珠芽魔芋籽种繁育及种球再生栽植方法技术

本发明专利技术公开了珠芽魔芋籽种繁育及种球再生栽植方法，其特征在于，其操作方法为：1）对魔芋球茎进行诱导开花处理；2）开花后将魔芋球茎种植于土中，且雌蕊露出地面；３）种植的环境条件为：温度至少为18℃、湿度至少为55％。本发明专利技术要解决的技术问题是提供一种土地利用率高、节约能源、繁殖倍数高、大量繁殖籽种且可同时生长植株的珠芽魔芋籽种繁育及种球再生栽植方法。

Plant regeneration method amorphophallusbulbifer seed breeding and seed ball

The present invention discloses amorphophallusbulbifer seed breeding and bulb regeneration planting method, which is characterized in that the methods of operation: 1) of konjac corms were induced flowering treatment; 2) after flowering will be planted in the soil of konjac corms, and pistil above the ground; 3) planting environmental conditions: temperature of at least 18 C, humidity is at least 55%. The technical problem to be solved is to provide a high land utilization rate, energy saving, high growth rate, large population and growth of seed plants in amorphophallusbulbifer seed breeding and bulb regeneration planting method.

【技术实现步骤摘要】
珠芽魔芋籽种繁育及种球再生栽植方法
本专利技术涉及植物的种植领域，具体涉及一种珠芽魔芋籽种繁育及种球再生栽植方法。
技术介绍
魔芋是天南星科魔芋属多年生草本植物，是迄今发现的唯一能大量合成葡甘聚糖的植物种群，主要分布在亚洲和非洲的热带及亚热带地区，仅少数亚洲国家有栽培，中国、日本较普遍。云南省为中国魔芋(Amorphophallusspp)产业发展的发源地。中国是世界魔芋产量最大的国家，占世界总产量的60％，魔芋产业为中西部地区农业产业结构调整、农民脱贫致富的支柱产业之一。对于魔芋的繁殖方法，国内外规模种植的魔芋种为花魔芋、白魔芋及其二者的杂交品种，均为雌雄同株、异花授粉的有性繁殖方式，结种子成功率极低，一般不到2％。传统魔芋繁殖系数仅有3-6倍，基本只能采用小魔芋球茎或是繁殖根(茎)进行繁殖，使魔芋种植业的原料生产成为制约产业发展的瓶颈。魔芋开花结籽过程为有性繁殖，其杂交育种在自然环境条件下同一植株雌雄花蕊自花授粉因雌蕊早熟导致同株不育，而异株杂交成功的几率极其有限，导致魔芋果实成熟率极低，开花结子成熟率不到2％，要获得种子的机会很低，因此，魔芋一般是不能采用开花结子的办法来获得批量的种子的，生产上是通过实生种球和切块来进行生产播种，这也是传统魔芋繁殖系数仅有3-6倍的主要原因，目前人们也在进行组织培养快繁研究，但是，迄今为止仍然由于其效率低、成本高而没有在生产实际中得到应用。珠芽魔芋属大型魔芋，其茎秆粗壮，叶面积大，整张叶片伸张后表面直径可达1.5米左右，植株高度可达2米，并有多苗同体、多苗异体及花叶现象，三年生块茎重达4～6公斤。一般每公顷产量30吨，高的可达60吨以上。金魔芋(A.muelleri)属珠芽魔芋，是近年在东南亚国家及我国中缅边境一带发现的一种野生魔芋的驯化选育种。其块茎富含葡甘露聚糖，新鲜块茎包含75-80％的水分和20-25％的总干物质，其中碳水化合物为90.2％(葡甘聚糖为78％左右，淀粉、胶质、寡糖、双糖和单糖等约12％)，灰分4.0％，蛋白质3.3％，纤维1.7％。由于魔芋通常是采用球茎进行繁殖，但是其繁殖倍数低，而魔芋的开花结籽的成熟率低，也无法大量用籽种进行繁殖，因此，为了提高珠芽魔芋繁殖倍数，本专利技术人研发了一种珠芽魔芋的制种方法，已申请专利技术专利，申请号为201611001170.7，其采用将珠芽魔芋诱导开花后，然后将其球茎的4/5埋于土中，从而生长为珠芽魔芋的籽种，从而产生大量的籽种。