一种新型FET管及由新型FET管组成的分布式放大器制造技术
A new type of FET tube and a distributed amplifier consisting of a new type of FET tube
The present invention relates to the technical field of monolithic microwave integrated circuits, in particular to a new FET tube and FET tube model distributed amplifier, including U shaped design of the first pipe body and is arranged in the first tube shaped opening in the middle of the second U tube, the two arm of the second tube are respectively connected with the left and right sides the first tube U shaped connecting pipe second, the upper and lower ends are respectively provided with a drain and gate source interface interface, interface set bottom of the first tube, the distributed amplifier of the invention is the original second FET distributed amplifier tube by conventional FET tube to replace the new FET of the invention tube, eliminating the problem of RF signal time difference exists in traditional way, additional attenuation does not cause signal, ensure the amplifier performance.
【技术实现步骤摘要】
一种新型FET管及由新型FET管组成的分布式放大器
本专利技术涉及单片微波集成电路
，具体涉及一种新型FET管及由新型FET管组成的分布式放大器。
技术介绍
分布式放大器的主要优势在于应用在MMIC(单片微波集成电路)设计
，在简单的拓扑电路基础上，能获得极宽的工作带宽，而且其性能对工艺参数的变化相对不敏感，是需求非常广的一种电路，主要应用在微波测试仪器、通信系统、光学系统中。目前，分布式放大器的设计方法如下：图1为现有技术的分布式放大器电路结构原理图。其中，核心单元为椭圆虚线标示，由共源极的第一级FET1和共栅极的第二级FET2级联而成，输入输出端口都有电阻电容组成的电路作为负载匹配。针对其在MMIC设计技术中的应用，虽然世界上各大MMIC工艺厂商都根据自己的工艺线特点提取出了合适的FET管子模型供选择使用，但一般选用的常规FET管10的模型基本都是一致的，其栅极、源极、漏极的接口形式如图2所示。按照工艺厂商提供的模型接口形式，图1共源极和共栅极级联的分布式放大器通常的设计实现方法如图3所示，共源极的第一级FET1的漏极接口输出后连接到共栅极的第二级...
【技术保护点】
一种新型FET管，其特征在于：包括U形设计的第一管体和设置在所述第一管体U形开口中间的第二管体，所述第二管体的左右两侧分别与所述第一管体的U形的两支臂连接，第二管体的上下两端分别设置有漏极接口和栅极接口，所述第一管体的底部下端设置有源极接口。
【技术特征摘要】
1.一种新型FET管，其特征在于：包括U形设计的第一管体和设置在所述第一管体U形开口中间的第二管体，所述第二管体的左右两侧分别与所述第一管体的U形的两支臂连接，第二管体的上下两端分别设置有漏极接口和栅极接口，所述第一管体的底部下端设置有源极接口。2.一种由新型FET管组成的分布式放大器，其特征在于：包括依次连接的射频信号输入端、多个第一级FET管、多个第二级FET管和射频信号...
【专利技术属性】
技术研发人员：李启良，范国清，尹桂晖，刘金现，朱伟峰，姜万顺，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十一研究所，
类型：发明
国别省市：山东,37
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