带hopping跳跃成像模式的电化学成像测量方法技术

本发明专利技术提供一种带hopping跳跃成像模式的电化学成像测量方法，原理图如图2所示。实验时探针从距离样品基底H高度的位置开始向下步进，当检测到的电流达到电流阈值I时探针停止移动，记录此时探针的移动距离D，用H‑D作为这个点的检测值，然后自动返回到H高度上继续下一个点的检测。带hopping跳跃成像模式的电化学成像测量方法可以防止探针与被测样品发生刚性接触，避免损坏探针。且电化学成像测量结果中的每个检测点都足够接近被测样品表面，使电化学成像的分辨率得到显著的提高。

【技术实现步骤摘要】
带hopping跳跃成像模式的电化学成像测量方法
本专利技术涉及一种新型的用于扫描电化学显微成像领域里的带hopping跳跃成像模式的电化学成像测量方法。
技术介绍
扫描电化学显微镜(ScanningElectrochemicalMicroscopy,SECM)是显微镜的一种。基于电化学原理工作，可测量微区内物质氧化或还原所给出的电化学电流。利用驱动尖端非常小的探针在靠近样品处进行扫描，样品可以是导体、绝缘体或半导体，从而获得对应的微区电化学和相关信息，目前可达到的最高分辨率约为几十纳米。通常扫描电化学显微镜工作时采用“恒高模式”，即固定探针与基底之间的距离对基底进行二维扫描时，探针上电流变化将提供基底的形貌和相应的电化学信息。扫描电化学显微镜也可工作于“恒电流模式”，即恒定探针电流，检测探针z向位置变化以实现成像过程。对于“恒高模式”测量方法，当样品表面形貌起伏较大时，有可能导致探针与样品碰撞，损坏探针，如图1所示。对于“恒电流模式”测量方法同样存在这样的问题。为了解决这个问题可以将探针退至离样品比较远的地方，但是这样成像的分辨率不高。
技术实现思路
为了克服现有电化学成像测量方法的不足，本专利技术提供一种用于扫描电化学显微成像领域里的带hopping跳跃成像模式的电化学成像测量方法。本专利技术提供的带hopping跳跃成像模式的电化学成像测量装置示意图如图3所示，包括双恒电位仪1、计算机2、压电控制器3、三维压电平台4和检测池5。探针6、参比电极7、对电极8和被测样品9组成四电极测量系统。带hopping跳跃成像模式的电化学成像测量方法原理如图2所示，其中探针距离样品基底的高度H需要预先设定。实验时探针从距离样品基底H高度的位置开始向下步进，当检测到的电流达到电流阈值I时探针停止移动，记录此时探针的移动距离D，用H-D作为这个点的检测值，然后自动返回到H高度上继续下一个点的检测。本专利技术的特点和有益的效果是：带hopping跳跃成像模式的电化学成像测量方法可以防止探针与被测样品发生刚性接触，避免损坏探针。且电化学成像测量结果中的每个检测点都足够接近被测样品表面，使电化学成像的分辨率得到显著的提高。附图说明图1是“恒高模式”电化学成像测量方法原理图。图2是带hopping跳跃成像模式的电化学成像测量方法原理图。图3是电化学成像测量装置示意图。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种带hopping跳跃成像模式的电化学成像测量方法，其原理图如图2所示。

【技术特征摘要】
1.一种带hopping跳跃成像模式的电化学成像测量方法，其原理图如图2所示。2.其中探针距离样品基底的高度H需要预先设定。3.实验时探针从距离样品基底H高度...

【专利技术属性】
技术研发人员：牛利，韩冬雪，王伟，包宇，
申请(专利权)人：江苏卓芯电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32