【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】已填充氟化烃化合物的气体填充容器
本专利技术涉及在气体填充容器的内部填充用化学式：C4H9F或C5H11F表示的氟化烃化合物而成的已填充氟化烃化合物的气体填充容器。
技术介绍
一直以来，在制造半导体装置等时的蚀刻处理中，为了选择性蚀刻被蚀刻材料，使用氟化烃化合物作为蚀刻气体。为了稳定地进行微细的加工，对蚀刻处理所使用的氟化烃化合物要求高纯度(例如，纯度为99.90体积％以上)。此外，大多情况下，氟化烃化合物被填充在气体填充容器中，在该状态下保管直至使用。因此，蚀刻处理所使用的氟化烃化合物不仅需要在填充到气体填充容器时的纯度高，还需要在气体填充容器中可长时间维持其高纯度。通常，使用锰钢制、铬钼钢制的容器作为气体填充容器。此外，当在气体填充容器的内表面有微细的凹凸时，容易在其内表面吸附引起填充的气体的污染的水、杂质气体、金属粒子等。因此，通常对填充高纯度的气体的气体填充容器的内表面实施抛光处理直到成为镜面状。作为气体填充容器的内表面的抛光方法，已知有例如以下方法。(i)在专利文献1中记载了金属制中空容器的内表面抛光处理方法。该方法具有以下工序：在金属制中空容器的内部加...
【技术保护点】
一种已填充氟化烃化合物的气体填充容器，其特征在于，其是在气体填充容器的内部填充氟化烃化合物而成的已填充氟化烃化合物的气体填充容器，所述气体填充容器的材质为锰钢，通过XPS分析法而测定的所述气体填充容器的内表面的铝附着量为1摩尔％以下，并且所述氟化烃化合物是用化学式：C4H9F或C5H11F表示的化合物。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.01.22 JP 2015-0105391.一种已填充氟化烃化合物的气体填充容器，其特征在于，其是在气体填充容器的内部填充氟化烃化合物而成的已填充氟化烃化合物的气体填充容器，所述气体填充容器的材质为锰钢，通过XPS分析法而测定的所述气体填充容器的内表面的铝附着量为1摩尔％以下，并且所述氟化烃化合物是用化学式：C4H9F或C5H11F表示的化合物。2.如权利要求1所述的已填充氟化烃化合物的气体填充容器，其中，所述气体填充容器的内表面的最大高度即Rmax为25μm以下。3.如权利要求1或2所述的已填充氟化烃化合物的气体填充容器，其中，所述气体填充容器的内表面为使用抛光石实施了抛光处理的内表面。4.如权利要求1～3中任一项所述的已填充氟化烃化合物的气体填充容器，其...
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