一种伽马光伏同位素电池制造技术

技术编号:16103610 阅读:72 留言:0更新日期:2017-08-29 23:18
本发明专利技术公开了一种伽马光伏同位素电池,其包括依次贴合的以下三层:A、低能伽马同位素源层,其能发射出能量小于20KeV的低能伽马射线;B、闪烁体层,其选自:B1、柔性有机闪烁体层;或B2、刚性闪烁体层;C、光伏半导体层;其中各层的厚度均小于0.2mm。本发明专利技术的伽马光伏同位素电池可被制成长条状并被卷成一卷来使用。

【技术实现步骤摘要】
一种伽马光伏同位素电池
本专利技术属于同位素电池或原子电池领域,具体涉及一种伽马光伏同位素电池。
技术介绍
随着现代电子技术特别是移动设备和微机电系统(MEMS)的迅猛发展,要求其电源具有低功率、长寿命、高可靠性和体积微小的特点,才能满足在诸如微型管道机器人、植入式微系统、无线传感器、人工心脏起搏器、便携式移动电子产品领域、太空或深海无人探测器等高端领域的供电需求。一种满足上述需求的微型电池是辐射伏特同位素电池,其是采用能天然发出β射线的β同位素源与具有PN结或PIN结的半导体材料相复合,其中β射线轰击半导体材料时产生电子-空穴对,电子和空穴在PN结内建电场的作用下分别汇集到半导体材料的N区和P区,分别形成电池的负极和正极,可对外供电。这类辐射伏特同位素电池为追求高输出电压或电流,通常要求β射线具有高能量,例如通常采用的辐射源如下:63Ni,其发出的β射线的平均能量为17.42KeV;147Pm,其发出的β射线的平均能量为61.93KeV;137Ce,其发出的β射线的平均能量为187.1KeV;90Sr,其发出的β射线的平均能量为195.8KeV;高能β射线往往会损害半导体材料的晶格本文档来自技高网...
一种伽马光伏同位素电池

【技术保护点】
一种伽马光伏同位素电池,其特征在于,其包括依次贴合的以下三层:A、低能伽马同位素源层,其能发射出能量小于20KeV的低能伽马射线;B、闪烁体层,其选自:B1、柔性有机闪烁体层;或B2、刚性闪烁体层;C、光伏半导体层;其中各层的厚度均小于0.2mm。

【技术特征摘要】
1.一种伽马光伏同位素电池,其特征在于,其包括依次贴合的以下三层:A、低能伽马同位素源层,其能发射出能量小于20KeV的低能伽马射线;B、闪烁体层,其选自:B1、柔性有机闪烁体层;或B2、刚性闪烁体层;C、光伏半导体层;其中各层的厚度均小于0.2mm。2.根据权利要求1所述的伽马光伏同位素电池,其特征在于,所述柔性有机闪烁体层是蒽、茋或萘在柔性塑料中的固溶体;所述刚性闪烁体层包含选自NaI:Tl、BaF2、Bi4Ce3O12、Lu2SiO5:Ce、Lu1.8Y0.2SiO5:Ce或LaBr3:Ce的闪烁晶体;所述光伏半导体层选自非晶硅半导体、微晶硅半导体、CdS、CdTe、C...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈继革杨晓军
申请(专利权)人:深圳贝塔能量技术有限公司
类型:发明
国别省市:广东,44

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