AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法技术

本发明专利技术提供一种AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法。该AMOLED像素驱动电路采用6T1C结构，包括作为驱动薄膜晶体管的第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、电容、及有机发光二极管，在电路中接入第一扫描信号、第二扫描信号、第三扫描信号、第四扫描信号、数据信号电压、初始化电压、电源正电压、及电源负电压，该电路能够有效补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压，解决由阈值电压漂移导致的流过有机发光二极管的电流不稳定的问题，保证有机发光二极管的发光亮度均匀，改善画面的显示效果。

【技术实现步骤摘要】
AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLightEmittingDisplay，OLED)显示装置具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。OLED显示装置按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(PassiveMatrixOLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(ActiveMatrixOLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。AMOLED是电流驱动器件，当有电流流过有机发光二极管时，有机发光二极管发光，且发光亮度由流过有机发光二极管自身的电流决定。大部分已有的集成电路(IntegratedCircuit，IC)都只传输电压信号，故AMOLED的像素驱动电路需要完成将电压信号转变为电流信号的任务。传统的AMOLED像素驱动电路通常为2T1C，即两个薄膜晶体管加一个电容的结构，将电压变换为电流。如图1所示，一种现有的用于AMOLED的2T1C像素驱动电路，包括第一薄膜晶体管T10、第二薄膜晶体管T20、电容C10、及有机发光二极管D10，所述第一薄膜晶体管T10为驱动薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管T20为开关薄膜晶体管，所述电容C10为存储电容。具体地，所述第二薄膜晶体管T20的栅极接入扫描驱动信号Gate，源极接入数据信号Data，漏极电性连接第一薄膜晶体管T10的栅极；所述第一薄膜晶体管T10的源极接入电源正电压OVDD，漏极电性连接有机发光二极管D10的阳极；电容C10的一端电性连接第一薄膜晶体管T10的栅极，另一端电性连接第一薄膜晶体管T10的源极，有机发光二极管D10的阴极接入电源负电压OVSS。该2T1C像素驱动电路在对AMOLED进行驱动时，流过有机发光二极管D10的电流满足：I＝k×(Vgs-Vth)2；其中，I为流过有机发光二极管D10的电流，k为驱动薄膜晶体管的本征导电因子，Vgs为驱动薄膜晶体管即第一薄膜晶体管T10栅极和源极的电压差，Vth为驱动薄膜晶体管即第一薄膜晶体管T10的阈值电压，可见流过有机发光二极管D10的电流与驱动薄膜晶体管的阈值电压相关。由于面板制程的不稳定性等原因，使得面板内每个像素驱动电路内的驱动薄膜晶体管的阈值电压产生差别，即使数据电压相等的施加到各个像素驱动电路内的驱动薄膜晶体管，也会出现流入有机发光二极管的电流不一致的情况，导致显示图像质量的均一性难以实现。并且随着驱动薄膜晶体管驱动时间的推移，薄膜晶体管的材料会老化、变异，导致驱动薄膜晶体管的阈值电压产生漂移，且薄膜晶体管材料的老化程度不同，导致各驱动薄膜晶体管的阈值电压漂移量不同，会造成面板显示的不均匀现象，并且会使驱动薄膜晶体管的开启电压上升，流入有机发光二极管的电流降低，导致面板亮度降低、发光效率下降等问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种AMOLED像素驱动电路，能够有效补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压，解决由阈值电压漂移导致的流过有机发光二极管的电流不稳定的问题，保证有机发光二极管的发光亮度均匀，改善画面的显示效果。本专利技术的目的还在于提供一种AMOLED像素驱动方法，能够有效补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压，解决由阈值电压漂移导致的流过有机发光二极管的电流不稳定的问题，保证有机发光二极管的发光亮度均匀，改善画面的显示效果。为实现上述目的，本专利技术提供了一种AMOLED像素驱动电路，包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、电容、及有机发光二极管；所述第一薄膜晶体管的栅极电性连接第一节点，源极电性连接第二节点，漏极电性连接第三节点；所述第二薄膜晶体管的栅极接入第一扫描信号，源极电性连接第一节点，漏极电性连接第三节点；所述第三薄膜晶体管的栅极接入第二扫描信号，源极接入初始化电压或数据信号电压，漏极电性连接第二节点；所述第四薄膜晶体管的栅极接入第三扫描信号，源极电性连接第三节点，漏极电性连接有机发光二极管的阳极；所述第五薄膜晶体管的栅极接入第三扫描信号，源极接入电源正电压，漏极电性连接第二节点；所述第六薄膜晶体管的栅极接入第四扫描信号，源极电性连接第三薄膜晶体管的源极，漏极电性连接第三节点；所述电容的一端接入电源正电压，另一端电性连接第一节点；所述有机发光二极管的阴极接入电源负电压。所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、及第六薄膜晶体管均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。所述第一扫描信号、第二扫描信号、第三扫描信号、及第四扫描信号均通过外部时序控制器产生。所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管均为P型薄膜晶体管。所述第一扫描信号、第二扫描信号、第三扫描信号、及第四扫描信号相组合先后对应于初始化阶段、数据信号电压与阈值电压差值存储阶段、及发光显示阶段；在所述初始化阶段，所述第三薄膜晶体管的源极接入初始化电压，所述第一扫描信号为低电位，所述第二扫描信号为高电位，所述第三扫描信号为高电位，所述第四扫描信号为低电位；在所述数据信号电压与阈值电压差值存储阶段，所述第三薄膜晶体管的源极接入数据信号电压，所述第一扫描信号为低电位，所述第二扫描信号为低电位，所述第三扫描信号为高电位，所述第四扫描信号为高电位；在所述发光显示阶段，所述第一扫描信号为高电位，所述第二扫描信号为高电位，所述第三扫描信号为低电位，所述第四扫描信号为高电位。本专利技术还提供一种AMOLED像素驱动方法，包括如下步骤：步骤1、提供一AMOLED像素驱动电路；所述AMOLED像素驱动电路包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、电容、及有机发光二极管；所述第一薄膜晶体管的栅极电性连接第一节点，源极电性连接第二节点，漏极电性连接第三节点；所述第二薄膜晶体管的栅极接入第一扫描信号，源极电性连接第一节点，漏极电性连接第三节点；所述第三薄膜晶体管的栅极接入第二扫描信号，源极接入初始化电压或数据信号电压，漏极电性连接第二节点；所述第四薄膜晶体管的栅极接入第三扫描信号，源极电性连接第三节点，漏极电性连接有机发光二极管的阳极；所述第五薄膜晶体管的栅极接入第三扫描信号，源极接入电源正电压，漏极电性连接第二节点；所述第六薄膜晶体管的栅极接入第四扫描信号，源极电性连接第三薄膜晶体管的源极，漏极电性连接第三节点；所述电容的一端接入电源正电压，另一端电性连接第一节点；所述有机发光二极管的阴极接入电源负电压；所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管均为P型薄膜晶体管；步骤2、进入初始化阶段；所述第三薄膜晶体管的源极接入初始化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种AMOLED像素驱动电路，其特征在于，包括：第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)、电容(C1)、及有机发光二极管(D1)；所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极电性连接第一节点(G)，源极电性连接第二节点(S)，漏极电性连接第三节点(D)；所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极接入第一扫描信号(Scan1)，源极电性连接第一节点(G)，漏极电性连接第三节点(D)；所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极接入第二扫描信号(Scan2)，源极接入初始化电压(Vini)或数据信号电压(Vdata)，漏极电性连接第二节点(S)；所述第四薄膜晶体管(T4)的栅极接入第三扫描信号(Scan3)，源极电性连接第三节点(D)，漏极电性连接有机发光二极管(D1)的阳极；所述第五薄膜晶体管(T5)的栅极接入第三扫描信号(Scan3)，源极接入电源正电压(OVDD)，漏极电性连接第二节点(S)；所述第六薄膜晶体管(T6)的栅极接入第四扫描信号(Scan4)，源极电性连接第三薄膜晶体管(T3)的源极，漏极电性连接第三节点(D)；所述电容(C1)的一端接入电源正电压(OVDD)，另一端电性连接第一节点(G)；所述有机发光二极管(D1)的阴极接入电源负电压(OVSS)。...

【技术特征摘要】
1.一种AMOLED像素驱动电路，其特征在于，包括：第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)、电容(C1)、及有机发光二极管(D1)；所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极电性连接第一节点(G)，源极电性连接第二节点(S)，漏极电性连接第三节点(D)；所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极接入第一扫描信号(Scan1)，源极电性连接第一节点(G)，漏极电性连接第三节点(D)；所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极接入第二扫描信号(Scan2)，源极接入初始化电压(Vini)或数据信号电压(Vdata)，漏极电性连接第二节点(S)；所述第四薄膜晶体管(T4)的栅极接入第三扫描信号(Scan3)，源极电性连接第三节点(D)，漏极电性连接有机发光二极管(D1)的阳极；所述第五薄膜晶体管(T5)的栅极接入第三扫描信号(Scan3)，源极接入电源正电压(OVDD)，漏极电性连接第二节点(S)；所述第六薄膜晶体管(T6)的栅极接入第四扫描信号(Scan4)，源极电性连接第三薄膜晶体管(T3)的源极，漏极电性连接第三节点(D)；所述电容(C1)的一端接入电源正电压(OVDD)，另一端电性连接第一节点(G)；所述有机发光二极管(D1)的阴极接入电源负电压(OVSS)。2.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、及第六薄膜晶体管(T6)均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。3.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一扫描信号(Scan1)、第二扫描信号(Scan2)、第三扫描信号(Scan3)、及第四扫描信号(Scan4)均通过外部时序控制器产生。4.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)均为P型薄膜晶体管。5.如权利要求4所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一扫描信号(Scan1)、第二扫描信号(Scan2)、第三扫描信号(Scan3)、及第四扫描信号(Scan4)相组合先后对应于初始化阶段(S1)、数据信号电压与阈值电压差值存储阶段(S2)、及发光显示阶段(S3)；在所述初始化阶段(S1)，所述第三薄膜晶体管(T3)的源极接入初始化电压(Vini)，所述第一扫描信号(Scan1)为低电位，所述第二扫描信号(Scan2)为高电位，所述第三扫描信号(Scan3)为高电位，所述第四扫描信号(Scan4)为低电位；在所述数据信号电压与阈值电压差值存储阶段(S2)，所述第三薄膜晶体管(T3)的源极接入数据信号电压(Vdata)，所述第一扫描信号(Scan1)为低电位，所述第二扫描信号(Scan2)为低电位，所述第三扫描信号(Scan3)为高电位，所述第四扫描信号(Scan4)为高电位；在所述发光显示阶段(S3)，所述第一扫描信号(Scan1)为高电位，所述第二扫描信号(Scan2)为高电位，所述第三扫描信号(Scan3)为低电位，所述第四扫描信号(Scan4)为高电位。6.一种AMOLED像素驱动方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一AMOLED像素驱动电路；所述AMOLED像素驱动电路包括：第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)、电容(C1)、及有机发光二极管(...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈小龙，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44