太阳能电池及太阳能电池模组制造技术

本发明专利技术提供一种太阳能电池，其具备P型硅基板，该P型硅基板以一个主表面为受光面并以另一个主表面为背面，在该背面上具备部分地形成的多个背面电极，前述P型硅基板在前述受光面的至少一部分具有N型层，前述P型硅基板具有与前述背面电极接触的接触区域，前述太阳能电池的特征在于，前述P型硅基板是掺有镓的硅基板，前述P型硅基板的电阻率为2.5Ω·cm以下，前述多个背面电极的背面电极间距Prm[mm]与前述P型硅基板的电阻率Rsub[Ω·cm]满足由下式(1)表示的关系。由此，本发明专利技术提供一种太阳能电池及太阳能电池模组，所述太阳能电池使用光劣化得到抑制的基板，在所述太阳能电池中，抑制电阻损失，转换效率优异，log(Rsub)≦‑log(Prm)+1.0…(1)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】太阳能电池及太阳能电池模组
本专利技术涉及一种太阳能电池及太阳能电池模组。
技术介绍
太阳能电池用半导体基板通常利用提拉法(Czochraskimethod，CZ法)制造，所述CZ法能够用相对低的成本来制造大直径的单晶。例如，通过利用CZ法制作掺有硼的单晶硅，并将此单晶切成薄片，能够获得P型半导体基板。单晶硅太阳能电池(使用单晶硅基板的太阳能电池)的以往的结构是一种整个背面(与受光面相对的表面)隔着背面场(BackSurfaceField，BSF)结构而与电极接触的结构。上述BSF结构利用丝网印刷法能够很容易地制造，因此，广泛普及，并成为当前的单晶硅太阳能电池的主流结构。为了进一步提高效率，对上述BSF结构导入钝化发射极背面接触太阳能电池(PassivatedEmitterandRearContactSolarCell，PERC)结构、钝化发射极背面局部扩散太阳能电池(PassivatedEmitterandRearLocallyDiffusedSolarCell，PERL)结构。上述PERC结构及PERL结构是积极地减小背面侧的少数载流子再结合比例，也就是降低背面侧的有效的表面再结本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池，具备P型硅基板，前述P型硅基板以一个主表面为受光面并以另一个主表面为背面，在前述背面上具备部分地形成的多个背面电极，前述P型硅基板在前述受光面的至少一部分具有N型层，前述P型硅基板具有与前述背面电极接触的接触区域，前述太阳能电池的特征在于，前述P型硅基板是掺有镓的硅基板，前述P型硅基板的电阻率为2.5Ω·cm以下，前述多个背面电极的背面电极间距Prm[mm]与前述P型硅基板的电阻率Rsub[Ω·cm]满足由下式(1)表示的关系，log(Rsub)≦‑log(Prm)+1.0…(1)。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.11.13 JP 2014-2305171.一种太阳能电池，具备P型硅基板，前述P型硅基板以一个主表面为受光面并以另一个主表面为背面，在前述背面上具备部分地形成的多个背面电极，前述P型硅基板在前述受光面的至少一部分具有N型层，前述P型硅基板具有与前述背面电极接触的接触区域，前述太阳能电池的特征在于，前述P型硅基板是掺有镓的硅基板，前述P型硅基板的电阻率为2.5Ω·cm以下，前述多个背面电极的背面电极间距Prm[mm]与前述P型硅基板的电阻率Rsub[Ω·cm]满足由下式(1)表示的关...

【专利技术属性】
技术研发人员：大塚宽之，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP