A semiconductor device including a radiation cover is disclosed. One aspect provides semiconductor devices. In this embodiment, the semiconductor device includes a semiconductor substrate having a lower surface and an upper surface, and a heat shield configured to attach to an upper surface of the semiconductor substrate. In this embodiment, at least one of the semiconductor substrate or the radiation cap has a plurality of openings extending therethrough. According to this, a semiconductor device further comprises a plurality of openings extending through the operation of the semiconductor substrate and bonding or cooling cover in another in the semiconductor substrate and the heat radiating cover and a plurality of fasteners connected.
【技术实现步骤摘要】
本申请总地涉及半导体器件,并且更具体地,涉及包括散热盖的半导体器件,和用于其组装的方法。
技术介绍
热耗散对于现代的半导体器件而言是一个重要的问题,特别是对于生成大量热的那些半导体器件,诸如视频处理半导体器件。本领域需要的是能够适应前述的大量热的经改进的半导体器件设计。
技术实现思路
一个方面提供半导体器件。在该实施例中,半导体器件包括具有下表面和上表面的半导体衬底,以及配置为附接到半导体衬底的上表面的散热盖。在该实施例中,半导体衬底或者散热盖中的至少一个具有延伸完全地穿过其的多个开口。根据该方面,半导体器件进一步包括可操作为延伸穿过该多个开口并且接合半导体衬底或者散热盖中的另一个以将半导体衬底和散热盖附接的多个紧固件。又一个方面提供用于组装半导体器件的方法。在该方面中,用于组装半导体器件的方法包括:1)获得具有下表面和上表面的半导体衬底,2)获得散热盖,其中半导体衬底或者散热盖中的至少一个具有延伸完全地穿过其的多个开口,3)将散热盖和半导体衬底相对于彼此放置,以及4)延伸多个紧固件穿过多个开口以接合半导体衬底或散热盖中的另一个并且将半导体衬底和散热盖附接。附图说明现在结合附图对下面的描述进行参考,其中:图1A-1D示出了根据本公开的实施例所配置的半导体器件的代表性实施例的各方面;图2A-2D示出了根据本公开的实施例所配置的半导体器件的代表性实施例的各可 ...
【技术保护点】
一种半导体器件,包括:半导体衬底,其具有下表面和上表面;散热盖,其配置为附接到所述半导体衬底的所述上表面,其中所述半导体衬底或者所述散热盖中的至少一个具有延伸完全地穿过其的多个开口;以及多个紧固件,其可操作为延伸穿过所述多个开口并且接合所述半导体衬底或所述散热盖中的另一个以将所述半导体衬底和所述散热盖附接。
【技术特征摘要】
2012.11.21 US 13/683,0101.一种半导体器件,包括:
半导体衬底,其具有下表面和上表面;
散热盖,其配置为附接到所述半导体衬底的所述上表面,其中所述半
导体衬底或者所述散热盖中的至少一个具有延伸完全地穿过其的多个开
口;以及
多个紧固件,其可操作为延伸穿过所述多个开口并且接合所述半导体
衬底或所述散热盖中的另一个以将所述半导体衬底和所述散热盖附接。
2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述多个开口延伸完全地
穿过所述半导体衬底,并且进一步地,其中所述多个紧固件是可操作为延
伸穿过所述半导体衬底并且接合所述散热盖的有螺纹的公紧固件。
3.根据权利要求2所述的半导体器件,进一步包括与所述散热盖相关
联并且配置为接合所述有螺纹的公紧固件的有螺纹的母构件。
4.根据权利要求2所述的半导体器件,其中所述有螺纹的公紧固件接
合所述散热盖,使所述有螺纹的公紧固件的一部分沿所述半导体衬底的所
述下表面裸露,其中所述有螺纹的公紧固件的所裸露的部分是所述有螺纹
的公紧固件的头的至少一部分,并且进一步包括布置在所述半导体衬底的
所述下表面上的球栅阵列,其中所述球栅阵列中的一个或多个球的厚度大
致等于所述所裸露的部分的厚度。
5.根据权利要求1所述的半导体器件,进一步包括定位于所述半导体
衬底的上表...
【专利技术属性】
技术研发人员:苏尼尔·潘迪,权振秀,埃尔尼·奥皮尼诺,
申请(专利权)人:辉达公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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