1及第2基板的生成有所述OH基的部分达到700℃以上而生成氢气，以所述氢气的扩散距离达到所述气密室的壁面与大气之间的最短距离以上的方式调整加热温度及加热时间，从而从所述气密室排出所述氢气。

Method for manufacturing semiconductor device

The invention provides a substrate in first (10) and second (20) of the substrate (20c) is formed between the concave chamber (30) which has a vacuum method, semiconductor device manufacturing, has the following steps: preparing the first and silicon containing 2 base on the first and 2 base in the engagement, which is used for discharging the indoor air hydrogen (31) heating treatment, in the engagement before the first and the 2 concave part of the substrate on the wall surface of the formation of OH base. In the bonding, the OH base of the first and 2 substrates is covalently bonded. In the heating process, is heated to 1 DEG /sec below the heating rate, the first and 2 generation of the OH substrate base part reach more than 700 DEG C and generate hydrogen, the hydrogen diffusion in the short distance to the most between the chamber wall and the atmosphere from above the way to adjust the heating temperature and heating time, in order to discharge the hydrogen from the gas chamber.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置的制造方法本申请基于2015年2月16日提出的日本专利申请第2015-27738号及2015年12月11日提出的日本专利申请第2015-242400号，在此引用其记载内容。
本公开涉及以在第1基板与第2基板之间构成气密室的方式接合第1基板和第2基板而成的半导体装置的制造方法。
技术介绍
以往，作为在第1基板与第2基板之间构成有气密室的半导体装置，提出了以下的半导体装置(例如参照专利文献1)。也就是说，在该半导体装置中，在第1基板中形成有检测角速度的传感检测部。此外，第2基板在与第1基板的一面中的传感检测部相对的部分中形成有凹部。而且，该第2基板以构成用包含第1基板与凹部之间的空间密封传感检测部的气密室的方式与第1基板接合。再者，将气密室形成为真空压。这样的半导体装置按以下进行制造。也就是说，首先，在第1基板中形成检测角速度的传感检测部，同时在第2基板中形成凹部。然后，以气密室构成为用包含第1基板和凹部之间的空间密封传感检测部的方式，接合第1基板和第2基板，由此进行制造。可是，在第1基板和第2基板的接合中，已知通过在第1基板和第2基板的接合面形成OH基，使各接合面的OH基彼此本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，其中，所述半导体装置具备：具有一面(10a)的第1基板(10)；和第2基板(20)，所述第2基板(20)具有一面(20a)及与所述一面成相反侧的另一面(20b)，在所述一面侧形成凹部(20c)，该一面以与所述第1基板的一面相对的状态与所述第1基板接合，以包含所述第1基板与所述第2基板的凹部之间的空间的方式构成气密室(30)，所述气密室形成为真空；所述半导体装置的制造方法具备以下工序：准备含有硅的所述第1基板的工序、准备在所述第2基板的所述一面上形成有所述凹部、并含有硅的所述第2基板的工序、以构成所述气密室的方式，将所述第1基板的一面与所述第2基板的一面接合的工序、进行...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.02.16 JP 2015-027738;2015.12.11 JP 2015-242401.一种半导体装置的制造方法，其中，所述半导体装置具备：具有一面(10a)的第1基板(10)；和第2基板(20)，所述第2基板(20)具有一面(20a)及与所述一面成相反侧的另一面(20b)，在所述一面侧形成凹部(20c)，该一面以与所述第1基板的一面相对的状态与所述第1基板接合，以包含所述第1基板与所述第2基板的凹部之间的空间的方式构成气密室(30)，所述气密室形成为真空；所述半导体装置的制造方法具备以下工序：准备含有硅的所述第1基板的工序、准备在所述第2基板的所述一面上形成有所述凹部、并含有硅的所述第2基板的工序、以构成所述气密室的方式，将所述第1基板的一面与所述第2基板的一面接合的工序、进行用于排出所述气密室内的氢气(31)的加热处理的工序、在接合所述第1基板的一面与所述第2基板的一面之前，在所述第1基板...

【专利技术属性】
技术研发人员：早川裕，与仓久则，
申请(专利权)人：株式会社电装，
类型：发明
国别省市：日本,JP