The present invention provides an organic light emitting diode (OLED) display device, the organic light emitting diode (OLED) display device includes: a substrate: an insulating layer on the substrate; alignment mark, formed by insulating material layer on the surface of the lower surface of the insulation contact alignment mark.
【技术实现步骤摘要】
本申请要求于2012年11月21日在韩国知识产权局提交的第10-2012-0132605号韩国专利申请的优先权和权益，该申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
本专利技术的一个或多个实施例涉及一种有机发光二极管（OLED）显示设备以及一种制造该有机发光二极管（OLED）显示设备的方法。
技术介绍
有机发光二极管（OLED）显示设备包括位于基板上的OLED和电路器件（诸如薄膜晶体管（TFT））。为了形成电路器件和发光二极管（LED），可以使用诸如光刻工艺和蚀刻工艺的图案化工艺。可以使用对准标志来精确地图案化。然而，如果在制造过程期间表面被损坏，则在后续的工艺中不能识别对准标志。例如，在切割母基板以形成多个面板的过程中，由于表面损坏导致对准标志不会被识别。
技术实现思路
本专利技术的一个或多个实施例包括具有可识别的对准标志的有机发光二极管（OLED）显示设备。本专利技术的一个或多个实施例包括制造包括可识别的对准标志的OLED显示设备的方法...
【技术保护点】
一种有机发光二极管显示设备，所述有机发光二极管显示设备包括：基板：绝缘层，位于基板上；对准标志，包括绝缘材料，其中，绝缘层的上表面接触对准标志的下表面。
【技术特征摘要】
2012.11.21 KR 10-2012-01326051.一种有机发光二极管显示设备，所述有机发光二极管显示设备包括：
基板：
绝缘层，位于基板上；
对准标志，包括绝缘材料，
其中，绝缘层的上表面接触对准标志的下表面。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示设备，其中，对准标志包括
有机绝缘材料。
3.如权利要求1所述的有机发光二极管显示设备，其中，绝缘层直接接
触对准标志的下表面。
4.如权利要求1所述的有机发光二极管显示设备，其中，绝缘层包括位
于基板上的下绝缘层和位于下绝缘层上的上绝缘层，其中，有机发光二极管
显示设备还包括在下绝缘层和上绝缘层之间的辅助对准标志，其中，辅助对
准标志位于对准标志下面，并且与对准标志相对应。
5.如权利要求4所述的有机发光二极管显示设备，其中，辅助对准标志
包括半导体材料，其中，下绝缘层包括缓冲层，其中，上绝缘层包括栅极绝
缘层和位于栅极绝缘层上的层间绝缘层。
6.如权利要求4所述的有机发光二极管显示设备，其中，辅助对准标志
包括导电材料，其中，下绝缘层包括栅极绝缘层，其中，上绝缘层包括层间
绝缘层。
7.如权利要求6所述的有机发光二极管显示设备，其中，辅助对准标志
具有包括透明导电材料层和金属层的堆叠结构。
8.如权利要求1所述的有机发光二极管显示设备，所述有机发光二极管
显示设备还包括：
薄膜晶体管，位于基板上；
像素电极，电连接到薄膜晶体管；
像素限定层，暴露像素电极的一部分并限定像素；
有机发光层，有机发光层的至少一部分位于像素电极的被像素限定层暴
露的部分上，
其中，像素限定层包括与对准标志的绝缘材料的材料相同的材料。
9.如权利要求8所述的有机发光二极管显示设备，其中，薄膜晶体管包
括：有源层，包括源区、漏区和位于源区和漏区之间的沟道区；栅电极，栅
电极的至少一部分与沟道区叠置，
其中，绝缘层包括位于有源层的沟道区和栅电极的所述至少一部分之间
的栅极绝缘层以及位于栅极绝缘层上的层间绝缘层。
10....
【专利技术属性】
技术研发人员：李昶昊，朴钟贤，许成权，柳春基，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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