一种掩膜版以及阵列基板的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种掩膜版以及阵列基板的制备方法，该掩膜版包括：间隔设置、且为半透光区的至少两个第一子区域；设置于至少两个第一子区域之间的间隔处、且透光率大于第一子区域的至少一个第二子区域；当对光阻进行曝光时，第二子区域曝光的光阻厚度大于第一子区域曝光的光阻厚度，且当制作阵列基板时，至少一个第二子区域对应的位置为阵列基板的至少一个沟道。通过该掩膜版，可以在制作阵列基板时降低曝光与灰化的时间，节省能量。

【技术实现步骤摘要】
一种掩膜版以及阵列基板的制备方法
本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种掩膜版以及阵列基板的制备方法。
技术介绍
在平板显示领域，薄膜晶体管是制作显示装置的关键器件，而在制作薄膜晶体管的过程中，掩膜版是一个必不可少的工具。请参阅图1，现有的掩膜版在两个遮光区1之间的缝隙处设置半透光膜2，在进行曝光时，两个遮光区1完全不透光，光阻3对应两个遮光区1处的光阻完全被留下来，而半透膜2的位置只有部分的光透过，光阻3对应半透膜2处的光阻部分被曝光掉，在后续的制程中，当半透膜2对应位置处的剩余光阻全部被灰化后，经过一系列制程，半透膜2对应位置制成薄膜晶体管的沟道。本申请的专利技术人在长期的研究中发现，现有的这种掩膜版在制备薄膜晶体管的过程中，需要进行曝光以及灰化的时间较长，容易造成产能偏低，能量损失较大。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种掩膜版以及阵列基板的制备方法，能够降低曝光及灰化的时间，节省能量。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是：提供一种掩膜版，包括：第一区域，所述第一区域包括至少两个第一子区域，所述至少两个第一子区域间隔设置，且所述至少两个第一子区域为半透光区；第二区域，所述第二区域包括至少一个第二子区域，所述至少一个第二子区域设置于所述至少两个第一子区域之间的间隔处，且所述第二子区域的透光率大于所述第一子区域；其中，当对光阻进行曝光时，所述第二子区域曝光的所述光阻厚度大于所述第一子区域曝光的所述光阻厚度，且当制作阵列基板时，所述至少一个第二子区域对应的位置为所述阵列基板的至少一个沟道。为解决上述技术问题，本专利技术采用的另一个技术方案是：提供一种阵列基板的制备方法，包括：提供一基板，在所述基板上依次形成栅极层，覆盖所述栅极层以及所述基板的绝缘层、覆盖所述绝缘层的半导体层、覆盖所述半导体层的第二金属层、覆盖所述第二金属层的光阻层；提供一掩膜版，对所述光阻层进行曝光；进行显影，将所述掩膜版的图形转移到所述光阻层上，其中，所述掩膜版包括：第一区域，所述第一区域包括至少两个第一子区域，所述至少两个第一子区域间隔设置，且所述至少两个第一子区域为半透光区；第二区域，所述第二区域包括至少一个第二子区域，所述至少一个第二子区域设置于所述至少两个第一子区域之间的间隔处，且所述第二子区域的透光率大于所述第一子区域，当对所述光阻层进行曝光时，所述第二子区域曝光的所述光阻层的光阻厚度大于所述第一子区域曝光的所述光阻层的光阻厚度，同时所述第一子区域以及所述第二子区域对应的所述光阻层的光阻均未被完全曝光。本专利技术的有益效果是：本专利技术中的掩膜版将为半透光区的第一区域设置为至少两个第一子区域间隔设置，将至少一个第二子区域设置在至少两个第一子区域之间的间隔处，从而在制作阵列基板时，因第二子区域的透光率大于第一子区域的透光率，使得第二子区域曝光的光阻厚度大于第一子区域曝光的光阻厚度，因此在相同的曝光量下，第二子区域曝光的光阻更深，当需要相同曝光相同深度的光阻时，可以节省曝光时间以及曝光能量，且在后续灰化时，只需在第二子区域对应的光阻灰化完成时，即停止灰化制程，此时由于第二子区域对应曝光的光阻比第一子区域对应曝光的光阻深，在显影之后，第二子区域对应位置剩余的光阻比第一子区域对应剩余的光阻薄，因此能够节省灰化时间以及能量，提高产能。附图说明图1是现有技术中掩膜版在曝光光阻时的示意图；图2是本专利技术掩膜版一实施的剖面结构示意图；图3是本专利技术掩膜版另一实施例的剖面结构示意图；图4是本专利技术阵列基板的制备方法一实施例的流程示意图；图5是图4中步骤S100对应的阵列基板的结构示意图；图6是图4中步骤S200对应的示意图；图7是图4中步骤S200在一个应用场景中对应的示意图图8是图4中步骤S300对应的阵列基板的结构示意图；图9是本专利技术阵列基板的制备方法另一实施例中步骤S400对应的阵列基板的结构示意图；图10是本专利技术阵列基板的制备方法再一实施例中步骤S500对应的阵列基板的结构示意图；图11是本专利技术阵列基板的制备方法又一实施例中步骤S600对应的阵列基板的结构示意图；图12是本专利技术阵列基板的制备方法又一实施例中步骤S600在一个应用场景中对应的阵列基板的结构示意图。具体实施方式请参阅图2，图2是本专利技术掩膜版一实施例的剖面结构示意图，在本实施例中，该掩膜版包括：第一区域10、第二区域20、第三区域30、第四区域40、第五区域50以及第六区域60。第一区域10包括至少两个第一子区域101，至少两个第一子区域101间隔设置，每两个第一子区域101之间设有间隔102。其中，可以理解的是，图2中第一子区域101的数量为3个只是进行示意说明，第一子区域101的数量还可以为2个、4个或更多个，具体可根据设计及生产需要进行确定。其中，至少两个第一子区域101为半透光区，当光穿过第一子区域101时，部分光线能穿过，其他部分光线被反射，具体地，至少两个第一子区域101可采用半透膜制成。第二区域20包括至少一个第二子区域201，至少一个第二子区域201域设置于至少两个第一子区域101之间的间隔102处，如图2所示，当第一子区域101的数量为3个时，第二子区域201的数量则为2个。其中，第二子区域201的透光率大于第一子区域101的透光率，使得在用该掩膜版制作阵列基板的过程中，对光阻进行曝光时，第二子区域201曝光的光阻厚度大于第一子区域101曝光的光阻厚度，从而在经过显影后，第二子区域201对应剩余的光阻厚度小于第一子区域101对应剩余的光阻厚度，在后续灰化时，只需在第二子区域201对应剩余的光阻灰化完成时，就停止灰化制程，最后经过蚀刻等制程在阵列基板对应至少一个第二子区域201的位置形成阵列基板的至少一个沟道。与现有技术中需要将整个半透光膜2对应的光阻曝光相同的深度相比，本实施例中只需将至少一个第二子区域201曝光需要的深度，在至少一个第二子区域201的透光率大于至少两个第一子区域101的情况下，当需要曝光与现有技术中相同深度的光阻时，可以节省曝光的时间以及能量，且在后续灰化时，只需将第二子区域201对应剩余的光阻进行灰化，节省灰化的时间及能量，提高产能。在本实施例中，第二子区域201可以是挖空区域或者透光率大于第一子区域101的实体区域。其中，第二子区域201是挖空区域指的是，第一区域10原本是一整块完整的半透光区域，例如是一块完整的半透膜，然后将其至少一个子区域挖空，以形成间隔设置的至少两个第一子区域101，而挖空的区域即形成至少一个第二子区域201，此时为了保证在制作阵列基板时对应位置能够形成沟道，第二子区域201的宽度小于曝光机的解析能力，例如小于2.5um，以便能够发生衍射效应，保证后续制程的完成。可选地，为了使制作的阵列基板能够具有更窄宽度的沟道，在本实施例的一个应用场景中，当对光阻层进行曝光时，至少一个第二子区域201曝光的光阻为同一位置的光阻，以使经过一系列制程后，对应位置能够形成阵列基板的一个沟道，此时该沟道的宽度即为该同一位置光阻的宽度。相比较于现有技术中沟道的宽度为两个遮光区1之间的缝隙宽度，本实施例中的掩膜版在该应用场景下能够有效缩小沟道的宽度，提高充电率。具体地，在该应用场景中，第二子区域201的数量可以为1个或2个，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掩膜版，其特征在于，包括：第一区域，所述第一区域包括至少两个第一子区域，所述至少两个第一子区域间隔设置，且所述至少两个第一子区域为半透光区；第二区域，所述第二区域包括至少一个第二子区域，所述至少一个第二子区域设置于所述至少两个第一子区域之间的间隔处，且所述第二子区域的透光率大于所述第一子区域；其中，当对光阻进行曝光时，所述第二子区域曝光的所述光阻厚度大于所述第一子区域曝光的所述光阻厚度，且当制作阵列基板时，所述至少一个第二子区域对应的位置为所述阵列基板的至少一个沟道。