在研发的过程中，在一次偶然的机会中，专利技术人偶然间将开花后的魔芋球茎全部埋于土中，后结果发现了意向不到的效果，魔芋植株和籽种同时存在，这种既可以使魔芋植株生长又可以生长籽种的方式，大大降低了土地的利用率，为了使得此种方式得到推广，专利技术人在后期的研发过程中，重点研发此种植的条件要求，如果能使得珠芽魔芋的籽种繁殖得到推广，将会大大提高魔芋繁殖倍数。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种土地利用率高、节约能源、繁殖倍数高、大量繁殖籽种且可同时生长植株的珠芽魔芋籽种繁育及种球再生栽植方法。为了解决上述技术问题，本专利技术提供如下技术方案：珠芽魔芋籽种繁育及种球再生栽植方法，其操作方法为：1)对魔芋球茎进行诱导开花处理；2)开花后将魔芋球茎种植于土中，且雌蕊露出地面；3)种植的环境条件为：温度至少为18℃、湿度至少为55％。采用本专利技术技术方案的珠芽魔芋籽种繁育及种球再生栽植方法，据专利技术人多次研究种植，并不是每次开花后的魔芋球茎全部埋于土中时，都能生长出植株，因此，在多次试验后，专利技术人发现，开花后的魔芋球茎，只有在温度至少为18℃、湿度至少为55％且雌蕊露出地面时才可生长出植株，且植株的生长率可达到80％以上。另外，专利技术人研究发现，采用本专利技术的方法后，籽种可提前成熟。本专利技术的有益效果是：魔芋球茎在诱导开花后，满足上述条件后，既可生长结籽又可生长出植株。而传统的魔芋球茎埋于土中进行种植植株，无法进行开花结籽；将诱导开花后魔芋球茎4/5埋于土中生长结籽，无法生长出植株，相较而言，本专利技术的方式，第一、可同时实现结籽和种植植株的双重作用，繁殖倍数高；第二、大量节省了土地资源，土地利用率高；第三、营养只供一次，节约能源。进一步，所述的步骤2)中，魔芋球茎种植于土中时，1Kg重的魔芋球茎，行距55～65cm，株距45～55cm；2Kg重的魔芋球茎，行距75～85cm，株距45～55cm；3Kg重的魔芋球茎，行距95～105cm，株距45～55cm；4Kg重的魔芋球茎，行距115～125cm，株距45～55cm。进一步，所述的步骤3)中的种植的环境条件还包括有遮阴度为30～65％。此条件也是提高魔芋球茎籽种和植株生长率的条件之一。进一步，所述的步骤2)中，种植时，采用垄栽的方式，垄的高度为20～40cm，垄的宽度为60～80cm，垄沟的宽度为20～40cm，垄上的种植深度为魔芋球茎表面覆土4～6cm。进一步，所述的步骤3)中，温度至少为23℃；湿度为60～90％。温湿度是决定魔芋球茎再生长籽种的同时生长植株的最重要的因素之一，其中，专利技术人发现，温度在23℃以上；湿度为60～90％，在生长籽种的同时植株的生长率为至少可达90％。进一步，所述的步骤2)中，魔芋球茎种植于土中时，1Kg重的种芋，行距60cm，株距50cm；2Kg重的种芋，行距80cm，株距50cm；3Kg重的种芋，行距100cm，株距50cm；4Kg重的种芋，行距120cm，株距50cm。进一步，所述的步骤3)中的种植的环境条件的遮阴度为40～60％。进一步，所述的步骤2)中，种植时，垄的高度为30cm，垄的宽度为70cm，垄沟的宽度为30cm，垄上的种植深度为魔芋球茎表面覆土5cm。进一步，所述的步骤3)中，温度为25～30℃；湿度为70～80％。在生长籽种的同时植株的生长率为至少可达95％。进一步，所述的步骤1)的魔芋球茎进行诱导开花处理为：用含有1ppm生长素(IAA)：120-1200ppm赤霉素(GA3)＝1：1体积比的混合溶液喷施在200g以上的魔芋球茎表面。具体实施方式本专利技术珠芽魔芋籽种繁育及种球再生栽植方法，各实施例中的控制要点如表1所示：表1现以实施例5举例，具体说明本专利技术的方法，其操作方法为：第一步：诱导开花：用含有1ppm生长素(IAA)：120-1200ppm赤霉素(GA3)＝1：1体积比的混合溶液喷施在200g以上的魔芋球茎表面，然后将处理后的魔芋球茎的4/5以下部分栽植于湿度为40～50％的土壤中；第二步：起垄：垄的高度为30cm，垄的宽度为70cm，垄沟的宽度为30cm；第三步：栽植：栽植的环境条件为：温度为25℃、湿度80％、遮阴度为50％，待魔芋开花后，将开花的魔芋球茎挖出后，种植于垄上，在魔芋球茎表面覆土5cm，且雌蕊露出地面，且种植时，选择1Kg重的魔芋球茎，行距60cm，株距50cm；第四步：开花后生长为果实，当果实中所有籽种的颜色为红色时即采收保藏；老的魔芋球茎则发芽生长为新的魔芋植株；待成熟后采挖。在生长的过程中，老的魔芋球茎会逐渐萎缩，其营养成分一部分供给籽种生长，另一份供给新生魔芋球茎，新的魔芋球茎逐渐长大，至籽种变红完全成熟时，老的魔芋球茎几乎完全消失，新的魔芋球茎再继续生长40天左右后即可本文档来自技高网...

