电子设备、超声波指纹识别装置及其制造方法制造方法及图纸

本申请实施例提供了一种电子设备、超声波指纹识别装置及其制造方法，该方法包括：在用于信号处理的第一半导体器件的顶部形成基底层；在所述基底层顶部形成第一平面电极，所述第一平面电极与所述第一半导体器件的第一接触点电性连接；在所述第一平面电极顶部形成压电薄膜层；在位于所述第一平面电极下方的基底层部分形成谐振空腔；在所述压电薄膜层顶部形成第二平面电极，所述第二平面电极与所述第一半导体器件的第二接触点电性连接。本申请实施例可节约超声波指纹识别装置的制造成本，且可保证超声波指纹识别装置的检测灵敏度。

【技术实现步骤摘要】
电子设备、超声波指纹识别装置及其制造方法
本申请涉及超声波指纹识别
，尤其是涉及一种电子设备、超声波指纹识别装置及其制造方法。
技术介绍
相对于目前成熟的电容式指纹识别技术，超声波指纹识别技术具有更好的穿透力和更高的安全性。然而，目前在超声波指纹识别技术中，超声波指纹识别装置(例如超声波指纹识别传感器等)的制造工艺复杂、成本较高，制约了其大规模应用。目前超声波指纹识别装置的制造工艺分主要包括：首先制造出信号处理芯片(例如可采用CMOS(ComplementaryMetalOxideSemiconductor，互补金属氧化物半导体)工艺)，并制造出压电传感器芯片(例如可采用MEMS(Micro-Electro-MechanicalSystem，微机电系统)工艺)，然后通过晶圆键合工艺或基板封装工艺将两个芯片集成。其中，在基于晶圆键合工艺集成的方案中，由于压电传感器芯片的制造和晶圆键合工艺的工艺都比较复杂，因而造成超声波指纹识别装置的制造成本偏高。而在基于基板封装工艺集成的方案中，虽然基板封装工艺比晶圆键合工艺成本低，但基板封装往往会引入较大的寄生元器件(例如电阻、电容、电感)，这本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超声波指纹识别装置的制造方法，其特征在于，包括：在用于信号处理的第一半导体器件的顶部形成基底层；在所述基底层顶部形成第一平面电极，所述第一平面电极与所述第一半导体器件的第一接触点电性连接；在所述第一平面电极顶部形成压电薄膜层；在位于所述第一平面电极下方的基底层部分形成谐振空腔；在所述压电薄膜层顶部形成第二平面电极，所述第二平面电极与所述第一半导体器件的第二接触点电性连接。

【技术特征摘要】
1.一种超声波指纹识别装置的制造方法，其特征在于，包括：在用于信号处理的第一半导体器件的顶部形成基底层；在所述基底层顶部形成第一平面电极，所述第一平面电极与所述第一半导体器件的第一接触点电性连接；在所述第一平面电极顶部形成压电薄膜层；在位于所述第一平面电极下方的基底层部分形成谐振空腔；在所述压电薄膜层顶部形成第二平面电极，所述第二平面电极与所述第一半导体器件的第二接触点电性连接。2.如权利要求1所述的超声波指纹识别装置的制造方法，其特征在于，所述在所述基底层顶部形成第一平面电极，包括：图形化所述基底层，以形成第一接触沟槽；所述第一接触沟槽位于所述第一接触点上方；在所述基底层顶部形成导电薄膜层，所述导电薄膜层穿过所述第一接触沟槽并与所述第一接触点电性连接；图形化所述导电薄膜层，以形成第一平面电极。3.如权利要求2所述的超声波指纹识别装置的制造方法，其特征在于，在图形化所述基底层后，还形成第二接触沟槽；所述第二接触沟槽位于所述第二接触点上方；对应的，在图形化所述导电薄膜层后，所述第二接触沟槽内形成一导电部件；所述导电部件与所述第二接触点电性连接，且与所述第一平面电极绝缘隔离。4.如权利要求1所述的超声波指纹识别装置的制造方法，其特征在于，在形成所述谐振空腔之前，还包括：在位于所述第一平面电极的外周边形成支撑部件。5.如权利要求4所述的超声波指纹识别装置的制造方法，其特征在于，所述在位于所述第一平面电极的外周边形成支撑部件，包括：图形化所述基底层位于所述第一平面电极的外周边部分，以形成容纳沟槽；对所述容纳沟槽周边暴露在外的基底层部分进行氧化处理，从而在所述容纳沟槽内形成氧化物结构，以作为支撑部件。6.如权利要求5所述的超声波指纹识别装置的制造方法，其特征在于，在所述形成氧化物结构后，还包括：对所述氧化物结构进行平坦化处理。7.如权利要求3所述的超声波指纹识别装置的制造方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：上海思立微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31