一种以合金为还原剂的硅基材料制备方法技术

本发明专利技术涉及一种以合金为还原剂的硅基材料制备方法。该方法以二氧化硅为前驱体，机械混合合金还原剂和低熔点盐、压块，然后在真空或惰性气氛、150～600℃烧结2～10h；然后盐酸洗涤、水洗，烘干获得硅基材料；二氧化硅为MCM‑41，MCM‑48，MCM‑50，SBA‑15的一种；合金还原剂为镁合金和铝合金的一种；镁合金为镁铝、镁锂、镁钙、镁钠的一种；铝合金为铝钠、铝锂、铝钙、铝钾的一种；低熔点盐为氯化铝、溴化铝、氯化锌、溴化锌的一种；合金与二氧化硅的摩尔比2～4；低熔点盐与二氧化硅的摩尔比为3～10；本发明专利技术制备的硅基材料颗粒尺寸小，多孔结构，可用于锂离子电池负极材料或便携式制氢材料，具有非常好的应用前景。

Method for preparing silicon base material using alloy as reducing agent

The invention relates to a method for preparing silicon based material with alloy as reducing agent. The method using silica as the precursor, mechanical mixing and low melting point alloy reducing agent, salt block, and then in a vacuum or inert atmosphere, 150 ~ 600 DEG C sintering of 2 ~ 10h; then hydrochloric acid washing, water washing, drying to obtain silicon based materials; silica MCM 41, MCM 48 MCM 50,, a 15 kinds of SBA; reducing agent of magnesium alloy and alloy Aluminum Alloy a magnesium alloy; as a magnesium, magnesium, calcium and magnesium lithium magnesium sodium; a Aluminum Alloy aluminum sodium, aluminum, aluminum, aluminum lithium calcium potassium salt; low melting point is a kind of aluminum chloride, bromide aluminum, zinc chloride, zinc bromide; molar ratio of alloy and silicon dioxide 2 ~ 4; the molar ratio of low melting point salts and silica is 3 ~ 10; particles of silicon based materials prepared by the invention has small size, porous structure, can be used as anode materials for lithium ion batteries or portable hydrogen production materials, has a very good Application prospect.

【技术实现步骤摘要】
一种以合金为还原剂的硅基材料制备方法
本专利技术涉及一种电极材料的制备方法，具体涉及一种以合金为还原剂的硅基材料制备方法。
技术介绍
硅储量丰富、储锂容量高，是非常有应用前景的锂离子电池负极材料。但单质硅存在导电性能差，与锂结合后体积膨胀大而使活性物质从电极表面脱落等问题，制约了硅电极材料的推广和应用。目前，科研人员采用导电性好、比表面积大的金属、碳材料和聚合物表面包覆硅，一定程度提高了硅电极材料的电化学性能。Magasinski[MagasinskiA，DixonP，HertzbergB，KvitA，AyalaJ，YushinG.Nat.Mater.，2010，9(4)：353-358.]热处理炭黑，采用CVD法将纳米硅沉积炭黑表面，获得硅碳复合材料。该材料显示较好的电化学性能。Kummer[KummerM，BadilloJP，SchmitzA.JElectrochemSoc，2014，161(1)：A40-A45.]等制备n-Si/PANi复合材料，该材料显示较好的导电性、柔韧性，有效压制硅在充放电循环中的体积变化。Wang[WangX，WenZ，LiuY，WuX.Electro本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种以合金为还原剂的硅基材料制备方法，其特征在于：硅基材料以二氧化硅为前驱体，机械混合合金还原剂和低熔点盐、压块，然后在真空或惰性气氛、150～600℃烧结2～10h；然后盐酸洗涤、水洗，烘干获得硅基材料；二氧化硅为MCM‑41，MCM‑48，MCM‑50，SBA‑15的一种；合金还原剂为镁合金和铝合金的一种；镁合金为镁铝、镁锂、镁钙、镁钠的一种；铝合金为铝钠、铝锂、铝钙、铝钾的一种；低熔点盐为氯化铝、溴化铝、氯化锌、溴化锌的一种；合金与二氧化硅的摩尔比2～4；低熔点盐与二氧化硅的摩尔比为3～10；一种以合金为还原剂的硅基材料制备方法包括：1)称量一定质量的合金粉、二氧化硅和低熔点盐，氩气气氛...

【技术特征摘要】
1.一种以合金为还原剂的硅基材料制备方法，其特征在于：硅基材料以二氧化硅为前驱体，机械混合合金还原剂和低熔点盐、压块，然后在真空或惰性气氛、150～600℃烧结2～10h；然后盐酸洗涤、水洗，烘干获得硅基材料；二氧化硅为MCM-41，MCM-48，MCM-50，SBA-15的一种；合金还原剂为镁合金和铝合金的一种；镁合金为镁铝、镁锂、镁钙、镁钠的一种；铝合金为铝钠、铝锂、铝钙、铝钾的一种；低熔点盐为氯化铝、溴化铝、氯化锌、溴化锌的一种；合金与二氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：包健，范美强，田光磊，
申请(专利权)人：中国计量大学，
类型：发明
国别省市：浙江,33