元件芯片的制造方法技术

一种元件芯片的制造方法。元件芯片的制造方法包括准备基板的工序，基板具备第1主面及第2主面，并且具备作为半导体层的第1层和包含绝缘膜的第2层。包括激光划片工序，对分割区域从第1主面侧照射激光从而形成具备露出第1层的露出部的开口，在露出部以外的开口的周围形成残留了分割区域中的第2层的残留区域，在分割区域中的第1层形成包含露出部的第1层的表层部的第1损伤区域和被残留区域覆盖的第1层的表层部的第2损伤区域。包括：露出工序，使第2损伤区域露出；和等离子体切割工序，在支承构件支承了第2主面的状态下，将开口暴露于第1等离子体，与第1损伤区域以及第2损伤区域一起蚀刻第1层，分割为具备元件区域的多个元件芯片。

Method for manufacturing element chip

Method for manufacturing element chip. A method of manufacturing an element chip includes a process for preparing a substrate, a substrate having a first main surface and a 2 main surface, and a first layer having a semiconductor layer and a second layer including an insulating film. Including the laser scribing process of segmented regions from the first main surface side laser irradiation to form with opening exposing the exposed part of the first layer, second layer formed residual residual region segmentation in the area exposed outside around the opening, the first layer in the segmented regions to form second damage area first damage area first contains the exposed portion of the surface area of the residual and region first covering the surface area of the. The second step includes exposing, the damaged area exposed; and the plasma cutting process, the supporting members for supporting second main surface condition, the opening is exposed on the first and first plasma damage area and second damage region together first etching layer is divided into a plurality of element chip with area element.

【技术实现步骤摘要】
元件芯片的制造方法
本公开涉及包含激光划片工序的元件芯片的制造方法。
技术介绍
如图5A～图5C所示，元件芯片通过切割包含作为半导体层的第1层31和包含绝缘膜的第2层32的基板30来制造。基板30具备对基板30进行区划的分割区域R11和由分割区域R11划定的多个元件区域R12(图5A)。通过除去基板30的分割区域R11，从而基板30被切割，形成多个元件芯片130。专利文献1教导了利用激光L划刻了分割区域R11之后(图5B)，利用等离子体P进行蚀刻(图5C)，从而切割基板30。现有技术文献专利文献专利文献1：JP特表2013-535114号公报
技术实现思路
在激光划片工序(图5B)中，通常通过热效应在基板30形成损伤区域DR。损伤区域DR由于热传播而形成得比照射激光的分割区域R11宽。因此，之后，即使通过等离子体蚀刻除去分割区域R11，在元件区域R12，即，在被切割的元件芯片130的端面也残留损伤区域DR(图5C)。在损伤区域DR中，在结晶紊乱或多结晶的情况下，会发生晶粒的粗大化。因此，尤其是残留在第1层31的损伤区域DR，易成为第1层31解理的起点，会成为元件芯片130损伤的原因。也就本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种元件芯片的制造方法，包括：准备基板的工序，所述基板具备第1主面以及第2主面，并且具备作为半导体层的第1层和包含形成在所述第1层的所述第1主面一侧的绝缘膜的第2层，所述基板具备多个元件区域和划定所述元件区域的分割区域；激光划片工序，对所述分割区域从所述第1主面一侧照射激光，从而在所述分割区域形成具备露出所述第1层的露出部的开口，并且在所述露出部以外的所述开口的周围形成残留了所述分割区域中的所述第2层的残留区域，在所述分割区域中的所述第1层形成包含所述露出部的所述第1层的表层部的第1损伤区域和被所述残留区域覆盖的所述第1层的表层部的第2损伤区域；露出工序，在所述激光划片工序之后，至少蚀刻覆盖所...

【技术特征摘要】
2016.03.11 JP 2016-0480021.一种元件芯片的制造方法，包括：准备基板的工序，所述基板具备第1主面以及第2主面，并且具备作为半导体层的第1层和包含形成在所述第1层的所述第1主面一侧的绝缘膜的第2层，所述基板具备多个元件区域和划定所述元件区域的分割区域；激光划片工序，对所述分割区域从所述第1主面一侧照射激光，从而在所述分割区域形成具备露出所述第1层的露出部的开口，并且在所述露出部以外的所述开口的周围形成残留了所述分割区域中的所述第2层的残留区域，在所述分割区域中的所述第1层形成包含所述露出部的所述第1层的表层部的第1损伤区域和被所述残留区域覆盖的所述第1层的表层部的第2损伤区域；露出工序，在所述激光划片工序之后，至少蚀刻覆盖所述第2损伤区域...

【专利技术属性】
技术研发人员：水野文二，置田尚吾，广岛满，樱井努，松原功幸，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP