一种浮地荷控HP忆阻等效电路制造技术

本发明专利技术公开了一种浮地荷控HP忆阻等效电路，电路包括运算放大器U1、运算放大器U2、乘法器U3、电流传输器U4、电流传输器U5以及电阻R1、R2、R3、R4、R5和电容C1。其中电阻R2、R3和运放U1相连构成减法运算电路；运放U2与电容C1和电阻R4相连接构成积分电路；乘法器U3用来实现乘法运算。电流传输器U4与U5相连，实现电流的镜像。本发明专利技术利用模拟电路实现了一种简化型的浮地HP忆阻的伏安特性，采用阻值较小的电阻，其结构简单，精确度高，误差小，易于实现；而且也通过改变乘法器的输入端口的连接方式可实现增量忆阻与减量忆阻的变换，也与HP忆阻特性更加符合。

A floating earth controlled HP memristor equivalent circuit

The invention discloses a floating charge controlled memristor HP equivalent circuit, circuit comprises an operational amplifier U1, operational amplifier U2, U3, U4, multiplier current conveyor, current conveyor U5 and resistance R1, R2, R3, R4, R5 and capacitor C1. The resistor R2, R3 and the operational amplifier U1 are connected to form a subtraction circuit; the operational amplifier U2 is connected with the capacitance C1 and the resistor R4 to form an integral circuit; the multiplier U3 is used for multiplication operation. The current conveyor U4 is connected with the U5 to realize the mirror of the current. The volt ampere characteristics of the invention realizes a simplified floating type HP memristor with analog circuit, the resistance is small, simple structure, high precision, small error, easy to implement; but also through the connection mode change the input port multiplier can realize incremental transformation of memristor and reduction of memristor, also with HP memristor characteristics accord with the.

【技术实现步骤摘要】
一种浮地荷控HP忆阻等效电路
本专利技术涉及一种HP忆阻等效电路，尤其涉及一种浮地荷控HP忆阻等效电路的设计。
技术介绍
在自然界和人类社会的各种物理系统中，普遍存在记忆效应。具有记忆效应的物理器件或系统可视为一种忆阻。忆阻(memristor)是描述电荷(charge)和磁通(magneticflux)关系的实现电路的基本组成元件。1971年，美国加州大学蔡少棠教授从理论上预测了忆阻元件的存在性，并且提出了忆阻器的概念。2008年，惠普实验室史特科夫等在《自然》上首次报道了忆阻器的实现性，研究成果震惊了国际电工电子技术世界。忆阻器是一种无源器件，因为其消耗能量而不产生能量，不产生功率增益，独特的记忆特性使其能够以非易失方式记忆流经电荷的总量。忆阻器除了具有记忆能力，还可以进行逻辑运算，所以忆阻器在人工智能计算机和模拟神经网络中应用更为广泛，同时也将对电子工程、通信工程等有着很深远的影响。目前因为HPTiO2忆阻采用的纳米技术，所以在具体实现和制作上有着很大的困难，并且忆阻器目前还未作为一个实际的元件走向市场，因此设计一种忆阻等效电路并用其替代实际忆阻器进行实验和应用研究是具有很大价本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种浮地荷控HP忆阻等效电路，其特征在于：电路包括运算放大器U1、运算放大器U2、乘法器U3、电流传输器U4、电流传输器U5以及电阻R1、R2、R3、R4、R5和电容C1。

【技术特征摘要】
1.一种浮地荷控HP忆阻等效电路，其特征在于：电路包括运算放大器U1、运算放大器U2、乘法器U3、电流传输器U4、电流传输器U5以及电阻R1、R2、R3、R4、R5和电容C1。2.根据权利要求1所述的所述一种简化型浮地HP忆阻等效电路，其特征在于电阻R1的两端标注为A和B端，电阻R2的两端标注为C和D端，电阻R3的两端标注为D和E端，电阻R4的两端标注为E和F端，电阻R5和电容C1的两端都标注为G和H端。3.根据权利要求1或2所述的一种简化型浮地HP忆阻等效电路，所述A端连接输入端V1，B端与电流传输器U5的Y端连接，C端与乘法器U3的W端连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：王将，钱辉，蒋涛，姚凯文，胡爱黄，吴平业，
申请(专利权)人：常州大学，
类型：发明
国别省市：江苏,32