一种用单片机实现的防倒灌理想二极管制造技术

技术编号:16105370 阅读:156 留言:0更新日期:2017-08-30 00:01
本实用新型专利技术公开了一种用单片机实现的防倒灌理想二极管,由MOS管、三极管开关电路和单片机组成,其特征是:所述MOS管的D极和S极两端分别连接输入电压和输出电压,MOS管的G极连接三极管开关电路,所述单片机包括有AD1和AD2两个端口,AD1端口连接输入电压端,AD2端口连接输出电压端,单片机的I/O端口连接三极管开关电路。所述三极管开关电路是由两组双电阻和两组双电阻之间由一三极管连接组成,单片机通过AD1和AD2端检测输入电压和输出电压的压差,控制I/O端口输出高电平和低电平,控制MOS管的导通和关闭,实现防止电流倒灌。

【技术实现步骤摘要】
一种用单片机实现的防倒灌理想二极管
本技术涉及二极管电路
,特别是涉及一种应用于太阳能充电电路的用单片机实现的防倒灌理想二极管。
技术介绍
太阳能作为一种可再生的清洁能源,在人类生产和生活中已经得到了广泛应用,如太阳能路灯。由于太阳能路灯晚上没有太阳照射没有输入电压,这样由于压差会出现电流倒灌现象,从而影响产品的性能。而现在市面上采用的专用芯片防倒灌电路,专用芯片价格昂贵,大约在2美金左右。为此,本技术方案提出一种采用单片机以及MOS管构成一个理想防倒灌二极管。通过单片机的I/O控制MOS管的导通,关断。省去了专用控制芯片,成本非常低。
技术实现思路
本技术所采用的技术方案是:一种用单片机实现的防倒灌理想二极管,由MOS管、三极管开关电路和单片机组成,其特征是:所述MOS管的D极和S极两端分别连接输入电压和输出电压,MOS管的G极连接三极管开关电路,所述单片机包括有AD1和AD2两个端口,AD1端口连接输入电压端,AD2端口连接输出电压端,单片机的I/O端口连接三极管开关电路。所述三极管开关电路是由两组双电阻和两组双电阻之间由一三极管连接组成,单片机通过AD1和AD2端检测输入电压和输出电压的压差,控制I/O端口输出高电平和低电平,控制MOS管的导通和关闭,实现防止电流倒灌。当输入电压大于输出电压30mV时,单片机I/O输出高电平MOS管G极为低电平,MOS管导通;当输入电压小于等于输出电压时,单片机I/O输出低电平MOS管G极为高电平,MOS管关闭,实现防止电流倒灌。本技术的有益效果为:该电路广泛应用于太阳能路灯的充电电路上,晚上时由于没有光照没有输入电压,单片机的AD1端检测从而I/O端输出低电平,此时MOS管关闭,可以很好地防止电流倒灌,同时充电时由于MOS管极低的内阻,MOS管几乎不发热,电源损耗非常小,有利于提升产品的使用寿命。附图说明图1为本技术的电路结构示意图。具体实施方式下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步的说明。请参照附图1,一种用单片机实现的防倒灌理想二极管,由MOS管10、三极管开关电路20和单片机30组成,其特征在于:所述MOS管10的D极和S极两端分别连接输入电压和输出电压,MOS管的G极连接三极管开关电路20,所述单片机30包括有AD1和AD2两个端口,AD1端口连接输入电压端,AD2端口连接输出电压端,单片机30的I/O端口连接三极管开关电路20。进一步所述三极管开关电路20是由两组双电阻和两组双电阻之间由一三极管连接组成,单片机30通过AD1和AD2端检测输入电压和输出电压的压差,控制I/O端口输出高电平和低电平,控制MOS管10的导通和关闭,实现防止电流倒灌。当输入电压大于输出电压30mV时,单片机30的I/O端输出高电平MOS管10的G极为低电平,MOS管10导通;当输入电压小于等于输出电压时,单片机30的I/O端输出低电平MOS管10的G极为高电平,MOS管10关闭,实现防止电流倒灌。该电路广泛应用于太阳能路灯的充电电路上,晚上时由于没有光照没有输入电压,单片机30的AD1端检测从而I/O端输出低电平,此时MOS管10关闭,可以很好地防止电流倒灌,同时充电时由于MOS管10极低的内阻,MOS管10几乎不发热,电源损耗非常小,有利于提升产品的使用寿命。本技术的上述实施例仅仅是为清楚地说明本技术所作的举例,而并非是对本技术的实施方式的限定。而对于属于本技术的实质精神所引伸出的显而易见的变化或变动仍属于本技术的保护范围。本文档来自技高网...
一种用单片机实现的防倒灌理想二极管

【技术保护点】
一种用单片机实现的防倒灌理想二极管,由MOS管(10)、三极管开关电路(20)和单片机(30)组成,其特征在于:所述MOS管(10)的D极和S极两端分别连接输入电压和输出电压,MOS管的G极连接三极管开关电路(20),所述单片机(30)包括有AD1和AD2两个端口,AD1端口连接输入电压端,AD2端口连接输出电压端,单片机(30)的I/O端口连接三极管开关电路(20)。

【技术特征摘要】
1.一种用单片机实现的防倒灌理想二极管,由MOS管(10)、三极管开关电路(20)和单片机(30)组成,其特征在于:所述MOS管(10)的D极和S极两端分别连接输入电压和输出电压,MOS管的G极连接三极管开关电路(20),所述单片机(30)包括有AD1和AD2两个端口,AD1端口连接输入电压端,AD2端口连接输出电压端,单片机(30)...

【专利技术属性】
技术研发人员:韦春生
申请(专利权)人:深圳市维创尼克科技有限公司
类型:新型
国别省市:广东,44

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