太阳能电池用基板的制造方法及太阳能电池用基板技术

本发明专利技术是一种太阳能电池用基板的制造方法，所述太阳能电池用基板由单晶硅构成，所述制造方法的特征在于，具有以下步骤：制作单晶硅棒；由前述单晶硅棒切出硅基板；以及，以800℃以上且低于1200℃的温度对前述硅基板进行低温热处理；并且，在进行前述低温热处理前，以1200℃以上的温度对前述单晶硅棒或前述硅基板进行30秒以上的高温热处理。由此，提供一种太阳能电池用基板的制造方法，所述太阳能电池用基板即使当基板的氧浓度较多时，也可以抑制基板的少数载流子寿命下降。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】太阳能电池用基板的制造方法及太阳能电池用基板
本专利技术涉及一种太阳能电池用基板的制造方法及太阳能电池用基板。
技术介绍
通常的太阳能电池，在使用p型硅基板时，电极是利用以银膏为材料的丝网印刷法形成，另外，抗反射膜是利用化学气相沉积法(ChemicalVaporDeposition，CVD)形成SiNx膜，并且，发射极层(n型扩散层)是利用热扩散来形成(例如，参照专利文献1)。此热扩散是利用由POCl3所实施的气相扩散、或者磷酸基料的涂布扩散所形成，并对基板施加800℃左右的热。而且，当形成硼扩散层作为BSF层以提高效率时，需要对基板施加1000℃左右的热。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2002-076388号公报。
技术实现思路
专利技术要解决的问题但是，如果在如上所述的热扩散和在基板表面形成氧化膜时，如果对单晶硅基板施加800℃以上的热处理，当单晶硅基板中含有某种浓度以上的氧原子时，有时会导致由氧所引起的缺陷增长，单晶硅基板的少数载流子寿命下降。另外，其结果，存在以下问题，也就是使用此种基板制作而成的太阳能电池的特性下降。上述特性下降尤其在氧浓度较高的基板中较为显著。本专利本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池用基板的制造方法，所述太阳能电池用基板由单晶硅构成，所述制造方法的特征在于，具有以下步骤：制作单晶硅棒；由所述单晶硅棒切出硅基板；以及，以800℃以上且低于1200℃的温度对所述硅基板进行低温热处理；并且，在进行所述低温热处理前，以1200℃以上的温度对所述单晶硅棒或所述硅基板进行30秒以上的高温热处理。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.01.05 JP 2015-0005541.一种太阳能电池用基板的制造方法，所述太阳能电池用基板由单晶硅构成，所述制造方法的特征在于，具有以下步骤：制作单晶硅棒；由所述单晶硅棒切出硅基板；以及，以800℃以上且低于1200℃的温度对所述硅基板进行低温热处理；并且，在进行所述低温热处理前，以1200℃以上的温度对所述单晶硅棒或所述硅基板进行30秒以上的高温热处理。2.如权利要求1所述的太阳能电池用基板的制造方法，其中，在由所述单晶硅棒切出所述硅基板后，对所述硅基板进行所述高温热处理。3.如权利要求1或2所述的太阳能电池用基板的制造方法，其中，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：大塚宽之，白井省三，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP