用于校正从存储器装置访问的数据中的错误的设备及方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种用于校正在从存储器装置访问的数据中的错误的设备及方法。执行读操作以从存储器装置输出多个读取符号。随后根据多个读取符号确定伴随式信息，之后纠错电路使用伴随式信息执行纠错过程以定位含有错误的读取符号并校正在这些定位读取符号中的错误。若含有错误的读取符号是随机分布的，则可以此方式定位且校正多达PMAX个读取符号。错误追踪电路被配置在检测到达到错误阈值条件时，将至少一个存储器区域设置为擦除存储器区域。纠错电路将擦除存储器区域的每个读取符号视为含有错误的定位读取符号，从而使得：当执行纠错过程时，并非所有的待定位读取符号都是随机分布的且因此可定位及校正多于PMAX个含有错误的读取符号。

Apparatus and method for correcting errors in data accessed from memory devices

The present invention provides an apparatus and method for correcting errors in data accessed from a memory device. A read operation is performed to output a plurality of read symbols from the memory device. Subsequently, the accompanying information is determined according to a plurality of read symbols, and then the error correction circuit performs the error correction process using the accompanying information to locate an error containing read symbol and to correct errors in these positioning read symbols. If the erroneous read symbols are randomly distributed, this method can be positioned and corrected as many as PMAX reading symbols. The error tracking circuit is configured to set at least one memory area to erase the memory region when the error threshold condition is detected. The error correction circuit will each erase memory area read the symbol as containing the wrong location read symbols, so that: when an error correction process, not all to be positioned reading symbols are randomly distributed and thus can locate and correct more than PMAX with error reading symbol.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于校正从存储器装置访问的数据中的错误的设备及方法。
技术介绍
使用纠错码（errorcorrectioncodes，ECC）来保护数据包免受各种形式的数据损坏是众所周知的。通常，这是通过将数据包视为一系列固定长度的数据符号并接着添加若干ECC符号以使数据符号及ECC符号共同形成码字来实现的。如果利用该技术在形成码字时添加了m个ECC符号，则多达m/2个随机定位符号错误可在码字内被定位及校正。存在各种已知的用于生成码字的符号的ECC编码技术。举例而言，一种技术使用里德所罗门码（ReedSolomoncode），里德所罗门码是基于伽罗瓦域（Galoisfield）数学的并且具有使其适合于硬件实现的性质。该ECC编码技术的一种实际应用是在存储器装置方面，例如使用DRAM（动态随机存取存储器）的存储器装置。这种存储器装置的一个已知布置包括提供若干的双列存储器模块（DualInlineMemoryModule，DIMM），其中每个DIMM由电路板上的若干DR本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种设备，包括：存储器装置，包含多个存储器区域并且被配置为存储数据符号及关联的纠错码ECC符号；读取电路，被配置为执行读操作以从所述存储器装置中输出多个读取符号，所述读取符号包含n个数据符号及关联的m个纠错码符号，以及包含来自每个存储器区域的多于一个读取符号，n及m两者都为大于1的整数值；伴随式译码器，被配置为根据所述n个数据符号及关联的m个纠错码符号确定伴随式信息；纠错电路，被配置为响应于指示至少一个读取符号中存在错误的所述伴随式信息，执行纠错过程来试图定位每个含有错误的读取符号并校正这些定位读取符号中的每一个中的错误，如果含有错误的读取符号随机分布于所述多个读取符号中，则所述纠错电路被配置...

