用于有机光电二极管的化合物、包含其的有机光电二极管和显示器件制造技术

本发明专利技术涉及：化学式1和2的组合表示的用于有机光电二极管的化合物；包含所述化合物的有机光电二极管；以及包括所述有机光电二极管的显示器件。式1和2的详细内容与说明书中限定的那些相同。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于有机光电二极管的化合物、包含其的有机光电二极管和显示器件
公开了一种用于有机光电二极管的化合物、有机光电二极管和显示器件。
技术介绍
有机光电二极管是将电能转换为光能的器件，且反之亦然。根据它的驱动原理，有机光电二极管可分类如下。一种是光电二极管，其中通过光能产生激子(exciton)，其被分离成电子和空穴，并被转移至不同的电极以产生电能；另一种是发光二极管，其中将电压或电流提供给电极以从电能产生光能。有机光电二极管的实例可以是有机光电二极管、有机发光二极管、有机太阳能电池和有机光导鼓(organicphotoconductordrum)。其中，近来由于对平板显示器的需求增加而对有机发光二极管(OLED)引起关注。有机发光二极管是通过向有机发光材料施加电流而将电能转换为光的器件，并且具有其中有机层设置在阳极和阴极之间的结构。在本文，有机层可包括发光层和可选的辅助层，且辅助层可以是例如选自空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、电子传输层、电子注入层和空穴阻挡层的至少一层。有机发光二极管的性能可能受到有机层的特性影响，并且其中，可能主要受有机层的有机材料的特性影响。特别地，需要开发能够增加空穴和电子迁移率并且同时提高电化学稳定性的有机材料，使得有机发光二极管可应用于大尺寸平板显示器。
技术实现思路
技术问题一个实施方案提供了能够实现具有高效率和长寿命的有机光电二极管的用于有机光电二极管的化合物。另一个实施方案提供了包括用于有机光电二极管的化合物的有机光电二极管。又一个实施方案提供了一种包括有机光电二极管的显示器件。技术方案在本专利技术的一个实施方案中，提供了由化学式1和化学式2的组合表示的用于有机光电二极管的化合物。在化学式1和2中，X1为N或C-L1-R1，X2为N或C-L2-R2，Y为O、S、CRaRb或SiRcRd，L1至L3独立地为单键、C6至C30亚芳基、取代或未取代的C2至C30杂亚芳基，或它们的组合，R1至R3和Ra至Rd独立地为氢、氘、取代或未取代的C1至C30烷基、取代或未取代的C3至C30环烷基、取代或未取代的C6至C30芳基、取代或未取代的C2至C30杂环基、取代或未取代的C6至C30芳基胺基、取代或未取代的C1至C30烷氧基、取代或未取代的C3至C40甲硅烷基、卤素、含卤素的基团、氰基、羟基、氨基、硝基、羧基、二茂铁基或它们的组合，且化学式1邻近的两个*与化学式2的*连接以形成稠环，其中，“取代的”是指至少一个氢被氘、卤素、羟基、氨基、C1至C30胺基、硝基、C1至C40甲硅烷基、C1至C30烷基、C3至C30环烷基、C2至C30杂环烷基、C6至C30芳基、C2至C30杂芳基、C1至C20烷氧基、氟基、C1至C10三氟烷基或氰基取代。在本专利技术的另一个实施方案中，有机光电二极管包括彼此面对的阳极和阴极以及设置在阳极和阴极之间的至少一个有机层，其中有机层包括用于有机光电二极管的化合物。在本专利技术的又一个实施方案中，提供了包括有机光电二极管的显示器件。有益效果可实现具有高效率和长寿命的有机光电二极管。附图说明图1和图2是显示根据本专利技术的实施方案的有机发光二极管的各种实施方案的截面图。具体实施方式在下文，详细描述本专利技术的实施例。然而，这些实施例是示例性的，本专利技术不限于此，并且本专利技术由权利要求的范围限定。在本专利技术的说明书中，当没有另外提供定义时，“取代的”是指取代基或化合物的至少一个氢被氘、卤素、羟基、氨基、C1至C30胺基、硝基、C1至C40甲硅烷基、C1至C30烷基、C1至C10烷基甲硅烷基、C3至C30环烷基、C3至C30杂环烷基、C6至C30芳基、C6至C30杂芳基、C1至C20烷氧基、氟基、诸如三氟甲基的C1至C10三氟烷基，或氰基取代。在本说明书中，当没有另外提供定义时，“杂”是指在一个官能团中包含一个至三个选自N、O、S、P和Si的杂原子并且剩余为碳的情况。在本说明书中，当没有另外提供定义时，“烷基”是指脂肪族烃基。烷基可以是没有任何双键或三键的“饱和烷基”。烷基可以是C1至C20烷基。更具体地，烷基可以是C1至C10烷基或C1至C6烷基。例如，C1至C4烷基在烷基链中可具有一至四个碳原子，并且可选自甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基和叔丁基。烷基的具体实例可以是甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、己基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基等。在本说明书中，“芳基”是指包括至少一个烃芳香族部分的基团，且烃芳香族部分的所有元素都具有形成共轭的p-轨道，例如苯基、萘基等，两个或更多个烃芳香族部分可通过σ键连接，并且可以是例如二联苯基、三联苯基、四联苯基等，并且两个或更多个烃芳香族部分直接或间接稠合以提供非芳香族稠环。例如，它可以是芴基。芳基可包括单环、多环或稠环多环(即，共享邻近碳原子对的环)官能团。在本说明书中，“杂环基”是杂芳基的上位概念，并且可包括至少一个杂原子(选自N、O、S、P和Si)代替环状化合物中的碳(C)，例如芳基、环烷基、其稠环或它们的组合。当杂环基是稠环时，杂环基的整个环或每个环可包括一个或多个杂原子。例如，“杂芳基”可以是指包括至少一个选自N、O、S、P和Si的杂原子代替碳(C)的芳基。两个或更多个杂芳基通过σ键直接连接，或者当C2至C60杂芳基包括两个或更多个环时，该两个或更多个环可被稠合。当杂芳基是稠环时，各个环可包括一个或三个杂原子。杂芳基的具体实例可以是吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基等。更具体地，取代或未取代的C6至C30芳基和/或取代或未取代的C2至C30杂环基团可以是取代或未取代的苯基，取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的亚菲基、取代或未取代的并四苯基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的二联苯基、取代或未取代的对三联苯基、取代或未取代的间三联苯基、取代或未取代的屈基、取代或未取代的亚三联苯基、取代或未取代的苝基、取代或未取代的茚基、取代或未取代的呋喃基、取代或未取代的苯硫基、取代或未取代的吡咯基、取代或未取代的吡唑基、取代或未取代的咪唑基、取代或未取代的三唑基、取代或未取代的噁唑基、取代或未取代的噻唑基、取代或未取代的噁二唑基、取代或未取代的噻二唑基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的苯并苯硫基、取代或未取代的苯并咪唑基、取代或未取代的吲哚基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的异喹啉基、取代或未取代的喹唑啉基、取代或未取代的喹喔啉基、取代或未取代的萘啶基、取代或未取代的苯并噁嗪基、取代或未取代的苯并噻嗪基、取代或未取代的吖啶基、取代或未取代的吩嗪基、取代或未取代的吩噻嗪基、取代或未取代的吩噁嗪基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并苯硫基、它们的组合，或前述基团的组合稠环，但不限于此。在本说明书中，单键是指不通过碳或除碳以外的杂原子的直连键(directbond)，且具体地，L是单键的意思是指与L连接的取代基与中心核直接连接。即，在本说明书中，单键并不是指通过碳连接的亚甲基。在说明书中，空穴特性是指当施加电场时供给电子以形成空本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种由化学式1和化学式2的组合表示的用于有机光电二极管的化合物：

