【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有CHA晶体结构的沸石的合成,其合成方法及其在催化应用中的用途
本专利技术涉及具有菱沸石晶体结构的沸石的新合成方法以及根据本专利技术的合成方法合成的沸石材料作为催化剂的用途。背景沸石或分子筛被描述为由TO4四面体(T=Si、Al、P、Ge、B、Ti、Sn等)通过氧原子互连而形成的材料,以在整个分子范围上产生尺寸和形状均匀的孔和空腔。这些沸石材料作为催化剂、吸附剂或离子交换剂等具有重要的应用。沸石可以根据其通道和孔的尺寸进行分类。在这方面,具有受8-T原子限制的通道的沸石称为“小孔沸石”(大约的开口),具有受10-T原子限制的通道的沸石称为“中孔沸石”(大约的开口),具有受12-T原子限制的通道的沸石称为“大孔沸石”(大约的开口),以及最后,具有受大于12-T原子限制的通道的沸石称为“超大孔沸石”(大于的开口)。在国际沸石协会(IZA)接受的200多种沸石结构中,菱沸石晶体结构是最有趣的一种,因为其在许多不同应用中具有应用,最值得注意的是作为甲醇至烯烃(MTO)方法和NOx的选择性催化还原(SCR)中的非均相催化剂。IZA将代码CHA指定给分子筛菱沸石,其具有 ...
【技术保护点】
具有CHA沸石结构的结晶材料的合成方法,其特征在于,所述方法至少包括以下步骤:i)制备包含至少一种水源、至少一种四价元素Y的源、至少一种碱金属或碱土金属阳离子A的源、至少一种三价元素X的源和至少一种具有[R
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.12.17 ES P2014318611.具有CHA沸石结构的结晶材料的合成方法,其特征在于,所述方法至少包括以下步骤:i)制备包含至少一种水源、至少一种四价元素Y的源、至少一种碱金属或碱土金属阳离子A的源、至少一种三价元素X的源和至少一种具有[R1R2R3R4N+]Q-结构的有机分子(OSDA1)的混合物,其中R1、R2、R3和R4选自直链烷基,并且其中R1、R2、R3和R4各自具有1至4个碳原子,但其中至少两个必须具有至少两个碳原子,并且其中Q-为阴离子,所述混合物具有以下摩尔组成:nX2O3:YO2:aA:mOSDA1:zH2O其中n为0至0.1;a为0至2;m为0.01至2;z为1至200;ii)使i)中所得混合物在反应器中进行结晶;iii)回收ii)中所得的结晶材料。2.根据权利要求1所述的方法,其中所述四价元素Y的源选自硅、锡、钛、锗及其组合。3.根据权利要求2所述的方法,其中所述四价元素Y的源是选自以下的硅源:硅氧化物、硅卤化物、胶体二氧化硅、煅制二氧化硅、原硅酸四烷基酯、硅酸盐、硅酸、预先合成的结晶材料、预先合成的无定形材料,及其组合。4.根据权利要求3所述的方法,其中所述硅源选自预先合成的结晶材料,预先合成的无定形材料及其组合。5.根据权利要求4所述的方法,其中所述预先合成的材料在其结构中含有其它杂原子。6.根据权利要求1所述的方法,其中所述三价元素X的源选自铝、硼、铁、铟、镓及其组合。7.根据权利要求6所述的方法,其中所述三价元素X的源是铝。8.根据权利要求1所述的方法,其中所述OSDA1选自四乙基铵、甲基三乙基铵、丙基三乙基铵、二乙基二丙基铵、二乙基二甲基铵,及其组合。9.根据权利要求8所述的方法,其中所述OSDA1是四乙基铵。10.根据权利要求1至9所述的方法,其中在静态或动态条件下,在高压釜中进行ii)中所述的结晶过程。11.根据权利要求1至10所述的方法,其中在100℃至200℃的温度下进行ii)中所述的结晶过程。12.根据权利要求1至11所述的方法,其中ii)中所述的结晶过程的时间为6小时至50天。13.根据权利要求1至12所述的方法,其还包括将相对于氧化物总量至多为25重量%的量的CHA晶体作为晶种添加至合成混合物中。14.根据权利要求13所述的方法,其中所述CHA晶体在结晶过程之前或在结晶过程中添加。15.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员:A·科玛卡诺斯,M·莫林内尔马林,N·马丁加西亚,
申请(专利权)人:康斯乔最高科学研究公司,巴伦西亚理工大学,
类型:发明
国别省市:西班牙,ES
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