The invention relates to a black phosphorus / polyethylene imine / semiconductor oxide composite material, a preparation method and an application thereof, relating to a semiconductor oxide composite material, a preparation method and an application thereof. The invention aims to solve the problem of poor selectivity and low sensitivity of the sensitive material of black phosphorus which is readily oxidized in air or water, and the existing sensitive materials for detecting nitrogen oxides at room temperature. The composite material consists of black phosphorus, polyethyleneimine and semiconductor oxide made; the preparation method comprises: firstly, preparing thin layer black phosphorus two, mixed liquid suspension; preparation; three, preparation of solution containing semiconductor oxide; four, preparation containing semiconductor oxide solution and aging; five, by hydrothermal synthesis reaction. Application: detecting nitrogen oxides. The gas sensor prepared by the composite has high sensitivity, quick response, strong selectivity and good stability, and solves the problem that phosphorus is easy to be partly oxidized in air or water. The invention is suitable for preparing gas sensitive materials and detecting nitrogen oxides.
【技术实现步骤摘要】
一种黑磷/聚乙烯亚胺/半导体氧化物复合材料及制备方法和应用
本专利技术涉及一种半导体氧化物复合材料及制备方法和应用。
技术介绍
氮氧化物NOx(NO和NO2)作为大气污染中的主要气体,大多是由燃料燃烧、汽车尾气或化工过程产生的。NOx不仅能破坏臭氧层,转化成酸雨,且在阳光下易于碳氢化合物或挥发性有机物(VOC)作用,引起呼吸道疾病,严重威胁着人类的生存与健康。因此,很多国家已经立法对NOx排放进行严格控制。如今,NOx氧化物半导体气体传感器在最近几年已经获得了广泛的关注,应用到环境监测、化学和医学行业。到目前为止,已经对N型半导体金属氧化物如SnO2,WO3和ZnO检测危险易爆气体进行了广泛的研究,相反,由于P型半导体金属氧化物对气体的灵敏度较低,所以对NiO,CuO,和Co3O4的研究较少,但其作为气体传感器具有很大的应用潜力;现役各种类型纯碳纳米材料有选择性差、灵敏度较低和响应恢复慢的缺点,但其具有特定的活性位点和强吸附能力的特点。黑磷(BP)是一种新型单元素二维原子晶体材料。与石墨烯(GS)类似,BP的分子吸附能均比MoS2和GS大得多,这使BP在传感领域具有广阔的应用前景。然而,二维层厚<55nm的BP在空气或水中极易被部分氧化变为氧化磷,因此目前单层BP器件在离子膜文献或惰性气体保护下使用居多,这成为困扰BP应用的难题。严重阻碍BP在气敏传感检测方面的应用,导致采用BP研究气敏传感还只处于起步阶段;现有技术中单独的BP可以作为气敏元件中的敏感材料,单独的BP在100ppm的灵敏度只有2.04,并且单独的BP不具备可重复性并且对于NOx没有选 ...
【技术保护点】
一种黑磷/聚乙烯亚胺/半导体氧化物复合材料,其特征在于:该黑磷/聚乙烯亚胺/半导体氧化物复合材料由黑磷、聚乙烯亚胺和半导体氧化物制成;所述半导体氧化物为氧化铜或四氧化三钴;所述四氧化三钴与聚乙烯亚胺的质量比为1:(0.2~3.5);所述氧化铜与聚乙烯亚胺的质量比为1:(0.3~2.5);所述黑磷与聚乙烯亚胺的质量比为1:(1~100)。
【技术特征摘要】
1.一种黑磷/聚乙烯亚胺/半导体氧化物复合材料,其特征在于:该黑磷/聚乙烯亚胺/半导体氧化物复合材料由黑磷、聚乙烯亚胺和半导体氧化物制成;所述半导体氧化物为氧化铜或四氧化三钴;所述四氧化三钴与聚乙烯亚胺的质量比为1:(0.2~3.5);所述氧化铜与聚乙烯亚胺的质量比为1:(0.3~2.5);所述黑磷与聚乙烯亚胺的质量比为1:(1~100)。2.如权利要求1所述的黑磷/聚乙烯亚胺/半导体氧化物复合材料的制备方法,其特征在于:该制备方法按以下步骤进行:一、称取黑磷加入到二次蒸馏水,然后向蒸馏水中加入二甲基甲酰胺和二乙二醇二甲醚,进行超声震荡剥离0.5~1h后,定溶于1000mL容量瓶中得到薄层黑磷悬浊液所述黑磷的质量与二次蒸馏水的体积比为(0.01~0.3)g:(10~30)mL;所述黑磷的质量与二甲基甲酰胺的体积比为(0.01~0.3)g:(25~35)mL;所述黑磷的质量与二乙二醇二甲醚的体积比为(0.01~0.3)g:(25~35)mL;所述黑磷的质量与容量瓶的体积比为(0.01~0.3)g:1000mL;二、向浓度为2g/L~5g/L的支链聚乙烯亚胺溶液中加入步骤一制备的薄层黑磷悬浊液,加入过程中保持机械搅拌,得到混合液;所述浓度为2g/L~5g/L的支链聚乙烯亚胺溶液的体积与薄层黑磷悬浊液的体积比为(0.8~1.2):1;三、利用pH调节剂将步骤二得到的混合溶液的pH值调至9~9.2,搅拌0.5h~1h后进行超声0.5h~1h,重新校正混合溶液的pH值至9~9.2,然后向混合溶液中滴加浓度为2g/L~6g/L的半导体氧化物溶液,得到含半导体氧化物的溶液;其中,滴加半导体氧化物溶液的过程中保持混合溶液pH值为9~9.2;所述混合溶液与半导体氧化物溶液的体积比为(1.5~2.5...
【专利技术属性】
技术研发人员:史克英,李丽,汪洋,刘洋,
申请(专利权)人:黑龙江大学,
类型:发明
国别省市:黑龙江,23
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