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偏置集成电路封装互连制造技术

技术编号:16284845 阅读:41 留言:0更新日期:2017-09-24 10:09
公开了偏置集成电路封装互连。本发明专利技术的一个实施例阐述包括衬底、集成电路裸片以及多个焊料凸块结构的集成电路封装。衬底包括布置在衬底的第一表面上的第一多个互连。集成电路裸片包括布置在集成电路裸片的第一表面上的第二多个互连。多个焊料凸块结构将第一多个互连耦连到第二多个互连。第一多个互连配置为当集成电路封装处于大约0℃到大约-100℃的范围内的第一温度时与第二多个互连大致对齐。第一多个互连配置为当集成电路封装处于高于第一温度的温度时与第二多个互连偏置。

Bias integrated circuit package interconnect

A bias integrated circuit package interconnect is disclosed. An embodiment of the present invention relates to an integrated circuit package including a substrate, an integrated circuit, a bare sheet, and a plurality of solder bump structures. The substrate includes a first plurality of interconnects disposed on the first surface of the substrate. Integrated circuit die arrangement includes first surface of the integrated circuit die on the more than 2 interconnection. A plurality of solder bump structure a first plurality of interconnect coupled to the more than 2 interconnection. The first plurality of interconnect configurations when the integrated circuit package at about 0 DEG C to the first temperature range of about -100 DEG C within roughly more than 2 interconnected with the alignment. The first plurality of interconnect configurations when the integrated circuit package in higher than the first temperature and the more than 2 interconnection bias.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施例总地涉及集成电路封装互连。
技术介绍
集成电路(IC)制造是包括诸如图案化、沉积、蚀刻以及金属化的工艺的多步骤序列。典型地,在最后的处理步骤中,产生的IC裸片(die)被分开并且封装。IC封装服务数个目的,包括给电接口提供裸片、提供热量可通过其从裸片移除的热介质和/或在随后的使用和处置期间为裸片提供机械保护。一类IC封装技术被称为“倒装芯片(flipchip)”封装。在倒装芯片封装中,在金属化工艺完成之后,焊料凸块结构(例如焊料球、焊盘等)沉积在裸片上,并且裸片与晶片(例如经由切割、切削等)分开。裸片随后被倒置并且定位在衬底上,使得焊料凸块与形成在衬底上的电连接对齐。经由焊料回流工艺施加热量以重熔(re-melt)焊料凸块并且将裸片附接到衬底。裸片/衬底组装可进一步利用非导电粘合剂进行底部填充来加固裸片和衬底之间的机械连接。IC制造技术已使能具有越来越高的晶体管密度的较大尺寸的裸片的生产。因此,IC封装技术已遭遇对于提供支持必要数目的电连本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路封装,包括:衬底,其具有第一热膨胀系数并且包括布置在所述衬底的第一表面上的第一多个互连;集成电路裸片,其具有第二热膨胀系数并且包括布置在所述集成电路裸片的第一表面上的第二多个互连;以及多个焊料凸块结构,其将所述第一多个互连耦连到所述第二多个互连,其中所述第一多个互连配置为当所述集成电路封装处于大约0℃到大约‑100℃的范围内的第一温度时与所述第二多个互连大致对齐,以及所述第一多个互连配置为当所述集成电路封装处于高于所述第一温度的温度时与所述第二多个互连偏置。

【技术特征摘要】
2012.11.21 US 13/683,3851.一种集成电路封装,包括:
衬底,其具有第一热膨胀系数并且包括布置在所述衬底的第一表面上
的第一多个互连;
集成电路裸片,其具有第二热膨胀系数并且包括布置在所述集成电路
裸片的第一表面上的第二多个互连;以及
多个焊料凸块结构,其将所述第一多个互连耦连到所述第二多个互连,
其中所述第一多个互连配置为当所述集成电路封装处于大约0℃到大
约-100℃的范围内的第一温度时与所述第二多个互连大致对齐,以及
所述第一多个互连配置为当所述集成电路封装处于高于所述第一温度
的温度时与所述第二多个互连偏置。
2.根据权利要求1所述的集成电路封装,其中所述第一温度在大约-25
℃到大约-100℃的范围内。
3.根据权利要求1所述的集成电路封装,其中所述第一温度在大约-50
℃到大约-100℃的范围内。
4.根据权利要求1所述的集成电路封装,其中所述第一多个互连中的
每个互连的偏置配置根据:
每个互连离所述衬底的参考点的距离;以及
所述第一热膨胀系数和所述第二热膨胀系数之间的差;
5.根据权利要求1所述的集成电路封装,其中所述第一多个互连中的
每个互连的偏置与每个互连离所述衬...

【专利技术属性】
技术研发人员:张蕾蕾祖海尔·博哈里
申请(专利权)人:辉达公司
类型:发明
国别省市:美国;US

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