一种电阻应变传感器及其制造方法技术

一种电阻应变传感器及其制造方法，涉及电阻应变传感器。石墨烯基电阻应变传感器设有下基底层、聚合物薄膜、激光器、石墨烯基应变栅、金属连接组件与引出线；下基底层为待测试工件，位于下基底层的上表面为喷涂的聚合物薄膜；石墨烯基应变栅通过激光在聚合物薄膜上照射诱导形成的图案化结构，激光器实现照射区域薄膜石墨烯化；金属连接组件与引出线位于石墨烯基应变栅两端。制造方法为：将聚合物薄膜通过喷涂的方式沉积在下基底层上等方法，石墨烯基应变栅是利用激光在聚合物薄膜上以高频脉冲能量破坏聚合物薄膜的分子链，将含氧、氢等元素的官能团气化挥发，在分子链上留下C‑C、C＝C等官能团，完成诱导薄膜石墨烯化。

Resistance strain sensor and manufacturing method thereof

The invention relates to a resistance strain sensor and a manufacturing method thereof, relating to a resistance strain sensor. Graphene based resistance strain sensor is provided with a substrate layer, polymer film, laser, graphene based metal strain grid connection component and a lead wire; a lower base layer for the tested workpiece, located under the basal layer on the surface of polymer film coating; patterned graphene based gate structure strain on the polymer film by laser irradiation to induce the formation of laser irradiation area of graphene thin films; metal connecting component and the lead wire in graphene based strain grid ends. The manufacturing method is as follows: the polymer films by spraying deposition in the basal layer fine method, graphene based polymer thin film strain grid is in high frequency pulse to the molecular chain of polymer films by laser energy damage, functional groups containing oxygen and hydrogen gasification of volatile elements in the molecular chain, C C, C left = C groups, complete induction of graphene films.

【技术实现步骤摘要】
一种电阻应变传感器及其制造方法
本专利技术涉及电阻应变传感器，尤其是涉及一种电阻应变传感器及其制造方法。
技术介绍
电阻应变传感器，是用于测量应变的元件，应变传感器由基底、敏感栅和两根引出线组成，其中敏感栅是应变片的形变敏感单元。电阻应变传感器的测量原理是将敏感单元粘贴在构件上，当构件受力变形时，敏感单元的长度或着横截面积也随着构件一起变化，进而发生电阻变化,它能以电阻变化读取被测工件应变变化。电阻应变传感器敏感单元有多种形式，根据敏感元件材料的不同，应变传感器可分为金属和半导体两大类：金属式应变传感器又可分为金属丝式和箔式，通常由手工或半自动绕制或光刻加工成应变传感器。诸如由直径为0.02～0.05mm的康铜丝或者镍铬丝绕成栅状(或用很薄的金属箔腐蚀成栅状)夹在两层绝缘薄片(基底)中制成，用镀锡铜线与应变片丝栅连接作为应变片引线，用来连接测量导线。由于箔材厚度的限制,约束了其在小型化和微型化传感器上的应用,这也促进了半导体式应变片的发展，半导体式应变传感器具有集成微型化和高灵敏度等特点。但在其应变片的成形工艺上、还应指出,无论是蒸镀还是溅射技术,应变片栅形的控制通常是采用掩模版，由本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电阻应变传感器，其特征在于设有下基底层、聚合物薄膜、激光器、石墨烯基应变栅、金属连接组件与引出线；所述下基底层为待测试工件，位于下基底层的上表面为喷涂的聚合物薄膜；所述石墨烯基应变栅通过激光在聚合物薄膜上照射诱导形成的图案化结构，激光器实现照射区域薄膜石墨烯化；金属连接组件与引出线位于石墨烯基应变栅两端；所述金属连接组件与引出线用于连接测试设备并输出数据。

【技术特征摘要】
1.一种电阻应变传感器，其特征在于设有下基底层、聚合物薄膜、激光器、石墨烯基应变栅、金属连接组件与引出线；所述下基底层为待测试工件，位于下基底层的上表面为喷涂的聚合物薄膜；所述石墨烯基应变栅通过激光在聚合物薄膜上照射诱导形成的图案化结构，激光器实现照射区域薄膜石墨烯化；金属连接组件与引出线位于石墨烯基应变栅两端；所述金属连接组件与引出线用于连接测试设备并输出数据。2.如权利要求1所述一种电阻应变传感器，其特征在于所述聚合物薄膜通过激光照射形成导电结构，所述聚合物薄膜选自苯型聚酰亚胺。3.如权利要求1所述一种电阻应变传感器，其特征在于所述石墨烯基应变栅通过激光按照设定的运动轨迹在聚合物薄膜上照射诱导形成的图案化结构，激光器在照射过程中实现照射区域薄膜石墨烯化。4.如权利要求1所述一种电阻应变传感...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴德志，邓磊，孙瑜，钮蒙泽，赵扬，王凌云，陈沁楠，孙道恒，
申请(专利权)人：厦门大学，
类型：发明
国别省市：福建,35