一种SIO波形整形电路制造技术

本实用新型专利技术提供了一种SIO波形整形电路，包括：MCU接口电路、隔离电路、电平转换电路、信号整形电路和SIO总线接口；所述电平转换电路将MCU接口电路中输出端口SO输出的信号转换为12V的DATA信号由所述SIO总线接口输出；以及，将所述SIO总线接口输入的DATA信号、CLK信号转换为0‑(VCC+0.7)V的信号输入至信号整形电路输入端；所述隔离电路将MCU接口电路中的SO输出信号、SI输入信号、CLK输入信号与SIO总线接口中输入的DATA信号、CLK信号相隔离。上述的一种SIO波形整形电路，有效提高通信系统的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种SIO波形整形电路
本技术涉及一种数字电路，尤其涉及一种SIO电路。
技术介绍
SIO(SerialI/O，串行IO口)是各类DSP处理器中的常见接口，包括同步串行口(SSI，SynchronousSerialInterface)和异步串行口(ASI，AsynchronousSerialInterface)。全双工的串行接口，允许处理器与多种串行设备通信，常用于自动化控制系统等工业应用中。在实际应用中，为了加强抗干扰能力和长距离传输，常在发送端通过电平转换电路将信号迁移到更高的电压，在接收端再通过电平转换电路将信号变换回原信号电平。SIO波形整形电路实现信号的电平转换，并对因传输而失真的信号进行整形，提高通信的可靠性。图1所示方案是一种常见的电平转换电路，采用N沟道增强型MOS管实现双向电平转换。当源极一侧输出低电平时，MOS管导通，漏极一侧输出低电平；当源极一侧输出高电平时，MOS管截止，漏极一侧输出高电平；当源极一侧输出高阻时，MOS管截止，漏极一侧输出高电平。当漏极一侧输出为低电平时，MOS管内的二极管导通，从而使MOS管导通，源极一侧输出低电平；当漏极一侧输出高电平时，M本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种SIO波形整形电路，其特征在于包括：MCU接口电路、隔离电路、电平转换电路、信号整形电路和SIO总线接口；所述电平转换电路将MCU接口电路中输出端口SO输出的信号转换为DATA信号由所述SIO总线接口输出；以及，将所述SIO总线接口输入的DATA信号、CLK信号转换为0‑(VCC+0.7)V的信号输入至信号整形电路的输入端；所述隔离电路将MCU接口电路中的SO输出信号、SI输入信号、CLK输入信号与SIO总线接口中输入的DATA信号、输入CLK信号相隔离。

【技术特征摘要】
1.一种SIO波形整形电路，其特征在于包括：MCU接口电路、隔离电路、电平转换电路、信号整形电路和SIO总线接口；所述电平转换电路将MCU接口电路中输出端口SO输出的信号转换为DATA信号由所述SIO总线接口输出；以及，将所述SIO总线接口输入的DATA信号、CLK信号转换为0-(VCC+0.7)V的信号输入至信号整形电路的输入端；所述隔离电路将MCU接口电路中的SO输出信号、SI输入信号、CLK输入信号与SIO总线接口中输入的DATA信号、输入CLK信号相隔离。2.根据权利要求1所述的一种SIO波形整形电路，其特征在于：所述电平转换电路包括一开关管，其栅极受隔离电路输出的SO信号控制，漏极与SIO总线接口的DATA信号输出端连接。3.根据权利要求2所述的一种SIO波形整形电路，其特征在于：所述电平转换电路还包括降压箝位电路，其输入端分别与SIO总线接口中的DATA信号和CLK信号连接；其输出端分别连接至隔离电路的SI输入端和CLK输入端。4.根据权利要求3所述的一种SIO波形整形电路，其特征在于：所述降压箝位电路包括电阻R10、R15...

【专利技术属性】
技术研发人员：王荣河，陈建福，冯时，其他发明人请求不公开姓名，
申请(专利权)人：厦门蒙发利科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：福建,35