一种总剂量效应的探测方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术适用电子信息技术领域，提供了一种总剂量效应的探测方法及装置，所述方法包括：对待测芯片中的电路进行可测性设计，构造待测芯片总剂量效应的原始信号，生成原始信号的观测矩阵及观测矩阵中行向量对应的测试向量集，对预设数量个待测芯片进行总剂量辐照，由所有测试向量集对辐照后对应的测试芯片进行测试，以确定辐照后的待测芯片是否出错，当出错时，根据所有测试结果和观测矩阵生成压缩感知方程，通过预设的信号重构算法和压缩感知方程生成待测芯片内部总剂量效应的敏感逻辑单元分布，从而结合可测性设计和压缩感知理论，观测待测芯片内部每个逻辑单元在总剂量辐照后的状态，高效、准确地定位待测芯片内部对总剂量效应敏感的逻辑单元。

【技术实现步骤摘要】
一种总剂量效应的探测方法及装置
本专利技术属于电子信息
，尤其涉及一种总剂量效应的探测方法及装置。
技术介绍
空间辐射环境中的辐射粒子会对航天器的电子系统造成严重的影响，引起各种辐射效应，其中对半导体影响最大的辐射效应是总剂量效应和单粒子效，集成电路的总剂量效应是目前航天电子领域在辐照效应研究方面的重点和难点问题，总剂量效应会导致单个MOS器件阈值电压的漂移，还会导致集成电路的电路速度降低、电参数漂移、功耗增加甚至功能失效。目前基于总剂量效应的可靠性测试方法采用模拟辐射源进行地面试验为主，试验中可采用原位测试和移位测试，对于某些器件或在某些条件下还要进行退火试验，在总剂量效应的测试过程中，主要以统计的方式监测在一定的辐射剂量下电参数和电路功能参数的变化，再根据参数变化去分析电路或器件的总剂量效应的机理。在大规模集成电路中受芯片测试端口的限制，这种方式不能观测到芯片内部每个逻辑单元的状态，无法准确地找到电路功能失效的临界条件，也无法定位出失效逻辑单元的分布，所以无法对逻辑单元失效机理进行准确高效的研究。此外，总剂量效应对于用于密码安全的芯片来说，还是安全性的一大威胁。总剂量效应可本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种总剂量效应的探测方法，其特征在于，所述方法包括下述步骤：对待测芯片中的电路进行可测性设计；构造所述待测芯片总剂量效应的原始信号，生成所述原始信号的观测矩阵；根据所述观测矩阵中的行向量，生成对应的测试向量集；对预设数量个所述待测芯片进行总剂量辐照，通过所有测试向量集对辐照后对应的待测芯片进行测试，以确定所述辐照后的待测芯片是否出错；当确定所述辐照后的待测芯片出错时，根据所述所有测试向量集的测试结果和所述观测矩阵，生成压缩感知方程，根据所述压缩感知方程和预设的信号重构算法，生成并输出所述待测芯片内部总剂量效应的敏感逻辑单元分布。

【技术特征摘要】
1.一种总剂量效应的探测方法，其特征在于，所述方法包括下述步骤：对待测芯片中的电路进行可测性设计；构造所述待测芯片总剂量效应的原始信号，生成所述原始信号的观测矩阵；根据所述观测矩阵中的行向量，生成对应的测试向量集；对预设数量个所述待测芯片进行总剂量辐照，通过所有测试向量集对辐照后对应的待测芯片进行测试，以确定所述辐照后的待测芯片是否出错；当确定所述辐照后的待测芯片出错时，根据所述所有测试向量集的测试结果和所述观测矩阵，生成压缩感知方程，根据所述压缩感知方程和预设的信号重构算法，生成并输出所述待测芯片内部总剂量效应的敏感逻辑单元分布。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：当确定所述辐照后的待测芯片未出错时，增加所述总剂量辐照的辐照剂量，并重新执行对预设数量个所述待测芯片进行总剂量辐照的操作。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，构造所述待测芯片总剂量效应的原始信号，生成所述原始信号的观测矩阵的步骤，包括：根据所述待测芯片中逻辑单元对总剂量效应的敏感性状态，构造所述原始信号；将预设的伯努利随机矩阵设置为所述原始信号的观测矩阵。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述观测矩阵中的行向量，生成对应的测试向量集的步骤，包括：依次根据所述观测矩阵中每个行向量，确定所述待测芯片内部的逻辑单元中的待测单元，生成所述待测单元的测试向量；将所述待测芯片中所有待测单元的测试向量构成一个测试向量集，所述每个行向量对应一个测试向量集。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对预设数量个所述待测芯片进行总剂量辐照，通过所有测试向量集对辐照后对应的待测芯片进行测试，以确定所述辐照后的待测芯片是否出错的步骤，包括：在预设的总剂量辐射环境中对所述预设数量个待测芯片进行辐照；通过所述每个测试向量集对所述辐照后相应的待测芯片进行测试，确定所述辐照后的待测芯片是否出错，并获得每个辐照后待测芯片的出错逻...

【专利技术属性】
技术研发人员：邵翠萍，李慧云，
申请(专利权)人：深圳先进技术研究院，
类型：发明
国别省市：广东,44