【技术特征摘要】
1.一种掩膜版，其特征在于，包括：第一区域，所述第一区域包括至少两个第一子区域，所述至少两个第一子区域间隔设置，且所述至少两个第一子区域为半透光区；第二区域，所述第二区域包括至少一个第二子区域，所述至少一个第二子区域设置于所述至少两个第一子区域之间的间隔处，且所述第二子区域的透光率大于所述第一子区域；其中，当对光阻进行曝光时，所述第二子区域曝光的所述光阻厚度大于所述第一子区域曝光的所述光阻厚度，且当制作阵列基板时，所述至少一个第二子区域对应的位置为所述阵列基板的至少一个沟道。2.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第二子区域是挖空区域或透光率大于所述第一子区域的实体区域，且当所述第二子区域是挖空区域时，所述第二子区域的宽度小于曝光机的解析能力。3.如权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，当对所述光阻进行曝光时，所述至少一个第二子区域曝光的所述光阻为同一位置的所述光阻。4.如权利要求1至3任一项所述的掩膜版，其特征在于，进一步包括第三区域以及第四区域，所述第三区域以及所述第四区域分别紧靠所述第一区域的两边而设置；以及第五区域以及第六区域，所述第五区域以及所述第六区域分别紧靠所述第三区域以及所述第四区域远离所述第一区域的一边而设置；其中，所述第三区域以及所述第四区域为遮光区，所述第五区域以及所述第六区域为全透光区。5.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：提供一基板，在所述基板上依次形成栅极层，覆盖所述栅极层以及所述基板的绝缘层、覆盖所述绝缘层的半导体层、覆盖所述半导体层的第二金属层、覆盖所述第二金属层的光阻层；提供一掩膜版，对所述光阻层进行曝光；进行显影，将所述掩膜版的图形转移到所述光阻层上，其中，所述掩膜版包括：第一区域，所述第一区域包括至少两个第一子区域，所述至少两个第一子区域间隔设置，且所述至少两个第一子区域为半透光区；第...

【专利技术属性】
技术研发人员：高冬子，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44