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.05.13 KR 10-2015-00668391.一种由化学式1和化学式2的组合表示的用于有机光电二极管的化合物：其中，在化学式1和2中，X1为N或C-L1-R1，X2为N或C-L2-R2，Y为O、S、CRaRb或SiRcRd，L1至L3独立地为单键、C6至C30亚芳基、取代或未取代的C2至C30杂亚芳基，或它们的组合，R1至R3和Ra至Rd独立地为氢、氘、取代或未取代的C1至C30烷基、取代或未取代的C3至C30环烷基、取代或未取代的C6至C30芳基、取代或未取代的C2至C30杂环基、取代或未取代的C6至C30芳基胺基、取代或未取代的C1至C30烷氧基、取代或未取代的C3至C40甲硅烷基、卤素、含卤素的基团、氰基、羟基、氨基、硝基、羧基、二茂铁基或它们的组合，且化学式1邻近的两个*与化学式2的*连接以形成稠环，其中“取代的”是指至少一个氢被氘、卤素、羟基、氨基、C1至C30胺基、硝基、C1至C40甲硅烷基、C1至C30烷基、C3至C30环烷基、C2至C30杂环烷基、C6至C30芳基、C2至C30杂芳基、C1至C20烷氧基、氟基、C1至C10三氟烷基或氰基取代。2.根据权利要求1所述的用于有机光电二极管的化合物，其中化学式1由化学式3至8中的一种表示：其中，在化学式3至8中，X1为N或C-L1-R1，X2为N或C-L2-R2，Y为O、S、CRaRb或SiRcRd，L1至L3独立地为单键、C6至C30亚芳基、取代或未取代的C2至C30杂亚芳基，或它们的组合，且R1至R3和Ra至Rd独立地为氢、氘、取代或未取代的C1至C30烷基、取代或未取代的C3至C30环烷基、取代或未取代的C6至C30芳基、取代或未取代的C2至C30杂环基、取代或未取代的C6至C30芳基胺基、取代或未取代的C1至C30烷氧基、取代或未取代的C3至C40甲硅烷基、卤素、含卤素的基团、氰基、羟基、氨基、硝基、羧基、二茂铁基或它们的组合，其中“取代的”是指至少一个氢被氘、卤素、羟基、氨基、C1至C30胺基、硝基、C1至C40甲硅烷基、C1至C30烷基、C3至C30环烷基、C2至C30杂环烷基、C6至C30芳基、C2至C30杂芳基、C1至C20烷氧基、氟基、C1至C10三氟烷基或氰基取代。3.根据权利要求1所述的用于有机光电二极管的化合物，其中X1是C-L1-R1，且X2是C-L2-R2。4.根据权利要求1所述的用于有机光电二极管的化合物，其中R1至R3独立地为氢、氘、取代或未取代的C6至C30芳基胺基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的二联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的四联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的咪唑基、取代或未取代的三唑基、取代或未取代的四唑基、取代或未取代的噁二唑基、取代或未取代的噁三唑基、取代或未取代的噻三唑基、取代或未取代的苯并咪唑基、取代或未取代的苯并三唑基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的哒嗪基、取代或未取代的嘌呤基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的异喹啉基、取代或未取代的酞嗪基、取代或未取代的萘吡啶基、取代或未取代的喹喔啉基、取代或未取代的喹唑啉基、取代或未取代的吖啶基、取代或未取代的氮杂菲基、取代或未取代的菲咯啉基、取代或未取代的吩嗪基、取代或未...

【专利技术属性】
技术研发人员：张起砲，金荣权，金炳求，李炳官，柳真铉，柳银善，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR