GaN基激光器及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种氮化镓基激光器的制备方法，其包括以下步骤：S1：在氮化镓衬底上依次生长n型限制层、下波导层、量子阱有源区、复合上波导层、p型电子阻挡层、p型限制层、p型欧姆接触层；S2：将p型欧姆接触层、p型限制层、p型电子阻挡层和复合上波导层刻蚀成激光器脊型；S3：在制作成的脊型上生长一层氧化膜，并采用光刻的方法制作p型欧姆电极；S4：将氮化镓衬底减薄、清洗，并在上面制作n型欧姆接触电极；S5：进行解理、镀膜，然后封装在管壳上，制成一种具有复合上波导层的氮化镓基激光器，完成制备。本发明专利技术还提供了一种氮化镓基激光器。本发明专利技术可以提高电子阻挡层的有效势垒，提高光功率和斜率效率。

GaN base laser and preparation method thereof

The invention provides a preparation method of a gallium nitride based laser, which comprises the following steps: S1: growth on GaN substrate in sequence type N restriction layer, a waveguide layer, a quantum well active region, composite waveguide layer, P type, P type electron blocking layer limiting layer, P type ohmic contact layer; S2 the P type ohmic contact layer, limiting layer and the P type P type electron blocking layer and the waveguide layer is etched into a composite laser ridge; S3: growing a layer of oxide film on the ridge produced, and the lithography method of making p type ohmic electrode; S4: GaN substrate thinning, cleaning and, n type ohmic contact electrode on the top; S5: cleavage, coating, and then encapsulated in the shell, made of a gallium nitride based laser with composite waveguide layer, complete the preparation. The invention also provides a gallium nitride based laser. The invention can improve the effective barrier of the electronic barrier layer and improve the optical power and slope efficiency.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及到半导体光电子器件
，特别是一种GaN基激光器及其制备方法。
技术介绍
氮化镓基激光器的激射波长很好地覆盖整个可见光波段，并使其在激光显示、激光照明、水下通信、存储等民用及军用领域有重要应用，继而被广泛研究。氮化镓基紫光激光器中的上波导层将影响光学限制及电子阻挡层的有效势垒，继而影响光功率及斜率效率。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题鉴于上述技术问题，本专利技术提供了一种GaN基激光器及其制备方法，用以提高电子阻挡层的有效势垒，提高光功率和斜率效率。(二)技术方案根据本专利技术的一个方面，提供了一种氮化镓基激光器的制备方法，其包括以下步骤：S1：在氮化镓衬底上依次生长n型限制层、下波导层、量子阱有源区、复合上波导层、p型电子阻挡层、p型限制层、p型欧姆接触层；S2：将p型欧姆接触层、p型限制层、p型电子阻挡层和复合上波导层刻蚀成激光器脊型；S3：在制作成的脊型上生长一层氧化膜，并采用光刻的方法制作p型欧姆电极；S4：将氮化镓衬底减薄、清洗，并在上面制作n型欧姆接触电极；S5：进行解理、镀膜，然后封装在管壳上，制成一种具有复合上波导层的氮化镓基激光器，完成制备。根本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化镓基激光器的制备方法，其包括以下步骤：S1：在氮化镓衬底上依次生长n型限制层、下波导层、量子阱有源区、复合上波导层、p型电子阻挡层、p型限制层、p型欧姆接触层；S2：将p型欧姆接触层、p型限制层、p型电子阻挡层和复合上波导层刻蚀成激光器脊型；S3：在制作成的脊型上生长一层氧化膜，并采用光刻的方法制作p型欧姆电极；S4：将氮化镓衬底减薄、清洗，并在上面制作n型欧姆接触电极；S5：进行解理、镀膜，然后封装在管壳上，制成一种具有复合上波导层的氮化镓基激光器，完成制备。

【技术特征摘要】
1.一种氮化镓基激光器的制备方法，其包括以下步骤：S1：在氮化镓衬底上依次生长n型限制层、下波导层、量子阱有源区、复合上波导层、p型电子阻挡层、p型限制层、p型欧姆接触层；S2：将p型欧姆接触层、p型限制层、p型电子阻挡层和复合上波导层刻蚀成激光器脊型；S3：在制作成的脊型上生长一层氧化膜，并采用光刻的方法制作p型欧姆电极；S4：将氮化镓衬底减薄、清洗，并在上面制作n型欧姆接触电极；S5：进行解理、镀膜，然后封装在管壳上，制成一种具有复合上波导层的氮化镓基激光器，完成制备。2.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述复合上波导层为不掺杂或轻掺杂的铟镓氮层-氮化镓层-铝镓氮层的复合结构，各层厚度为0.005-0.1μm，三层总厚度为0.05-0.15μm。3.根据权利要求2所述的制备方法，其中，所述量子阱有源区的量子阱个数为1-5个，量子阱的材料为铟镓氮材料，量子阱厚度为1-10nm，量子垒材料为铟镓氮材料，量子垒的厚度为1-20nm。4.根据权利要求2或3所述的制备方法，其中，所述n型限制层的材料为n型铝镓氮材料，厚度为0.6...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵德刚，梁锋，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11