一种硫掺杂磷烯的制备方法技术
Method for preparing sulfur doped phosphorus alkene
The invention discloses a method, a preparation of sulfur doped phosphinidene include: phosphinidene in plasma chemical vapor deposition device, and vacuum pressure to below 5Pa, and then to the ion vapor deposition of sulfur gases filling equipment, internal pressure until the ion vapor deposition equipment is 100 to 1000Pa, and then in the 1 ~ 60min temperature reaches 200 to 1000 DEG C, and the RF power of 5 ~ 500W under bombardment phosphinidene 1 ~ 360min, after cooling to room temperature, thereby producing sulfur doped phosphinidene. The invention can be sulfur doped phosphinidene, the phosphinidene has very good antioxidant properties, not only the physical and chemical properties not phosphinidene was destroyed, and has the advantages of simple operation, low requirement on equipment, products of good quality, high yield, the products can be widely used in electronic communications, transportation and other fields.
【技术实现步骤摘要】
一种硫掺杂磷烯的制备方法
本专利技术涉及磷烯复合材料领域，尤其涉及一种硫掺杂磷烯的制备方法。
技术介绍
磷烯材料是新型的二维磷纳米材料，其特殊的微观稳定结构使其具有优异的电化学性能和热传导性能，因此磷烯材料在电子通信、交通运输等领域具有广阔应用前景。磷烯的环境稳定性较差，磷原子较强的化学活性使其容易被氧气、水等物质侵蚀而失去原有性能，在使用时必须通过设备或其他方法进行严格保护，否则会因侵蚀而迅速分解，这使其在实际使用过程中受到大幅限制。另外，磷烯的机械性能较弱，在实际应用过程中易受到外力而受到破坏。在现有技术中，对磷烯的环境不稳定性(即容易被氧化侵蚀的缺点)没有很好的处理方法，且没有出现硫掺杂磷烯及其合成方法。
技术实现思路
针对现有技术中的上述不足之处，本专利技术提供了一种硫掺杂磷烯的制备方法，可以将硫元素掺杂到磷烯中，使磷烯具有很好的抗氧化性能，不仅磷烯的物理化学性能不会被破坏，而且操作简单、对设备要求低、产品质量好、产率高，产品可广泛用到电子通信、交通运输等领域。本专利技术的目的是通过以下技术方案实现的：一种硫掺杂磷烯的制备方法，包括：将磷烯置于等离子体气相沉积...
【技术保护点】
一种硫掺杂磷烯的制备方法，其特征在于，包括：将磷烯置于等离子体气相沉积设备中，并抽真空至压强为5Pa以下，再向该离子体气相沉积设备中充入含硫气体，直至该离子体气相沉积设备的内部压强为100～1000Pa，然后在1～60min内升温至200～1000℃，并在射频功率5～500W下轰击磷烯1～360min，之后降温至室温，从而制得硫掺杂磷烯。
【技术特征摘要】
1.一种硫掺杂磷烯的制备方法，其特征在于，包括：将磷烯置于等离子体气相沉积设备中，并抽真空至压强为5Pa以下，再向该离子体气相沉积设备中充入含硫气体，直至该离子体气相沉积设备的内部压强为100～1000Pa，然后在1～60min内升温至200～1000℃，并在射频功率5～500W下轰击磷烯1...
【专利技术属性】
技术研发人员：祖雷，崔秀国，连慧琴，
申请(专利权)人：北京石油化工学院，
类型：发明
国别省市：北京,11
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