一种保温装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种保温装置，主要用于晶体生长时对坩埚的保温，该保温装置包括主体和上盖，所述主体内部设置有空腔，所述空腔内壁设置有内螺纹，所述主体内还设置有托盘，所述托盘外侧设置有外螺纹，并通过该外螺纹与内壁设置有内螺纹配合连接；采用这种结构的保温装置，使用时可以根据不同晶体生长的需要将托盘调节到不同的高度，之后将坩埚放置在托盘上即可，较之现有技术中采用的坩埚举升装置结构更加简单，可以适应不同晶体的加工需要。

Thermal insulation device

The utility model relates to a heat insulation device, mainly used for the thermal insulation of the crucible of crystal growth, the heat preservation device comprises a main body and an upper cover, wherein the main body is arranged inside the cavity, the inner wall of the cavity is provided with internal threads, the main body is also provided with a tray, the tray is provided with external threads outside side. And through the external thread and the inner wall is connected with the internal thread matching; the heat preservation device of the structure, use can be adjusted to different tray height according to the needs of different crystal growth, the crucible can be placed on the tray, more simple structure of the crucible lifting device compared with the prior art, can meet the needs of the processing of different crystal.

【技术实现步骤摘要】
一种保温装置
本技术涉及碳化硅生产设备
，具体涉及一种保温装置，特别是一种适用于坩埚保温的装置。
技术介绍
现有的液相法生长碳化硅晶体技术，都是通过加热的方式将硅在高纯石墨坩埚中融化，形成碳在硅中的溶液，再将头部贴付有籽晶的石墨轴伸入到溶液中进行生长；现有技术中可以通过坩埚的升降或籽晶轴的升降来实现温度的变化，但是现有的坩埚升降装置结构复杂，且由于晶体生长过程中对于温度要求很高，现有的升降装置难以适应如此高的温度，故障率极高，无法适应晶体生长的要求，而如果采用高耐热材料制备则会极大提高设备的成本和后期维护压力，因此如何解决这一问题成为现有技术中的难题。
技术实现思路
本技术针对现有技术的不足，提供了一种保温装置，主要用于晶体生长时对坩埚的保温，该保温装置包括主体和上盖，所述主体内部设置有空腔，所述空腔内壁设置有内螺纹，所述主体内还设置有托盘，所述托盘外侧设置有外螺纹，并通过该外螺纹与内壁设置有内螺纹配合连接；采用这种结构的保温装置，使用时可以根据不同晶体生长的需要将托盘调节到不同的高度，之后将坩埚放置在托盘上即可，较之现有技术中采用的坩埚举升装置结构更加简单，可以适应不同晶体的加工本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种保温装置，包括主体(1)和上盖(6)，其特征在于：所述主体(1)内部设置有空腔，所述空腔内壁设置有内螺纹(2)，所述主体(1)内还设置有托盘(3)，所述托盘(3)外侧设置有外螺纹(5)，并通过该外螺纹(5)与内壁设置的内螺纹(2)配合连接。

【技术特征摘要】
1.一种保温装置，包括主体(1)和上盖(6)，其特征在于：所述主体(1)内部设置有空腔，所述空腔内壁设置有内螺纹(2)，所述主体(1)内还设置有托盘(3)，所述托盘(3)外侧设置有外螺纹(5)，并通过该外螺纹(5)与...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱灿，刘鹏飞，宗艳民，高超，张红岩，
申请(专利权)人：山东天岳晶体材料有限公司，
类型：新型
国别省市：山东,37