具有低损耗和温度补偿的自适应偏置电路及无线发射系统技术方案

本发明专利技术公开了一种具有低损耗和温度补偿的自适应偏置电路，包括具有电流镜结构的第一NPN型三极管Q2和第二NPN型三极管、晶体管、偏置电容和第一电阻。通过具体的电路连接结构，使得偏置电容的电位能够在输入功率增大且不超过临界值时，保持不变，从而使得功率管的集电极的电流随输入功率的增大而增大，当输入功率进一步增大且超过临界值时，偏置电容的电位下降，从而使得功率管的集电极的电流随输入功率的增大而降低，最终趋于稳定。另外，通过第一电阻能够补偿功率管的温度，提高热温度性。本发明专利技术还公开一种包含上述电路的无线发射系统，有益效果如上所述。

Adaptive bias circuit with low loss and temperature compensation and wireless transmission system

The invention discloses a low loss and temperature compensation adaptive bias circuit includes a first NPN transistor having a current mirror tube structure and second Q2 type NPN transistor, transistor, capacitor and the first resistor bias. Connecting structure through the specific circuit, the potential bias capacitor can remain unchanged in the input power increases and exceeds the critical value, thus, the collector current power increases with the input power increases, when the input power further increases and exceeds the critical value, the potential bias capacitance decreased, thereby increasing power the collector current as the input power decreases, finally tends to be stable. In addition, the temperature of the power tube can be compensated by the first resistor and the thermal temperature is improved. The invention also discloses a wireless transmitting system containing the circuit, and the beneficial effect is as mentioned above.

【技术实现步骤摘要】
具有低损耗和温度补偿的自适应偏置电路及无线发射系统
本专利技术涉及功率放大器
，特别是涉及一种具有低损耗和温度补偿的自适应偏置电路及无线发射系统。
技术介绍
功率放大器在无线通信系统中扮演重要的角色，不仅因为它决定着系统的性能表现，更是因为它是耗能最大的元件，产生大量的噪声和热。设计高效率的功率放大器旨在提高电池容量受限的无线终端设备的续航能力。高效率的功率放大器要求功率管的开启电压低，击穿电压高且工作在接近饱和状态。传统功率放大器的偏置点和负载线是按照1dB压缩点(P1dB)最优来设计的，使得功率放大器在最大输出功率时效率最优。但实际工作中，功率放大器最常处在的工作状态并不是最大功率点附近，为了在效率和线性度中折中，一个重要的方法就是让偏置点随输入功率的大小而变化。为了实现效率和线性度的均衡配置，现有技术中，通过如下两种偏置电路实现。图1为现有技术中提供的一种偏置电路。如图1所示，图1采用的偏置电路由偏置电容CB、三极管Q20、Q30、和Q40构成。当输入信号RFIN变大，由于偏置电容CB的作用，偏置电路的阻抗变低，输入信号RFIN耦合到偏置电路中的平均电流增大，即IB,Q1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有低损耗和温度补偿的自适应偏置电路，其特征在于，包括具有电流镜结构的第一NPN型三极管和第二NPN型三极管、晶体管、偏置电容和第一电阻；所述第一NPN型三极管的集电极与基极连接，发射极和所述第一电阻的第一端连接，所述第一电阻的第二端与功率放大器的功率管的控制端连接；所述第二NPN型三极管的集电极与基极连接，发射极和所述晶体管的第一端连接，所述晶体管的第二端接地；所述偏置电容的第一端分别与所述第一NPN型三极管的基极、所述第二NPN型三极管的基极以及供电电源连接，第二端接地。

【技术特征摘要】
1.一种具有低损耗和温度补偿的自适应偏置电路，其特征在于，包括具有电流镜结构的第一NPN型三极管和第二NPN型三极管、晶体管、偏置电容和第一电阻；所述第一NPN型三极管的集电极与基极连接，发射极和所述第一电阻的第一端连接，所述第一电阻的第二端与功率放大器的功率管的控制端连接；所述第二NPN型三极管的集电极与基极连接，发射极和所述晶体管的第一端连接，所述晶体管的第二端接地；所述偏置电容的第一端分别与所述第一NPN型三极管的基极、所述第二NPN型三极管的基极以及供电电源连接，第二端接地。2.根据权利要求1所述的具有低损耗和温度补偿的自适应偏置电路，其特征在于，还包括第二电容，所述第二电容与所述第一电阻并联。3.根据权利要求2所述的具有低损耗和温度补偿的自适应偏置电路，其特征在于，还包括第二电阻，所述第二电阻的第一端与所述第二NPN型三极管的集电极连接，所述第二电阻的第二端分别...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡秋富，章国豪，
申请(专利权)人：广东工业大学，
类型：发明
国别省市：广东,44