【技术特征摘要】
2012.11.20 US 13/681,7891.一种设备，包括：
存储器装置，包含多个存储器区域并且被配置为存储数据符号及关联
的纠错码ECC符号；
读取电路，被配置为执行读操作以从所述存储器装置中输出多个读取
符号，所述读取符号包含n个数据符号及关联的m个纠错码符号，以及包
含来自每个存储器区域的多于一个读取符号，n及m两者都为大于1的整
数值；
伴随式译码器，被配置为根据所述n个数据符号及关联的m个纠错码
符号确定伴随式信息；
纠错电路，被配置为响应于指示至少一个读取符号中存在错误的所述
伴随式信息，执行纠错过程来试图定位每个含有错误的读取符号并校正这
些定位读取符号中的每一个中的错误，如果含有错误的读取符号随机分布
于所述多个读取符号中，则所述纠错电路被配置为：如果所述多个读取符
号中含有错误的读取符号不多于PMAX，使用所述纠错过程来定位且校正
这些错误；以及
错误追踪电路，被配置为追踪含有错误的所述定位读取符号来源于哪
些存储器区域，并且在检测到达到错误阈值条件时，将来自所述多个存储
器区域的至少一个存储器区域设置为擦除存储器区域；
所述纠错电路响应于由所述错误追踪电路设置的擦除存储器区域，将
来自所述擦除存储器区域的每个读取符号视为含有错误的定位读取符号，
从而使得当执行所述纠错过程时，并非所有的待定位的所述读取符号都是
随机分布的，并且如果所述多个读取符号的不多于x个读取符号含有错
误，则所述纠错电路被配置为定位及校正所述错误，其中x大于PMAX。
2.如权利要求1所述的设备，其中：
如果所述擦除存储器区域中的读取符号的总数为q，则所述纠错电路
被配置为校正在来自所述擦除存储器区域的所有q个读取符号中的错误，
另外，校正在未设置为所述擦除存储器区域的任意存储器区域中的多达p

\t个读取符号中的错误，其中：
p=(m－q)/2，
其中m大于或等于q，p及q为大于或等于0的整数值。
3.如权利要求1所述的设备，其中PMAX等于m/2。
4.如权利要求1所述的设备，其中x的最大值QMAX为m。
5.如权利要求3所述的设备，其中：
在所述读操作期间，由所述读取电路输出的所述多个读取符号包含来
自每个存储器区域的多于PMAX个读取符号。
6.如权利要求1所述的设备，其中所述读操作为包含多个差拍的突
发读操作，且每个存储器区域在每个差拍期间被访问。
7.如权利要求6所述的设备，其中在所述多个读取符号中存在至少
与存在于所述突发读操作中的差拍一样多的纠错码符号。
8.如权利要求7所述的设备，其中所述突发读操作中存在m个差
拍。
9.如权利要求1所述的设备，其中所述存储器装置包含多个存储器
芯片，每个存储器芯片形成所述多个存储器区域中的一个存储器区域。
10.如权利要求9所述的设备，其中：
所述存储器装置包含双列存储器模块DIMM；
每个存储器芯片具有关联的数据信道；以及
所述读操作为包含多个差拍的突发读操作，在每个差拍期间从每个存
储器芯片经由与其关联的数据信道读取至少一个数据单元。
11.如权利要求10所述的设备，其中所述数据单元为一个字节或者
一个四位字。
12.如权利要求11所述的设备，其中在每个差拍期间，每个存储器
芯片输出一个字节，并且每个读取符号包含所述字节中的一个。
13.如权利要求11所述的设备，其中在每个差拍期间，每个存储器
芯片输出一个四位字，且每个读取符号由在连续差拍内的通过相同数据信
道输出的两个四位字形成。
14.如权利要求1所述的设备，其中所述读取符号形成里德所罗门

\t码。
15.如权利要求1所述的设备，其中所述错误追踪电路被配置为至少
基于以下指示来确定是否检测到所述错误阈值条件，所述指示为：对于当
前读操作，含有错误的定位读取符号来源于哪些存储器区域。
16.如权利要求15所述的设备，其中所述错误追踪电路被配置为保
存对...

【专利技术属性】
技术研发人员：迈克尔·安德鲁·坎贝尔，蒂莫西·尼古拉斯·海，
申请(专利权)人：ARM有限公司，
类型：发明
国别省市：英国;GB