【技术保护点】
珠芽魔芋籽种繁育及种球再生栽植方法，其特征在于，其操作方法为：1）对魔芋球茎进行诱导开花处理；2）开花后将魔芋球茎种植于土中，且雌蕊露出地面；３）种植的环境条件为：温度至少为18℃、湿度至少为55％。

【技术特征摘要】
1.珠芽魔芋籽种繁育及种球再生栽植方法，其特征在于，其操作方法为：1）对魔芋球茎进行诱导开花处理；2）开花后将魔芋球茎种植于土中，且雌蕊露出地面；３）种植的环境条件为：温度至少为18℃、湿度至少为55％。2.根据权利要求1所述的珠芽魔芋籽种繁育及种球再生栽植方法，其特征在于：所述的步骤2）中，魔芋球茎种植于土中时，1Kg重的魔芋球茎，行距55~65cm，株距45~55cm；2Kg重的魔芋球茎，行距75~85cm，株距45~55cm；3Kg重的魔芋球茎，行距95~105cm，株距45~55cm；4Kg重的魔芋球茎，行距115~125cm，株距45~55cm。3.根据权利要求1所述的珠芽魔芋籽种繁育及种球再生栽植方法，其特征在于：所述的步骤3)中的种植的环境条件还包括有遮阴度为30~65%。4.根据权利要求1所述的珠芽魔芋籽种繁育及种球再生栽植方法，其特征在于：所述的步骤2）中，种植时，采用垄栽的方式，垄的高度为20~40cm，垄的宽度为60~80cm，垄沟的宽度为20~40cm，垄上的种植深度为魔芋球茎表面覆土4~6cm。5.根据权利要求1所述的珠芽魔芋籽种繁育及种球再生栽植方法，其特征在于：所述的步骤3）中，温度至少为...

【专利技术属性】
技术研发人员：余磊，赵建荣，刘佳妮，徐胜光，胡敏，陈泽斌，苏源，吴旭，光映霞，
申请(专利权)人：昆明学院，
类型：发明
国别省市：云南,53